Vishay Siliconix发布新款N沟道TrenchFET功率MOSFET-SiR872ADP

　　宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 4 月23 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新款N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET®技术的电压扩展至150V。Vishay Siliconix SiR872ADP在10V和7.5V下的导通电阻低至18mΩ和23mΩ，同时保持低栅极电荷，在10V和7.5V下的典型电荷为31nC和22.8nC。

　　SiR872ADP在10V和7.5V下导通电阻与栅极电荷的乘积分别为563mΩ-nC和524mΩ-nC，该参数是DC/DC转换器应用中表征MOSFET的优值系数（FOM）。器件的FOM可减低传导和开关损耗，从而提高总的系统效率。这款MOSFET的性能高于很多前一代器件，有可能减少总的元器件数量，并简化设计。

　　SiR872ADP进行了100%的Rg和UIS测试，符合JEDEC JS709A的无卤素规定，符合RoHS指令2011/65/EU。这款器件属于近期发布的100V SiR846ADP和SiR870ADP，及80V SiR826ADP ThunderFET MOSFET之列，让设计者可以从采用PowerPAK SO-8封装的多款中等电压器件中进行选择。借助ThunderFET、TrenchFET Gen IV和E/D系列MOSFET，Vishay能够满足所有功率转换应用的需求。

　　新款MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十三周到十四周。

　　VISHAY简介

　　Vishay Intertechnology， Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1，000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。