DRAM：芯片国产化的兵家必争之地

2018年，中国进口了超过900亿美元的存储芯片，这其中三星电子、SK海力士和美光电子三分天下，而国内厂商的份额为——0%。

同年7月18日，国产存储三大势力之一的合肥长鑫正式投片，产品规格为8Gb LPDDR4，对于中国DRAM产业来说，这是艰难的第一步。

投片，代表在芯片设计上已达到一定水平，且产品上市指日可待，然而日后产品生产良率和稳定度仍有待观察。

更何况，明年底合肥长鑫的产能最多不过2万片晶圆/月，即便不考虑明年国际主流是LPDDR4的技术差距问题，2万片晶圆/月的产能对全球每月上百万片晶圆的产能来说依然是杯水车薪。

国泰君安电子团队对日美韩三国的DRAM研发过程进行了复盘，并对中国在这一次产业变迁中可以采取的策略进行细致展望。

芯片国产化中不可或缺的DRAM之战，中国该如何主动出击，又会带来哪些投资机会？

日美韩三国演义

1969年，在诺伊斯和摩尔等初代集成电路元勋们的努力下，英特尔成功开发出第一块存储芯片——容量为64个字节的3101芯片。

次年，英特尔的12号员工特德.霍夫提出了一种新的设计，将DRAM存储器单元的晶体管从四个减少到三个，成功将存储空间提升到1024个字节。

这也就是我们如今所用DRAM的技术原型。

无疑，此时的美国，是第一个吃螃蟹的人。当时个人计算机尚未普及，需求小、价格低使得技术是行业核心驱动力，商战也远远未及。因此，从1970年的2K可擦除可编程只读存储器(Eprom)到1972年世界第一块静态随机存储器(SRAM)的推出，再到4K 16K，64KDRAM芯片的先后问世，在技术驱动下，存储器容量不断呈指数级增长。

技术的壁垒也毫无意外地带来了垄断，英特尔和MOSTEK等美国公司垄断了当时的整个市场。

然而不久之后，日本存储产业的崛起就打破了原本的竞争格局。

1971年，日本NEC公司推出了DRAM芯片，紧追英特尔的量产DRAM。尽管如此，日本半导体的技术实力和产品性能与美国依然有巨大差距。同期的美国存储器已经用上了超大规模集成电路（VLSI），而日本还停留在上一代技术大规模集成电路（LSI）。

为攻破技术壁垒，1970年代的日本政府一手抓“产官学”一体推进本土半导体实力发展，一手抓进口壁垒搞产业保护。1976年，由日本政府的通产省牵头，以日立、三菱、富士通、东芝、NEC五大公司作为骨干，联合了日本通产省的电气技术实验室（EIL）、日本工业技术研究院电子综合研究所和计算机综合研究所，投资720 亿日元，攻坚超大规模集成电路DRAM的技术难关。

日本VLSI攻关项目的官产学一体模式