本文介绍的方法是在用ARM7系列芯片S3C4510B和μClinux构建的嵌入式平台上实现的。整个掉电保护实现的基本思路是:产生掉电信号,捕捉掉电信号和处理掉电信号。重点介绍这个过程的具体实现。
系统防掉电设计的目的是:采用一种机制,使得系统在意外失去供电的情况下,可以保证系统运行状态的确定性以及记录数据的完整性;当系统供电恢复后,现场数据可以及时恢复,避免应用系统产生混乱。我们知道,在嵌入式系统设计与开发中越来越多地应用嵌入式 *** 作系统。由于 *** 作系统的引入,数据的读写往往是通过文件的方式完成,而不是直接对存储单元地址 *** 作。用文件读写方式 *** 作数据,在程序的运行过程中往往将数据暂存在易失性的存储空间,如SDRAM,一旦系统意外失电,这些数据往往被丢失。因此,当系统意外失电时必须采取一定的措施进行系统的掉电保护,以避免系统产生混乱。总的说来,防掉电程序的主要思路就是:产生掉电信号,捕捉掉电信号,处理掉电信号和数据以及现场状态的恢复。
如果不引入 *** 作系统,直接对存储单元进行数据 *** 作,每次 *** 作的数据量小,可以利用中断服务的方式进行掉电保护;而用文件的方式进行数据 *** 作,数据量一般比较大,因此基于中断服务的方式进行掉电保护已经不再可靠。本文研究的对象是基于 *** 作系统的较为复杂的嵌入式系统设计过程中的掉电保护。
1 掉电保护方案实现的系统基础
掉电保护是在由ARM体系的硬件平台和μClinux嵌入式 *** 作系统的基础上实现的。
ARM7系列的微处理器支持八种类型的中断处理。外部中断请求会在外部中断引脚有效(一般是低电平),并且程序状态寄存器相关位(即CPSR的I控制位)设置为允许时得到处理器响应。响应后处理器进入中断工作模式,PC被装人中断向量0x00000018。在这个地址单元存放中断服务程序人口地址,中断服务程序就可以被执行。在掉电保护方案中,中断服务程序很简单,就是将表示掉电的全局变量置位即可。这样可以缩短程序执行时间。
Flash存储器是一种可在系统(in system)进行电擦写,电后信息不丢失的存储器。它具有低功耗、大容量、可整片或分扇区在系统编程(烧写)、擦除等特点,并且可由内部嵌入的算法完成对芯片的 *** 作,因而在各种嵌入式系统中得到了广泛的应用。作为一种非易失性存储器。Flash在系统中通常用于存放程序代码、常量表以及一些在系统掉电后需要保存的用户数据等。常用的Flash为8位或16位的数据宽度,编程电压为单3.3V。与Flash存储器相比较,SDRAM不具有掉电保持数据的特性,但其存取速度大大高于Flash存储器,且具有读/写的属性,因此,SDRAM在系统中主要用作程序的运行空间、数据及堆栈区。当系统启动时,CPU首先从复位地址0x0处读取启动代码,在完成系统的初始化后,程序代码一般应调入SDRAM中运行,以提高系统的运行速度,同时,系统及用户堆栈、运行数据也都放在SDRAM中。SDRAM的存储单元可以理解为一个电容,总是倾向于放电,为避免数据丢失,必须定时刷新(充电)。因此,要在系统中使用SDRAM,就要求微处理器具有刷新控制逻辑,或在系统中另外加入刷新控制逻辑电路,特别的情况是在系统失电后,要采取一种有效的机制确保将sDRAM中的数据写入F1ash中。
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