第三代半导体SIC行业投资机会分析：10年20倍成长

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1.1 第三代半导体 SIC 材料的性能优势

SIC 材料具有明显的性能优势。 SiC 和 GaN 是第三代半导体材料，与第一 二代半导体材料相比，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率等 性能优势，所以又叫宽禁带半导体材料，特别适用于 5G 射频器件和高电压功率 器件。

1.2 SIC 器件的性能优势

SIC 的功率器件如 SIC MOS，相比于 Si 基的 IGBT，其导通电阻可以做的更 低，体现在产品上面，就是尺寸降低，从而缩小体积，并且开关速度快，功耗相 比于传统功率器件要大大降低。

在电动车领域，电池重量大且价值量高，如果在 SIC 器件的使用中可以降低 功耗，减小体积，那么在电池的安排上就更游刃有余；同时在高压直流充电桩中 应用 SIC 会使得充电时间大大缩短，带来的巨大 社会 效益。

根据 Cree 提供的测算: 将纯电动车 BEV 逆变器中的功率组件改成 SIC 时, 大 概可以减少整车功耗 5%-10%；这样可以提升续航能力，或者减少动力电池成本。

1.3.制约产业发展的主要瓶颈在于成本和可靠性验证

行业发展的瓶颈目前在于 SIC 衬底成本高： 目前 SIC 的成本是 Si 的 4-5 倍， 预计未来 3-5 年价格会逐渐降为 Si 的 2 倍左右，SIC 行业的增速取决于 SIC 产业 链成熟的速度，目前成本较高，且 SIC 器件产品参数和质量还未经足够验证；

SIC MOS 的产品稳定性需要时间验证： 根据英飞凌 2020 年功率半导体应用 大会上专家披露，目前 SiC MOSFET 真正落地的时间还非常短，在车载领域才刚 开始商用（Model 3 中率先使用了 SIC MOS 的功率模块），一些诸如短路耐受时 间等技术指标没有提供足够多的验证，SIC MOS 在车载和工控等领域验证自己的 稳定性和寿命等指标需要较长时间。

1.4 SIC 产业链三大环节

SIC 产业链分为三大环节：上游的 SIC 晶片和外延→中间的功率器件的制造 （包含经典的 IC 设计→制造→封装三个小环节）→下游工控、新能源车、光伏风 电等应用。目前上游的晶片基本被美国 CREE 和 II-VI 等美国厂商垄断；国内方 面，SiC 晶片商山东天岳和天科合达已经能供应 2 英寸~6 英寸的单晶衬底，且营 收都达到了一定的规模（今年均会超过 2 亿元 RMB）；SiC 外延片：厦门瀚天天 成与东莞天域可生产 2 英寸~6 英寸 SiC 外延片。

2.1 应用：新能源车充电桩和光伏等将率先采用

SiC 具有前述所说的各种优势，是高压/高功率/高频的功率器件相对理想的 材料, 所以 SiC 功率器件在新能源车、充电桩、新能源发电的光伏风电等这些对 效率、节能和损耗等指标比较看重的领域，具有明显的发展前景。

高频低压用 Si-IGBT,高频高压用 SiC MOS,电压功率不大但是高频则用 GaN。 当低频、高压的情况下用 Si 的 IGBT 是最好，如果稍稍高频但是电压不 是很高，功率不是很高的情况下，用 Si 的 MOSFET 是最好。如果既是高频又是 高压的情况下，用 SiC 的 MOSFET 最好。电压不需要很大，功率不需要很大， 但是频率需要很高，这种情况下用 GaN 效果最佳。

以新能源车中应用 SIC MOS 为例， 根据 Cree 提供的测算: 将纯电动车 BEV 逆变器中的功率组件改成 SIC 时, 大概可以减少整车功耗 5%-10%；这样可以提升 续航能力，或者减少动力电池成本。

