DDR测试解决方案

DDR测试解决方案,第1张

随着近十年以来智能手机、智能电视、AI技术的风起云涌,人们对容量更高、速度更快、能耗更低、物理尺寸更小的嵌入式和计算机存储器的需求不断提高,DDR SDRAM也不断地响应市场的需要和技术的升级推陈出新。

1DDR标准制定者:JEDEC协会

所有的DDR标准、LPDDR标准、GDDR标准,及内存模组标准均是由JEDEC下属的 JC-42 Solid State Memories工作组所开发。

JEDEC,全称为“Joint Electron Device Engineering Council”,固态技术协会,为一个全球性的组织。

DDR技术的发展:从DDR1到DDR5的演变:

电压更低,速率翻倍,容量翻倍

DDR测试解决方案,a9843396-3345-11ed-ba43-dac502259ad0.png,第2张

2DDR接口的基本原理

DDR测试解决方案,a9b4ccea-3345-11ed-ba43-dac502259ad0.png,第3张

• 内核的频率:100MHz~266MHz,从SDR时代到DDR,再到最新的DDR5;

• 数据速率的提升是通过I/O接口的架构设计实现的,主要有三个技术:

1) 双边沿传输数据:这是DDR名称的来源;

2) 预取技术(Prefetch): 2bit for DDR, 4bit for DDR2, 8bit for DDR3, 8bit for DDR4, 16bit for DDR5…本质上是一个串并转换技术;

3) SSTL/POD Signaling: 克服在高速传输时的信号完整性的问题。

DDR测试解决方案,a9d933dc-3345-11ed-ba43-dac502259ad0.png,第4张

芯片内部的一般架构:保证数据能够高速从芯片引脚输出

在上述这样一种芯片架构中,为了最大程度的降低DRAM芯片的成本,最省成本的方法为:

• 对于读 *** 作,DQS与DQ为边沿对齐;

• 对于写 *** 作,DQS与DQ为中心对齐。

3DDR接口信号分类

DDR测试解决方案,a9f23fc6-3345-11ed-ba43-dac502259ad0.png,第5张

引脚框图

4信号分类及其拓扑连接方式

不同类的信号,它的拓扑连接方式不一样。

DDR测试解决方案,aa20bd10-3345-11ed-ba43-dac502259ad0.png,第6张

5DDR接口举例说明:DDR3 DIMM Layout

DDR测试解决方案,aa4c20ea-3345-11ed-ba43-dac502259ad0.png,第7张

DDR测试解决方案,aaa4b804-3345-11ed-ba43-dac502259ad0.png,第8张

DDR测试解决方案,aad09154-3345-11ed-ba43-dac502259ad0.png,第9张

6DDR内存的组织方式:嵌入式系统

DDR测试解决方案,ab57f4e6-3345-11ed-ba43-dac502259ad0.png,第10张

• 内存控制器芯片与DRAM颗粒芯片在同一块PCB上;

• 内存通道的总线宽度根据所选择的内存控制器芯片的不同而不同;

CPU Core并不是直接和内存发生作用,而是通过缓存来和内存发生作用;

• Cache Line的大小为64 Byte;也就是说缓存与内存相互作用的最小单位为64 Byte。

7DDR测试解决方案

DDR测试解决方案,ab942222-3345-11ed-ba43-dac502259ad0.png,第11张

DDR测试夹具

• 计算机系统采用标准化的DIMM,可以使用多种探测解决方案进行探测。

• 嵌入式设计中的通常直接把DRAM芯片焊接在PCB上,而所有的DDR3颗粒均采用BGA封装。JEDEC的规格定义的测试点为BGA的焊球处。

• 在PCB layout时,就通过过孔在背面预留有测试 点,这样可以直接点测完全信号的探测;也就是DfT(Design for Test)。

• 当使用直接探测时,可以得到很好的信号保真度。

• 但对于PCB正反面都贴有DRAM颗粒,这种方法无能为力。

DDR测试解决方案,aba94cb0-3345-11ed-ba43-dac502259ad0.png,第12张

DDR测试方案一:直接探测

DDR测试解决方案,ac136fe6-3345-11ed-ba43-dac502259ad0.png,第13张

DDR3 DIMM + TDP7700 Probe TIps

DDR测试方案二:BGA Interposer

DDR测试解决方案,ac86197e-3345-11ed-ba43-dac502259ad0.png,第14张

8突发识别的方法

• 在分析时,需要自动将读突发和写突发分离开来独自进行分析

• 对于读写分离,有若干种方法:

1) DQ/DQS phase alignment:基于读 *** 作和写 *** 作的DQ/DQS相位对齐关系的不同,读 *** 作为边沿对齐,写 *** 作为中心对齐。这种最常用。

2) Visual Trigger:可视触发,用户自定义可视触发条件,灵活度非常高;

3)CS, Latency + DQ/DQS phase alignment:当有多个rank时,需要通过CS信号来区分是哪一个rank进行读写;

4) Logic State + Burst Latency:通过解析命令信号群组(RAS#-CAS#-WE#)来确定读 *** 作和写 *** 作。

DDR测试需要提供的资料

DDR测试不仅需要准备测试样品,还需要提供产品的线路图及layout。

审核编辑:汤梓红

欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/2997627.html

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
上一篇 2022-09-26
下一篇 2022-09-26

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

保存