300nm晶圆首次用于制造功率器件，英飞凌推出超结MOSFET

　　英飞凌科技公司将“全球首次”使用口径300mm的硅晶圆制造功率半导体。具体产品是有超结（Super JuncTIon）构造的功率MOSFET“CoolMOS系列产品”，由奥地利菲拉赫工厂生产。据介绍，该产品已于2013年2月接到了第一笔订单。

　　英飞凌目前正在使用200mm晶圆制造功率MOSFET。换成300mm晶圆以后，一块晶圆可生产的芯片数量将增至2.5倍。

　　在菲拉赫工厂，今后300mm技术将取代200mm成为核心技术。