同时 SIC MOS 在快充充电桩等领域也将大有可为。 快速充电桩是将外部交 流电,透过 IGBT 或者 SIC MOS 转变为直流电, 然后直接对新能源 汽车 电池进行 充电，对于损耗和其自身占用体积问题也很敏感，因此不考虑成本，SIC MOS 比 IGBT 更有前景和需求，由于目前 SIC 的成本目前是 Si 的 4-5 倍，因此会在 高功率规格的快速充电桩首先导入。在光伏领域，高效、高功率密度、高可靠 和低成本是光伏逆变器未来的发展趋势，因此基于性能更优异的 SIC 材料的光 伏逆变器也将是未来重要的应用趋势。

SIC 肖特基二极管的应用比传统的肖特基二极管同样有优势。 碳化硅肖特基 二极管相比于传统的硅快恢复二极管（SiFRD），具有理想的反向恢复特性。在 器件从正向导通向反向阻断转换时，几乎没有反向恢复电流，反向恢复时间小 于 20ns，因此碳化硅肖特基二极管可以工作在更高的频率，在相同频率下具有 更高的效率。另一个重要的特点是碳化硅肖特基二极管具有正的温度系数，随 着温度的上升电阻也逐渐上升，这使得 SIC 肖特基二极管非常适合并联实用， 增加了系统的安全性和可靠性。

2.2 空间&增速：SIC 器 件 未来 5-10 年复合 40%增长

IHS 预计未来 5-10 年 SIC 器件复合增速 40%： 根据 IHSMarkit 数据，2018 年碳化硅功率器件市场规模约 3.9 亿美元，受新能源 汽车 庞大需求的驱动，以及光伏风电和充电桩等领域对于效率和功耗要求提升， 预计到 2027 年碳化硅功率器件的市场规模将超过 100 亿美元，18-27 年 9 年的复合增速接近 40%。

SIC MOS 器件的渗透率取决于其成本下降和产业链成熟的速度 ，根据英飞凌和国内相关公司调研和产业里的专家的判断来看，SIC MOS 渗透 IGBT 的拐点可能在 2024 年附近。预计 2025 年全球渗透率 25%，则全球有 30 亿美金 SIC MOS 器件市场，中国按照 20%渗透率 2025 年则有 12 亿美金的 SIC MOS 空间。 即不考虑SIC SBD 和其他 SIC 功率器件，仅测算替代 IGBT 那部分的 SIC MOS 市场预计2025 年全球 30 亿美金，相对 2019 年不到 4 亿美金有超过 7 倍成长，且 2025-2030 年增速延续。

2.3 格局：SIC 器件的竞争格局

目前，碳化硅器件市场还是以国外的传统功率龙头公司为主 ，2017 年全球市场份额占比前三的是科锐，罗姆和意法半导体，其中 CREE 从 SIC 上游材料切入到了 SIC 器件，相当于其拥有了从上游 SIC 片到下游 SIC 器件的产业链一体化能力。

国内的企业均处于初创期或者刚刚介入 SIC 领域 ，包括传统的功率器件厂商华润微、捷捷微电、扬杰 科技 ，从传统的硅基 MOSFET、晶闸管、二极管等切入 SIC 领域，IGBT 厂商斯达半导、比亚迪半导体等，但国内 当前的 SIC 器件营收规模都比较小 （扬杰 科技 最新披露 SIC 营收 2020 年上半年 19.28 万元左右）；

未上市公司和单位中做的较好的有前面产业链总结中提到的一些，包括：

泰科天润： 可以量产 SiC SBD，产品涵盖 600V/5A～50A、1200V/5A～50A 和1700V/10A 系列；并且早在 2015 年，泰科天润就宣布推出了一款高功率碳化硅肖特基二极管产品，是从事 SIC 器件的较纯正的公司；

中电科 55 所： 国内从 4-6 寸碳化硅外延生长、芯片设计与制造、模块封装实现全产业链的单位；

深圳基本半导体 ：成立于 2016 年，由清华大学、浙江大学、剑桥大学等国内外知名高校博士团队创立，专注于 SIC 功率器件，也是深圳第三代半导体研究院发起单位之一，目前已经开始推出其 1200V 的 SiC MOSFET 产品。

3.1 天科合达

天科合达是国内第三代半导体材料 SIC 晶片的领军企业： 公司成立于 2006 年 9 月 12 日，2017 年 4 月至 2019 年 8 月在全国股转系统挂牌转让，2020 年 7 月拟在科创板市场上市。

