中韩NAND Flash军备竞赛再起 2018年或供过于求

中韩NAND Flash军备竞赛再起 2018年或供过于求,第1张

储存型快闪存储器NAND Flash)军备竞赛再起,南韩存储器大厂SK海力士决定再投资3.16兆韩元(约27亿美元),在南韩及大陆两地增加存储器产能;紫光集团旗下的长江存储武汉厂,也预定本月底正式动土,都为2018年供给过于求再现,埋下隐忧。

目前各市调机构均看好明年NAND Flash仍处于供不应求局面,但南韩存储器大厂SK海力士上周宣布将在南韩盖一座全新快闪存储器厂,在中国大陆也将加码投资9,500亿韩元,扩充产能,希望市占率能赶上三星,但也为NAND Flash市场投下新变数。

稍早三星和美光也都宣布进一步扩产行动。三星也正于京畿道平泽建设新厂,预定2017年上半启用,第一期投资额15.6兆韩元(134亿美元),估计12寸晶圆产量可达20万片,虽然三星还未敲定生产项目,但市场推测,因三星DRAM市占已接近跨过50%门槛,有反托辣斯法要求分割疑虑,应仍会以发展3D NAND Flash 为主。

半导体设备厂透露,目前六大NAND Flash芯片厂都有持续扩充NAND Flash芯片计画,不过在各家从2D转3D NAND芯片,因制程难度高,造成供应不足,使今年NAND芯片供应短缺,预料随3D NAND芯片下半年制程逐步顺利,缺货问题会逐渐纾解。

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