高通携手IDT和安森美共同设计多模无线充电接收器与传送器芯片

不同于联发科、博通（Broadcom）等处理器大厂自行开发产品的模式，高通（Qualcomm）则与独立型无线充电芯片商如IDT和安森美（On Semiconductor）展开合作，共同设计多模无线充电接收器（Rx）与传送器（Tx）芯片，以加速拱大无线充电市场大饼。

高通产品管理资深总监Mark Hunsicker表示，该公司已先后与IDT、安森美达成协议，将共同开发第一代和第二代整合磁感应（MagneTIc InducTIon）和磁共振（MagneTIc Resonance）技术的多模无线充电Tx和Rx芯片，而最后的芯片所有权将归高通所有。

Hunsicker指出，高通将以上述芯片为基础，开发出完整的Rx和Tx参考设计并提交给无线电力联盟（A4WP）进行认证，再提供给授权厂商，以满足众多品牌客户对多模无线充电方案的需求。

高通同时布局多模无线充电的Rx和Tx，主要目的是建置完整的系统，让无线充电在智能手机、平板装置等产品皆可顺畅运作，且合乎法规要求，并加速市场普及。至今，高通已有两款Tx产品通过A4WP认证。

Hunsicker认为，多模方案存在的时间应该会历经两代智能手机，以每一代智能手机的产品生命周期约18～24个月推估，两代时间约达48个月，这段时间终端消费者会使用双模无线充电模式的产品;而在过渡期之后，支援单模磁共振的智能手机数量将会大增。

也因此，Hunsicker强调，该公司针对无线充电市场主要仍最关注磁共振标实姆⒄梗事实上，现阶段已有不少源始设备制造商（OEM）在开发支援单模A4WP磁共振无线充电技术的智能手机。