公司成长速度极快，2017-2019 年公司收入由 0.24 亿增长至 1.55 亿元，两年 复合增长率 154%。

营收构成：SIC 晶片占比约为一半

公司营收由三部分构成：碳化硅晶片占比 48.12%，宝石等其他碳化硅产品 占比 36.65%，碳化硅单晶生长炉占比 15.23%。

设备自制：从设备到 SIC 片一体化布局

公司以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT）生长 碳化硅晶体，加工制成碳化硅晶片；其中的碳化硅晶体的生长设备-碳化硅单晶 生长炉公司也能完成自制并对外销售。

行业格局与公司地位

公司地位：2018 年，以导电型的 SIC 来看，天科合达以 1.7%的市场占有率 排名全球第六，排名国内导电型碳化硅晶片第一。

3.2 山东天岳

1、半绝缘 SIC 片的领军企业： 公司成立于 2010 年，专注于碳化硅晶体衬底 材料的生产；公司产品主要在半绝缘型的 SIC 片。公司投资建成了第三代半导 体材料产业化基地，具备研发、生产国际先进水平的半导体衬底材料的软硬件 条件，是我国第三代半导体衬底材料行业的先进企业。

2、成长能力： 据了解，公司收入从 2018 年收入 1.1 亿左右增加至 2019 年超 过 2.5 亿总收入（其中也有约一半是 SIC 衍生产品宝石等），同比增长 100%以 上。公司的 SIC 片主要集中在半绝缘型，而天科合达主要集中在导电型。

3、华为入股： 华为旗下的哈勃 科技 投资持股山东天岳 8.17%。

4、生产能力（ 公司采用的是长晶炉的数量进行表征）：山东天岳的产能主 要由长晶炉的数量决定，2019 年产线上长晶炉接近 250 台，销售衬底约 2.5 万 片，预计年底前再购置一批长晶炉，目标增加至 550 台以上；

5、销售价格： 2018 、2019 年公司衬底平均销售价格大数大约在 6300 元/ 片、8900 元/片，预计今年的平均价格将会突破 9000 元，价格变动的主要原因 是 2,3 寸小尺寸衬底、N 型等相对低价的衬底销售占比逐步降低，高值的 4 寸 高纯半绝缘产品占比逐步提升导致单位售价提高。

6、技术实力： 山东天岳的碳化硅技术起源于山东大学晶体国家重点实验 室，公司于 2011 年购买了该实验室蒋明华院士专利，并投入了大量研发，历经 多年工艺积累，将碳化硅衬底从实验室的技术发展成为了产业化技术；山东天 岳除 30 人的研发团队外，还在海外设有 6 个联合研发中心；公司拥有专利近300 项，其中先进发明专利约 50 多项，先进实用性专利约 220 项，申请中的 发明专利约 50 多项。

3.3 斯达 半导

1、斯达 半导 97.5%的收入均是 IGBT， 是功率半导体已上市公司中最纯正的 IGBT 标的，2019 收入 7.8 亿（yoy+15.4%），归母净利润 1.35（yoy+39.8%）， IGBT 模块全球市占率 2%，排名全球第八；

2、斯达半导在积极进行第三代半导体 SIC 的布局。 公司 SiC 相关的产品 和技术储备在紧锣密鼓的进行：

3、公司在未来重点攻关技术研发与开发计划：

主要提到三项重要产品开发：1、全系列 FS-Trench 型 IGBT 芯片的研 发；2、新一代 IGBT 芯片的研发；3、SiC、GaN 等前沿功率半导体产品的研 发、设计及规模化生产：公司将坚持 科技 创新，不断完善功率半导体产业布 局，在大力推广常规 IGBT 模块的同时，依靠自身的专业技术，积极布局宽禁 带半导体模块（SiC 模块、 GaN 模块），不断丰富自身产品种类，加强自身竞 争力，进一步巩固自身行业地位。

