随着200+层3D NAND的问世，PCIe 5.0 SSD的普及进入快车道，并将为高速数据读写释放出更大能力。作者：丰宁7月26日，美国存储芯片巨头美光发表公告称，原定于今年年底开始量产的全球首款2

突破极限，还是根本没有物理限制？编译来源：semiengineering内存供应商正在竞相为 3D NAND 添加更多层，数据爆炸以及对更大容量固态驱动器和更快访问时间的需求推动了3D NAND市场的

凭借十几年的嵌入式市场经验，研华研发了出色的工业存储解决方案SQFlash，并提供了全方位的产品支持和增值服务。研华SQFlash固态硬盘的设计适应工业 *** 作，具有高可靠性、高耐用性、出色的兼容性和安全

储存型快闪存储器（NAND Flash）军备竞赛再起，南韩存储器大厂SK海力士决定再投资3.16兆韩元（约27亿美元），在南韩及大陆两地增加存储器产能；紫光集团旗下的长江存储武汉厂，也预定本月底正式动

美国SEMI的乔纳森·戴维斯（Jonathan Davis，全球副总裁）在2016年12月13日于东京召开的“SEMICON Japan 2016记者会”上，针对2016年及2017年的半导体制造装置

2017年新春伊始之际，大陆倾国家之力戮力发展半导体产业超赶美日台韩的雄心依然未歇，1月18日下午，新春佳节来临之际，从南京传来喜讯，紫光南京半导体产业基地项目签约。据披露，此次投资达到2600亿元，

电子发烧友早八点讯：近日，由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。据长江存储CEO杨士宁在

据海外媒体报道，去年下半年以来NAND Flash市场供不应求，主要关键在于上游原厂全力调拨2D NAND Flash产能转进3D NAND，但3D NAND生产良率不如预期，2D NAND供给量又因

电子发烧友早八点讯： 据台湾媒体报道，东芝（Toshiba）出售NAND Flash事业群的竞标案炒得热闹，近期台湾经济部工业局也找台湾多家存储器相关业者密谈应对之策，将再找晶圆代工业者作第二轮商议，

说到闪存，很多人都会想到运行内存和储存内存，关心手机硬件的朋友应该都对CPU、GPU、屏幕和电池等部件非常熟悉，但是对于产品性能同样非常重要的RAM(运行内存)和ROM(储存内存)相信就没有那么多人有

电子发烧友早八点讯：在3D NAND与尖端逻辑芯片制程设备支出成长推动下，调研机构Gartner表示，2016全年全球半导体晶圆级制造设备市场规模年增11.3%，达374.07亿美元。一扫2015年规

在3D NAND与尖端逻辑芯片制程设备支出成长推动下，调研机构Gartner表示，2016全年全球半导体晶圆级制造设备市场规模年增11.3%，达374.07亿美元。一扫2015年规模年减1%阴霾。Ga

3D NAND Flash 作为新一代的存储产品，受到了业内的高度关注！但目前3D NAND仅由三星电子独家量产。而进入了最近两个月，先有东芝（Toshiba）杀入敌营，如今美光（Micron）也宣布

总投资约1600亿元人民币的国家存储器基地有了新进展。针对近期关于“紫光收购武汉新芯”的市场传闻，《第一财经日报》记者采访武汉新芯获悉，3月28日国家存储器基地在武汉启动的四个月后，今年7月26日，长

经过8个多月的努力，英特尔大连非易失性存储（NVRAM）制造新项目7月初在大连实现提前投产。去年10月，英特尔公司宣布投资55亿美元将大连工厂建设为世界上最先进的非易失性存储器制造工厂，该项目是迄今为

今日热点国内正在大力发展集成电路产业，近日北京的北设计、南制造的蓝图也更加清晰。半导体产业不景气的背景下，3D Nand能成救世主？小米手环2已经发布，小米手表会是什么样子，先看看曝光草图。传闻已久的

近日中国半导体业最引人关注的爆炸性新闻是武汉新芯计划2018年量产48层3D NAND，及它的投资240亿美元的计划。中国上马存储器芯片制造己经酝酿己久，众说纷纭，有附和者，也有人表示担心。因为工艺技

本站原创，作者：章鹰，电子发烧友执行副主编。2018年，智能手机市场前三争夺战刚刚落下帷幕，华为在12月25日宣布全球智能手机出货量突破2亿台，华为消费者业务CEO余承东早前表示，2019年华为的智能

在2019中国国际智能产业博览会上，紫光集团首次公开展示了长江存储64层NAND Flash Wafer。据存储在线报道称，这是紫光集团旗下长江存储推出的第二代64层3D NAND，也是业内存储密度最