MOSFET的驱动难道不是VGS大于开启电压就可以了吗

MOSFET的驱动难道不是VGS大于开启电压就可以了吗,第1张

这几天准备测试DCDC电源的时候,发现没有负载,想着要不买一个看看,淘宝搜了一下,看到网上好多都是给电池放电,测试放电曲线用的,价格呢也不是很便宜。想起以前在ADI的官方教程电源大师课中有设计好的负载demo板,立即便下载下来准备打样,自己做一个动态负载切换的PCBA

负载切换的原理很简单,主要通过PWM控制MOS管导通截止来使下图右侧的电阻R5短路断路,其中TP2为DCDC输出电压。

① Q1截止时,负载为R6=25Ω;

② Q1导通时,负载为R5//R6=25Ω//3Ω =2.68Ω 。

MOSFET的驱动难道不是VGS大于开启电压就可以了吗,poYBAGLo79uAC5qaAADBRhX-Naw509.png,第2张

由于以前没有MOS管驱动的经验,估计我自己设计的话,直接就用一个555定时器驱动如上图所示的Q1,结果可想而知,肯定达不到理想的状态。

那什么地方出问题了呢?MOSFET的驱动难道不是VGS大于开启电压就可以了吗?为什么要在前级放一个专用MOS管驱动芯片呢?

这时候就要说到MOS管的寄生电容了,下图是CSD17303Q5  MOS管的寄生电容参数和充电的电量。由于Q=Ig*t,Q不变的情况下,如果驱动MOS管栅极的电流小,那么时间t就会很长,驱动级就变成了电容的充放电波形。。。所以像前面提到的555电路直接驱动功率MOS,是得不到一个漂亮的方波的,很容易就会生成一个三角波,从而达不到想到的效果了。
 

MOSFET的驱动难道不是VGS大于开启电压就可以了吗,pYYBAGLo7-2AQNbcAAD5Qa9d-4I515.png,第3张


审核编辑:刘清

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