4、公司和宇通客车等客户合作研发 SIC 车用模块

2020 年 6 月 5 日，客车行业规模领先的宇通客车宣布，其新能源技术团队 正在采用斯达半导体和 CREE 合作开发的 1200V SiC 功率模块，开发业界领先 的高效率电机控制系统，各方共同推进 SiC 逆变器在新能源大巴领域的商业化应 用。

宇通方面表示，“斯达和 CREE 在 SiC 方面的努力和创新，与宇通电机控 制器高端化的产品发展路线不谋而合，同时也践行了宇通“为美好出行”的发 展理念，相信三方在 SiC 方面的合作一定会硕果累累。”

我们在之前发布的斯达半导深度报告中测算斯达在不同 SIC 渗透率和不同 SIC 市占率情境下 2025 年收入d性，中性预计 2025 年斯达在国内的 SIC 器件市 占率为 6-8%。 预计 2023-2024 年国内 SIC 产业链如山东天岳、三安光电等更加成 熟后，SIC 将迎来替代 IGBT 拐点，但是 IGBT 和 SIC MOS 等也将长期共存，相 信国内的技术领先优质的 IGBT 龙头斯达半导能够不断储备相关技术和产品， 积 极拥抱迎接这一行业创新。

3.4 三安光电

1、公司主要从事化合物半导体材料的研发与应用， 以砷化镓、氮化镓、碳 化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及的外延片、芯片为核心 主业，产品主要应用于照明、显示、背光、农业、医疗、微波射频、激光通 讯、功率器件、光通讯、感应传感等领域；

2、公司主业 LED 芯片，占公司营收的 80%以上，LED 是基于化合物半导 体的光电器件，在衬底、外延和器件环节具有技术互通性；

3、公司专注于化合物半导体的子公司三安集成，2019 年业务与同期相比呈 现积极变化：

1）射频业务产品应用于 2G-5G 手机射频功放 WiFi、物联网、路由器、通 信基站射频信号功放、卫星通讯等市场应用，砷化镓射频出货客户累计超过 90 家，客户地区涵盖国内外；氮化镓射频产品重要客户已实现批量。生产，产能 正逐步爬坡；

2）2020 年 6 月 18 日公司公告，三安光电决定在长沙高新技术产业开发区 管理委员会园区成立子公司投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导 体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产 业链，投资总额 160 亿元，公司在用地各项手续和相关条件齐备后 24 个月内完成一期项目建设并实现投产，48 个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产，72 个月内实现达产；

3） 三安集成推出的高功率密度碳化硅功率二极管及 MOSFET 及硅基氮化 镓 功率器件主要应用于新能源 汽车 、充电桩、光伏逆变器等电源市场，客户累计超过 60 家， 27 种产品已进入批量量产阶段。

4） 三安集成 19 年实现销售收入 2.41 亿元，同比增长 40.67%； 三安集成产品的认可度和行业趋势已现，可以预见未来在第三代材料 SiC/GaN 的功率半导体中发展空间非常广阔。

3.5 华润微

1、公司是中国领先的拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化经营能力的半导体企业 ，产品聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领域；

2、产品与制造并行： 公司 2019 年收入 57 亿元，其中产品与方案占比43.8%，制造与服务占比 55%，制造与服务业务主要是晶圆制造和封测业务；产品与方案主体主要是功率半导体，占比 90%，包括 MOSFET、IGBT、SBD 和FRD 等产品；

3、公司目前拥有 6 英寸晶圆制造产能约为 247 万片/年，8 英寸晶圆制造产能约为 133 万片/年，具备为客户提供全方位的规模化制造服务能力；

4、SIC 领域积极布局：在 2020 年 7 月 4 日，公司进行了 SIC 产品的发布会，发布了全系列的 1200V/650V 的 SIC 二极管产品，公司有望通过 IDM 模式在 SIC 材料的各个功率半导体产品领域深耕并持续受益于产品升级和国产替代。

3.6 捷捷微电

1、公司是国内晶闸管龙头，持续布局 MOSFET 和 IGBT 等高端功率半导体器件。 按照公司年报口径，2019 年功率分立器件收入占比 75%，功率半导体芯片收入占比 23%； 公司的功率分立器件，50%左右业务是晶闸管 （用于电能变换与控制），还有部分二极管业务，其余是防护器件系列（主要作用是防浪涌冲击、防静电的电子产品内部，保护内部昂贵的电子电路）；

