取决於半导体的材料Si(0.5-0.7)Ge(0.2-0.3)还有其他化合物半导体
当工作在截止区时Ic为微安或纳安级,必要时是必须考虑,一般忽略
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二极管和三极管是完全不同的元器件,但是在结构上却存在非常类似的地方:都是由P型半导体和N型半导体构成的。1、二极管
二极管是由P型半导体和N型半导体构成,在P型半导体上引出的电极为阳极,在N型半导体上引出的电极为阴极,具有单向导电特性。在阳极和阴极上加入一定的正向电压后,二极管导通;在阳极和阴极上加入反向电压后,二极管截止。二极管在导通时会产生一定的电压降,硅管一般在0.7V左右;锗管一般在0.2V左右。
二极管应用广泛,如用在电源电路中起到直流电源的防反接作用;用在整流电路中起到整流作用等。
2、三极管
三极管也是由N型半导体和P型半导体构成的,是一个三层结构。根据半导体结构的不同可以分为NPN三极管和PNP三极管,分别具有三个电极:基极b、发射极e以及集电极c。具有三个工作状态:分别为:截止区、线性放大区以及饱和区。根据不同的工作区域,既可以用作开关又可以用作信号放大。
三极管的三种状态也叫三个工作区域,即:截止区、放大区和饱和区。(1)、截止区:三极管工作在截止状态,当发射结电压Ube小于0.6—0.7V的导通电压,发射结没有导通集电结处于反向偏置,没有放大作用。(2)、放大区:三极管的发射极加正向电压,集电极加反向电压导通后,Ib控制Ic,Ic与Ib近似于线性关系,在基极加上一个小信号电流,引起集电极大的信号电流输出。(3)、饱和区:当三极管的集电结电流IC增大到一定程度时,再增大Ib,Ic也不会增大,超出了放大区,进入了饱和区。饱和时,Ic最大,集电极和发射之间的内阻最小,电压Uce只有0.1V~0.3V,Uce<Ube,发射结和集电结均处于正向电压。三极管没有放大作用,集电极和发射极相当于短路,常 与截止配合于开关电路。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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