复旦微自研存储芯片通过AEC-Q100 Grade 1车规级验证

复旦微自研存储芯片通过AEC-Q100 Grade 1车规级验证,第1张

近日,上海复旦微电子集团股份有限公司自研存储芯片已通过权威第三方测试认证机构——工业和信息化部电子第五研究所华东分所·集成电路可靠性验证公共服务平台——AEC-Q100 Grade 1车规级验证,并开始陆续上车应用。

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复旦微本次通过车规级验证产品简介

车用FM24C512DA1提供524288位串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),内部组织为65536个字节,每个字节8位,支持128位UID和128字节安全扇区。通过级联功能,允许多达8颗FM24C512DA1共享一条I2C总线。本产品适用于T-BOX、智能座舱、域控制器、行车记录仪,ADAS智能驾驶辅助,BMS电池管理系、娱乐系统、传动系统、安全和底盘等车规级应用。

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复旦微车规存储器产品规划

EEPROM存储器

复旦微电子现有工业级串行系列EEPROM存储器容量覆盖1Kbit~2Mbit容量,具备Microwire、I2C和SPI三种接口,除了本次推出的512K I2C接口EEPROM车规产品外,电子五所将全方位支撑复旦微电子,推出全系列符合AEC-Q100 Grade1的车规产品。

– I2C接口EEPROM规划:16K/32K/64K/128K/256K/512K(已获得AEC-Q100证书)/1M/2Mbit

– SPI接口EEPROM规划:32K/64K/128K/256K/512K/1M/2M/4Mbit

– 基于新工艺平台开发车规产品(64K~4Mbit)将全面内嵌ECC在线纠错逻辑,大幅度提升产品可靠性。全新EEPROM系列产品的交、直流及可靠性等关键指标将完全对标业界标杆产品,部分指标业界领先。

Nor Flash存储器

复旦微电子现有工业级串行系列SPI NOR Flash存储器,容量覆盖1Mbit~512Mbit容量,电子五所将全方位支撑复旦微电子,推出全系列符合AEC-Q100 Grade2的车规产品,目前64M NOR Flash正在认证中。

Nand Flash存储器

复旦微电子现有工业级串行/并行系列NAND Flash存储器,容量覆盖1Gbit~8Gbit容量,具备PPI和SPI两种接口,电子五所将全方位支撑复旦微电子,推出全系列符合AEC-Q100 Grade2的车规产品,目前SPI接口的1G Nand Flash已在认证中。

– SPI接口NAND Flash产品:1G/2G/4G/8Gbit

– PPI接口NAND Flash品:2G/4G/8Gbit  

      审核编辑:彭静

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