2、公司于 2020 年 2 月 27 日与中芯集成电路制造(绍兴)有限公司（简称“SMEC”）签订了《功率器件战略合作协议》，在 MOSFET、IGBT 等相关高端功率器件的研发和生产领域展开深度合作；公告披露，捷捷微电方保证把SMEC 作为战略合作伙伴，最大化的填充 SMEC 产能，2020 年度总投片不低于80000 片，月度投片不低于 7000 片/月。

3、公司长期深耕晶闸管和二极管等分立器件，这些客户和 MOSFET 和IGBT 等相关高端功率器件有重叠， 公司从晶闸管领域切入到 MOS 后，在这两个产品大类上也将积极应用第三代半导体 SIC，为后续提升自身器件性能和产品竞争力做好准备。

3.7 扬杰 科技

1、公司是产品线较广的功率分立器件公司 。公司产品主要包括功率二极管、整流桥、大功率模块、小信号二三极管，MOSFET，也有极少部分的 IGBT 产品。按照公司年报口径，2019 年功率分立器件收入占比 80%，功率半导体芯片收入占比 13.8%，半导体硅片业务占比 4.55%。

2、公司第三代半导体 SIC 器件 目前收入较少。公司积极布局高端功率半导体，筹备建立无锡研发中心，和中芯国际（绍兴）签订保障供货协议 ，持续扩充 8 寸 MOS 产品专项设计研发团队，已形成批量销售的 Trench MOSFET 和SGT MOS 系列产品。

3、SIC 产品目前占比小： 公司 2020 年 9 月公告，目前主营产品仍以硅基功率半导体产品为主， 第三代半导体产品的销售收入占比较小， 2020 年 1-6 月，公司碳化硅产品的销售收入为 19.28 万元。

4、我们认为同捷捷微电一样，公司是中低端功率器件利基市场龙头，虽然目前 SIC 产品的占比较小，主要是由于国内产业链成熟度的拐点刚刚到来；未来公司将积极布局各种基于 SIC 材料的功率器件，从而提高其产品性能并实现市场占有率持续稳步提升，打开业务天花板和想象空间。

3.8 露笑 科技

1、传统主业是 电磁线产品： 公司是专业的节能电机、电磁线、涡轮增压器、蓝宝长晶片研发、生产、销售于一体的企业，公司主要产品有各类铜、铝芯电磁线、超微细电磁线、小家电节能电机、无刷电机、数控电机、涡轮增压器和蓝宝石长晶设备等产品。 公司是国内主要电磁线产品供应商之一，也是国内最大的铝芯电磁线和超微细电磁线产品生产基地之一。

2、SIC 长晶设备已经开始对外供货： 露笑 科技 基于蓝宝石技术储备，经过多年研发已快速突破碳化硅工艺壁垒，在蓝宝石基础上布局碳化硅长晶炉和晶片生产。碳化硅跟蓝宝石从设备、工艺到衬底加工有较强的共同性和技术基础，例如精确的温场控制、精确的压力控制、精确的籽晶晶向生长以及基片加工等壁垒。 公司在多年蓝宝石生产技术支持下成功研发出碳化硅自主可控长晶设备，并在 2019 年开始对外供货 SIC 长晶设备。

4、公司布局 SIC 的人才优势： 公司引进具有二十多年碳化硅行业从业经验的技术团队，开展碳化硅衬底及外延技术研究，加码布局碳化硅产业。2020 年 4月，公司发布非公开募集资金公告，拟募集资金总额不超过 10 亿元，用于新建碳化硅衬底片产业化项目、碳化硅研发中心项目和偿还银行贷款。 随着公司碳化硅产品研发并量产，公司有望取得一定的市场份额。

