Si8445DB：Vishay新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET

产品特性：

• 采用MICRO FOOT芯片级封装
• 1.2mm×1.0mm 的超小占位面积
• 1.2 V 时0.084 Ω的低导通电阻范围

应用范围：

• 手机、PDA、
• 数码相机、MP3 播放器
• 智能电话

日前，Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET，该器件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有很小占位面积以及 1.2 V 时超低的导通电阻。

随着便携式电子设备的体积越来越小，以及它们功能的不断增加，电源管理电路的可用板面空间会极大减少。为实现消费者对电池充电间隔间的电池运行时间的期望，设计人员需要具有低功耗的更小 MOSFET 封装 — 这恰恰是新型 Vishay Siliconix Si8445DB所具有的特点。

凭借 1.2mm×1.0mm 的超小占位面积，Si8445DB比业界大小仅次于它的器件小20%，同时具有 0.59mm 的相同超薄厚度。Si8445DB具有 1.2V VGS时 0.495Ω～4.5V VGS时 0.084 Ω的低导通电阻范围。1.2 V 时的低导通电阻额定值降低了对电平位移电路的需求，从而节约了便携式电子设计中的空间及功率。

该新器件的典型应用将包括手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话等便携式设备中的低阈值负载开关、充电器开关及电池管理。

目前，该新型 MICRO FOOT 芯片级功率 MOSFET 的样品与量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 10～12 周。

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