中国2025年IC自主率要达7成面临的主要困境

中国大陆拥有庞大IC产品需求市场，但自给自足率却明显偏低，必须高度仰赖海外IC产品进口。为此中国国务院于2015年3月发起“2025年中国制造”（MIC 2025）计划，目标到了2020年达到4成的IC产品自给自足率目标，到了2025年更要达到7成水准。不过市调机构IC Insights分析认为，这项目标恐难达成，而技术落差也成为现阶段大陆IC产业发展面临的最主要困境。

国家层级IC产业供需自给自足的迷思

根据IC Insights报导指出，现实情况下在整体IC产业中由于各环节环环相扣，任何缺少不论是一款低阶IC、制程材料或封装类型等的情况，都有可能导致整个电子系统的生产及出货受到影响。因此，透过政府力量设定一个要达到的自给自足或一定水准供应比例的数字，将是不切实际的做法。

如美国政府在1980年代初期试图确保用于生产军用IC的每个晶圆制造、封装材料以及半导体制程设备的每个环节中，至少有一个是来自美国本地制造的产品、材料或技术，但若有无法由美国本地供应的情况产生，就有可能导致整个产线无法生产及出货，因此政府设定低于100%自给自足率目标的规定反而成为了限制及不可能达成的任务。美国政府30多年前这项目标最终就以不得不放弃告终，即使当年的IC制程还不是很复杂。

因此，可以说任何在IC产业中低于100%自给自足率的情况，都可以说是未达自给自足的水准。

大陆发展IC产业资金不成问题　技术才是主要困境

对中国政府来说，若要让2025年中国制造的计划成真，资金及技术掌握将成为两大关键，两者被认为对目标达成与否有着相等重要性，其中在资金掌握上较不是问题，如中央政府已批准提供大陆本地IC产业发展达近200亿美元的资金支持，大陆地方政府及民间投资者合计也可望提供另外近1，000亿美元的资金支持。

整体而言上述合计的庞大资金支援规模，可能已足以投建至少10座大规模300纳米IC产线。由此可确定大陆在发展自有IC产业上，在资金获取上应不是什么太大问题。

因此，发展阻碍反而主要是出在技术掌握上。虽然自2014年起大陆IC产业积极寻求向海外进行既有IC企业及技术收购移动，欲借此壮大自有新投建的晶圆厂房实力，并因此获致部分成功案例，如买下ISSI及豪威科技（OmniVision），但发展至今许多海外国家政府对于大陆IC产业对中国IC企业的收购移动均已产生戒心，美国政府即为一明确案例，因而对大陆IC产业的收购移动会有所限制及阻挡。

在此情况下，反而不利大陆IC产业未来持续借由收购策略，壮大自有技术实力的可能性，可以说此途径的机会之窗已经关上，未来大陆IC产业只能寻求自行研发的方式壮大自有技术水平。

因此，目前大陆新投建晶圆厂所采用的制程技术，相较于全球一线晶圆大厂仍落后达至少两个世代，如福建省晋华集成电路公司投建的12吋晶圆厂仍在32纳米DRAM制程技术阶段，上海华力微电子新厂房制程技术也仍在28纳米世代，这让大陆半导体业者要与国际一线大厂竞争，仍存在一段明显技术上的落差。

人才挖角取得他厂知识产权策略　恐得不偿失

虽然近期外传大陆IC产业透过挖角三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）以及英特尔（Intel）大陆IC产线工程师的方式，欲强化自主技术开发能力，因这些被挖角工程师能够将原服务公司的专利权及经验带到新公司，不过IC Insights认为这是相当危险的方法，最显著例子就是约10多年前台积电与中芯国际（SMIC）的专利侵权案。

台积电在2003年控诉中芯国际挖角超过100名前台积电员工，要求这些员工提供台积电的商业机密给中芯国际，台积电指控中芯国际侵犯该公司5项IC制程技术专利，而后再增至8项，最后到了2015年初由中芯国际支付台积电1.75亿美元、以及台积电取得中芯国际8%股份解决此争议。由此，可看出要透过人才挖角取得他厂专利，反而可能导致自身面临更大的法律争讼与赔偿风险。

全球DRAM及NAND Flash产业发展多年，发展至今形成只剩几家主要大厂瓜分市占率局面，这些大厂早已掌握大量相关专利，若大陆半导体业者欲自行开发新的DRAM或NAND Flash技术，将很有可能侵犯到主要大厂持有的专利，届时面临的侵权诉讼战反而恐让大陆业者得不偿失。

虽然预期2016~2021年大陆本地IC生产的年复合成长率（CAGR）可望迎来非常强劲的18%水准，但有鉴于2016年大陆IC生产规模仅130亿美元，因此即使CAGR高，但仍只是从相对小的产值规模茁壮起，规模要见到大幅扩增仍需时间。