5、与合肥合作打造第三代半导体 SIC 产业园： 2020 年 8 月 8 日与合肥市长丰县人民政府在合肥市政府签署《合肥市长丰县与露笑 科技 股份有限公司共同投资建设第三代功率半导体（碳化硅）产业园的战略合作框架协议》。包括但不限于碳化硅等第三代半导体的研发及产业化项目，包括碳化硅晶体生长、衬底制作、外延生长等的研发生产，项目投资总规模预计 100 亿元。

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（报告观点属于原作者，仅供参考。作者：华安证券，尹沿技）

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DSP与CPU被公认为芯片工业的两大核心技术。国内CPU产品研发水平最高的以“龙芯”为代表，DSP以“汉芯为代表。专家指出，从2000年开始，我国每年就使用近100亿元的国外DSP芯片，到2005年前我国DSP市场的需求量在30亿美元以上，年增长将达到40％以上。

[1]、综艺股份（600770）：

公司参股49％的北京神州龙芯集成电路设计有限公司(和中科院计算技术研究所于02年8月共同设立，注册资本1亿元)，从事开发、销售具有自主知识产权的“龙芯”系列微处理器芯片等。龙芯1号、2号的推出，打破了我国长期依赖国外CPU产品的无"芯"的历史。世界排名第五的集成电路生产厂商意法半导体公司已决定购买龙芯2E的生产和全球销售权。目前龙芯课题组正进行龙芯3号多核处理器的设计，具有突出的节能、高安全性等优势。

[2]、大唐电信（600198）：

公司控股95％的子公司大唐微电子是国内EMV卡的真正龙头，具有EMV卡芯片自主设计能力，具备完全的知识产权，芯片产品获得EMV认证的进展至少领先国内竞争对手1.5年。因此，一旦国内EMV卡大规模迁移启动，公司将最先受益，并有望随市场一起爆发性增长，从而推动公司业绩增长超出预期。

[3]、同方股份（600100）：

公司控股86％子公司北京同方微电子有限公司（简称“同方微电子”），是清华控股有限公司和同方股份有限公司共同组建的专业集成电路设计公司，同方微电子主要从事集成电路芯片的设计、开发和销售，并提供系统解决方案。 目前主要产品为智能卡芯片及配套系统，包括非接触式存储卡芯片、接触和非接触的CPU卡芯片及射频读写模块等。公司成功承担了国家第二代居民身份z专用芯片开发及供货任务，是主要供货商之一。 公司控股55％子公司清芯光电股份有限公司是一家生产高亮度GaN基LED外延片、芯片的高科技企业，产品质量达到世界先进水平。公司以掌握高亮度LED最新核心技术的国际化团队为核心，以清华大学的技术力量及各种资源为依托，打造世界一流光电企业。公司具有自行设计、制造LED外延生长的关键设备－MOCVD的能力。

[4]、ST沪科（600608）：

公司控股70.31％子公司苏州国芯科技有限公司是中国信息产业部与摩托罗拉公司在中国合作的结晶，接受摩托罗拉先进水平的低功耗、高性能32位RISC嵌入式CPU M*Core? 技术及其SoC设计方法以高起点建立苏州国芯自主产权的32位RISCC*Core?。在M*Core M210/M310的基础上自主研发了具有自主知识产权的C*Core?系列32位CPU核C305/C310/CS320/C340/C340M；建立了以C*Core?为核心的C*SoC100/200/300设计平台；并获得多项国家专利和软件著作权。公司控股75％子公司上海交大创奇微系统科技有限公司主营微电子集成电路芯片与系统，电子产品，通讯设备系统的设计，研发，生产，销售，系统集成，计算机软件的开发，32位DSP是交大研究中心和交大创奇联合开发，而16位DSP是由研究中心开发，交大创奇负责产业化。

（二）、芯片制造

[1]、张江高科（600895）：

2003年8月22日，张江高科发布公告称公司已通过境外全资子公司WLT以1.1111美元/股的价格认购了中芯国际4500万股A系列优先股，约占当时中芯国际股份的5％。2004年3月5日，张江高科再次发布公告，披露公司全资子公司WLT以每股3.50美元的价格再次认购中芯国际3428571股 C系列优先股，此次增资完成后公司共持有中芯国际A系列优先股45000450股，C系列优先股3428571股。中芯国际在内地芯片代工市场中已占到50％以上的份额，是目前国内规模最大、技术最先进的集成电路制造公司，它到2003年上半年已跃居全球第五大芯片代工厂商。

