Si8441DBSi8451DB：Vishay超薄20V P通道功率MOSFET

产品特性：

• 超薄小封装
• 超低导通电阻
• 最高的栅源电压分别为 ±5V 、8V

应用范围：

• 手机、PDA
• 数码相机、MP3 播放器
• 智能电话等便携式设备

日前，为满足对便携式设备中更小元件的需求，Vishay推出 20V p 通道 TrenchFET功率 MOSFET，该器件采用 MICRO FOOT芯片级封装，具有超薄厚度及最低导通电阻。

Vishay Siliconix Si8441DB具有 0.59mm 的超薄厚度，以及 1.5mm×1mm 的占位面积。这也是在 1.2V 额定电压时提供导通电阻的首款此类器件。该新器件的典型应用将包括手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话等便携式设备中的负载开关及电池保护。

该Si8441DB提供了 1.2V VGS时 0.600Ω 至 4.5V VGS时 0.080Ω的导通电阻范围，且具有最高 ±5V 的栅源电压。1.2V 额定电压时的低导通电阻降低了对电平位移电路的需求，从而节约了便携式电子设计中的空间。

日前还推出了采用相同 MICRO FOOT 封装的 20V p 通道 Si8451DB。Si8451DB的最高额定栅源电源为 8V，其导通电阻范围介于 1.5V 时 0.200Ω 至 4.5V 时 0.080Ω，这是迄今为止具有这些额定电压的器件所实现的最佳值。

随着便携式电子设备的体积越来越小，以及它们功能的不断增加，电源管理电路的可用板面空间会极大减少。为实现消费者对电池充电间隔间的电池运行时间的期望，设计人员需要具有低功耗的更小 MOSFET 封装 — 这恰恰是 Si8441DB及Si8451DB所具有的特点。

目前，这些新型 MICRO FOOT 芯片级功率 MOSFET 的样品与量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 10～12 周。

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