用于 DDR 和 QDR4 SRAM 的µModule 稳压器

用于 DDR 和 QDR4 SRAM 的µModule 稳压器,第1张

  加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2016 年 4 月 14 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology CorporaTIon) 推出三路输出µModule (电源模块稳压器 LTM4632,用于为新型 QDR4 和较老式的 DDR SRAM 之所有三个电压轨供电:VDDQ、VTT、VTTR (或 VREF)。LTM4632 采用一个微型、轻量和超薄的 LGA 封装 (6.25mm x 6.25mm x 1.82mm),其可焊接在 PCB 的背面,配合采用一个电阻器和三个电容器时,占板面积仅为 0.5cm2 (双面) 或 1cm2 (单面)。一个 LTM4632 能提供 3A VDDQ 和 ±3A VTT (=1/2*VDDQ),所以两个并联的 LTM4632 能够为较大的存储器组提供高达每电源轨 6A。对于超过 6A 的 VDDQ,LTM4632 可配置为与 LTM4630 一起给大型 SRAM 阵列提供介于 18A 和 36A 之间的 VDDQ。如果 VDDQ 已经可用,则可配置 LTM4632 以提供一个高达 6A 的两相单路 VTT 输出。

  LTM4632 可采用一个 3.3V 的低输入电源、以及标准的 5V 和 12V 输入 (最高 15V) 工作 。两个输出电压 (VDDQ 和 VTT) 的范围均为 0.6V 至 2.5V。第三个输出是一个用于 SRAM 之 VTTR 的低噪声 10mA 缓冲输出。应用包括 PCIe、基于云的系统、RAID、视频处理和采用这些 SRAM 的网络:DDR / DDR-II / DDR-III / DDR4 / QDR / QDR-II / QDR-II+ 和 QDR4。

  照片说明:用于 DDR-QDR4 存储器电源的超薄µModule 稳压器

  性能概要:LTM4632

  · 占板面积为 1cm2 (单面 PCB) 或 0.5cm2 (双面 PCB) 的完整 DDR / QDR4 存储器电源解决方案

  · 3A VDDQ + 3A VTT 或两相单路 6A VTT

  · 宽输入电压范围:3.6V (VIN 连接至 INTVCC) 至 15V

  · 0.6V 至 2.5V 输出电压范围

  · ±1.5%、±10mA 缓冲 VTTR = VDDQ/2 输出

  · 外部频率同步

  · 超薄型 6.25mm x 6.25mm x 1.82mm LGA 封装

  凌力尔特公司简介

  凌力尔特公司 (Linear Technology CorporaTIon) 是 S&P 500 指数的成员,在过往的 30 多年,一直致力于为全球主要的公司设计、制造和销售门类宽泛的高性能模拟集成电路。凌力尔特的产品为我们身处的模拟世界与数字化电子建立起不可或缺的桥梁,应用范围包括通信、网络、工业、汽车、计算机、医疗、仪表、消费、以及军事和航天系统等领域。凌力尔特制造的产品包括电源管理、数据转换、信号调理、RF接口 IC、µModuleÒ 子系统、以及无线传感器网络产品。

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原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/2708447.html

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