[2]、上海贝岭（600171）：

公司是我国集成电路行业的龙头，主营集成电路的设计、制造和技术服务，并涉足硅片加工、电子标签及指纹认证等领域。公司拥有较多自主知识产权，2002年以来至今申请和授权的知识产权超过220项。形成了芯片代工、设计、应用，系统设计的产业链。公司投入巨资建成8英寸0.25微米的集成电路生产线，并且还联手大股东华虹集团成立了上海集成电路研发中心，对提升公司竞争力有较好的帮助。上海华虹NEC是世界一流水平的集成电路制造企业，拥有目前国际上主流的0.25及0.18微米芯片加工技术，是国家“909”工程的核心项目，具备相当实力。

[3]、士兰微（600460）：

公司是国内集成电路设计行业的龙头，仅次于大唐微电子排名第二，公司已掌握和拥有的技术可从事中高端产品的开发，核心技术在国内同行业中处于较高水平，具有明显的竞争优势。公司拥有集成电路领域利润最为丰厚的两块业务-芯片设计与制造，具有设计与制造的协同优势。目前专业从事CMOS、BiCMOS以及双极型民用消费类集成电路产品的设计、制造和销售。公司研发生产的集成电路有12大类100余种，年产集成电路近2亿只。公司已具备了0.5-0.6微米的CMOS芯片的设计能力，有能力设计20万门规模的逻辑芯片

[4]、方大A（000055）：

十五期间，方大承担并完成国家半导体照明产业化重大科技攻关项目，开发并研制成功的Tiger系列半导体照明芯片被列为国家重点新产品。方大建有深圳市半导体照明工程研究和开发中心。十一五期间，承担国家“863”半导体照明工程重大项目“高效大功率氮化镓LED芯片及半导体照明白光源制造技术”、广东省科技计划项目“氮化镓基蓝光外延片表面粗化的金属有机物气相沉积生长技术”和深圳市科技计划项目“80密耳半导体照明用蓝光LED芯片的研制”等。

[5]、华微电子（600360）：

公司是国内功率半导体器件的龙头企业，通过自有品牌的运作方式，公司已完成了从芯片制造、封装、销售的整个产业链的布局，公司目前的几种主要器件产品均在国内市场有较高的占有率，这些都将有助于公司较同行更能抵御行业整体波动的影响。节能灯替代白炽灯的步伐进一步加快，公司作为国内节能灯用功率器件主要供应商，将受益于国内节能灯行业的发展。同时，公司6英寸MOSFET生产线已通线试产，实现进口替代的各种条件基本成熟。

[6]、四川长虹（600839）：

公司已形成了集数字电视、空调、冰箱、IT、通讯、数码、网络、商用系统电子等产业一体的多元化、综合型跨国企业集团。2009年2月3日国家商务部、财政部开展的“家电下乡”招投标项目中标结果公布，四川长虹第三次夺得大满贯，公司彩电、冰箱、冰柜、手机、洗衣机等70个投标产品全部中标，中标率100％。公司研制成功拥有自主知识产权SOC（阿波罗1号）芯片，标志着公司在超大规模集成电路音视频处理领域达到国际先进水平。

[7]、海信电器（600060）：

公司控股79.68％的子公司海信信芯科技有限公司是海信集团旗下以数字电视芯片为主业的高科技子公司，2005年6月，“Hiview信芯”问世，可广泛应用于各类平板电视、CRT电 视、各类背投电视、显示器设备中。这款芯片陆续获得30多项专利(其中发明专利9项)，所有的这些专利技术全部具备自主知识产权。

[8]、深康佳A（000016）：

公司是国内彩色电视著名品牌之一，在高清液晶和国产平板电视领域的市场份额遥遥领先。深康佳日前正式发布全新的品类电视-网睿TV，以智能互动、全能升级等为核心卖点，集家庭娱乐、个人体验为一体，领衔平板电视集体回归家庭娱乐中心。网睿TV配置了康佳自主研发的“睿芯”技术，其是业内首创、系统集成传统电视芯片MSD209、网络处理芯片CC1203以及国标地面数字电视芯片LGS-8G52于一体

（三）、芯片封装测试

[1]、通富微电（002156）：

公司主要从事集成电路的封装测试业务，是国内目前实现高端封装测试技术MCM、MEMS量化生产的封装测试厂家，技术实力居领先地位。公司为IC封装测试代工型企业，以来料加工形式接受芯片设计或制造企业的委托订单，为其提供封装测试服务，按照封装量收取加工费，其IC封测规模在内资控股企业中居于前列。

[2]、长电科技（600584）：

公司是我国半导体第一大封装生产基地，国内著名的晶体管和集成电路制造商，产品质量处于国内领先水平。已拥有与国际先进技术同步的IC三大核心技术研发平台，形成年产集成电路75亿块、大中小功率晶体管250亿只、分立器件芯片120万片的生产能力，已成为中国最大的半导体封测企业，正全力挤身世界前五位，公司部分产品被国防科工委指定为军工产品，广泛应用于航空、航天、军事工程、电子信息、自动控制等领域。

[3]、华天科技（002185）：

公司主要从事半导体集成电路、半导体元器件的封装测试业务，是国内重点集成电路封装测试企业之一。公司的封装能力和技术水平在内资企业中位居第三，为我国西部地区最大的集成电路封装基地和富有创新精神的现代化高新技术企业。公司被评为我国最具成长性封装测试企业，受到了政策税收的大力支持，自主开发一系列集成电路封装技术，进军集成电路封装高端领域。

[4]、太极实业（600667）：

太极实业与韩国海力士的合作，通过组建合资公司将使公司进入更具成长性和发展前景的半导体集成电路产业，也为公司未来的产业结构转型创造了契机。投资额为3.5亿美元的海力士大规模集成电路封装测试项目，建成后可形成每月12万片12英寸晶圆测试和7500万片12英寸晶圆封装的生产配套能力。太极实业参与该项目，将由现在单一的业务模式转变为包括集成电路封装测试在内的双主业模式。

[5]、苏州固锝（002079）：

公司的主要产品为各类半导体二极管（不包括光电二极管），具备全面的二极管晶圆、芯片设计制造及二极管封装、测试能力,保持国内半导体分立器件行业前10名、二极管分行业领先地位。公司加大技术含量和毛利率更高的产品---QFN封装产品的投入，使公司逐步从单纯的半导体分立器件的生产企业向集成电路封装企业转变。公司是国内最早从事QFN封装研究并实现产业化的企业，目前能够生产各种QFN/DFN封装的集成电路产品，是国内最大的QFN/DFN集成电路封装企业。

(品股吧pingu8.com整理)

（四）芯片相关

[1]、康强电子（002119）：

公司主要从事半导体封装用引线框架和键合金丝的生产，公司引线框架的销量行业第一，键合金丝销量行业第二，全国的覆盖率高达60％，是电子领域中细分龙头。公司的集成电路框架及电力电子器件框架、表面贴装元器件框架和TO-92、TO-3P等分立器件框架，产销规模连续十一年居国内同行第一，具业内领先地位。

[2]、三佳科技（600520）：

公司主营半导体集成电路专用模具和化学建材专用模具的设计、研发及生产，是两市唯一的模具制造上市公司，具有独特的行业优势。公司生产的集成电路塑封模具和塑料异型材挤出模具产销量均为全国第一，国内市场占有率分别为15％和30％以上。现拥有年产化学建材挤出模具1500套、挤出下游设备100套/台、半导体塑封压机200台、半导体塑封模具200副、半导体自动化（切筋成型）封装系统60台、集成电路引线框架40亿只的生产能力。

[3]、有研硅股（600206）：

公司是国内具有国际先进水平的半导体材料研究、开发、生产重要基地，技术力量雄厚，公司先后研制出了我国第一根6英寸、8英寸和12英寸硅单晶，使我国成为世界上少数几个具有拉制12英寸硅单晶技术的国家之一

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