有关半导体激光器的特性的问题？

半导体激光器(LaserDiodLD及其阵列（LaserDiodArraiLDA 由于具有体积小、重量轻、发光效率高和易调制、容易集成等优点被认为是最有前景的激光器。

大功率半导体激光器要求激光器非单发光区结构而是由这些单发光区遵照某一规则排列成线阵（BA RCHIPS或面阵（STA CKEDARRA Y.

半导体激光器的特殊结构使得它发散角较大，而且存在着像散，给使用带来了很多不便，制约半导体激光器应用。除了极少数的应用，如DPL正面外，大多数应用，如半导体激光器泵浦的全固态激光器（DPSSL端面、光纤激光器以及要求较高的正面泵浦激光器都要求对LDA 光束进行整形，形成小芯径、小数值孔径、高亮度的光纤耦合激光输出。较早的方法是将一根光纤和LDA 每一个发光区一一对应，形成一捆光纤束。这种方法在大功率时须采用一大捆光纤束而光亮度并不大，也难于对该光束进行进一步的整形来提高光亮度，因此该方法已趋于淘汰。

IC设计工程师是一个从事集成电路开发设计的职业。随着我国IC设计产业渐入佳境，越来越多的工程师加入到这个新兴产业中。成为IC设计工程师所需门槛较高，往往需要有良好的数字电路系统及嵌入系统设计经验，了解ARM体系结构，良好的数字信号处理、音视频处理，图像处理及有一定的VLSI基础。

故而，有很多在校同学希望能够了解企业中IC相关工程师的具体工作内容、技能要求、发展前景等，以增加自己的就业竞争力，同时，还有很多已经拿到offer的IC新人也希望能够增加相关方面知识储备，提前熟悉岗位工作内容，提前做好职业规划。

为此，搞定offer将在本篇文章为大家详细揭秘集成电路设计岗位之数字IC后端攻城狮的工作内容、工作强度等，并为大家提供来自在职前辈的职场心得和建议，希望能够帮助到各位同学。

01 数字IC后端攻城狮

数字IC后端工程师是芯片微观界的建筑师，负责将前端工程师的设计图纸转化为实际的电路结构，并生成符合生产厂家要求的GDS文件。

02 作内容

包括但不仅限于：数字物理设计，综合网表编辑，路径地址解析协议流程的实现，在时序约束合理的情况下完成时序收敛，完成生产厂家设计规则检查等物理设计要求。一般来说，数字IC后端工程师会和模拟IC前端设计人员、厂家技术人员、封装测试技术人员频繁对接。展开来讲，细分为以下方面：

Placement

主要涉及STD cell的拜访，这一步基本是EDA工具根据module的分布进行优化，不过如果时序出现问题还是需要一些人为干预的。

CTS

即时钟树(clock tree，简称CTS)，是驱动电路中的时序单元，一般情况下会使用平衡树（balance tree，简称BTS）。但是随着涉及频率越来越高，现在一些逻辑较深的路径也经常采用useful skew技术。

03

Route

即绕线，一般是在满足生产厂家设计规则检查的条件下，由EDA工具完成自动布局布线。随着技术的发展和成熟，EDA工具可以对关键时序路径进行layer promotion的优化，使用更少延迟的高层metal优化时序。

RC/STA/DRC/LVS/Formal

为了得到能实际交付生产的文件，需要在给定的时序约束下不断迭代优化时序，并且执行设计规则检查，版图网表一致性检查，优化后网表功能一致性检查等多项任务。

03

基础理论知识包括CMOS相关知识、半导体基本原理、数字电路设计知识等。

必备工具包括EDA工具中的workshop和UserGuide以及shell或python等脚本语言。

此外，为构建自己的优势技术壁垒，还需深入学习STA原理；知道uncertainty/setup/holdup time时序相关知识；了解一些模拟射频IP的特殊要求例如PLL、SENSOR等；熟悉高速IO的设计、包房、封测的要求；清楚一些常用IP的典型函数式设计程序或数据流例如ARM core、PCIE、DDR。

为区别于普通后端工程师，最好能够深入学习power planing；知道如何实现不同test mode下的test ability/coverage；了解如何筛片以减少封测成本；熟悉如何从timing、power或其他层面提高芯片良率。

04

主要取决于项目时间周期，基于数字IC后端的特点，通常流片前夕是工作强度最大的时期，因为数字IC后端工程师的工作进度将会严重影响能否按时递交版图和产品。

虽然大公司的flow相对完善，整体loading比较均衡，但是项目中的任何一个细枝末节都会影响整个流片，所以数字IC后端往往难逃任何一个环节失误所造成的schedule delay。

05

数字IC后端是一个高需求高增长的行业。随着芯片产业蓬勃发展、生产规模日益扩大、芯片集成日益复杂，社会对数字IC后端设计人员的需求势必水涨船高，因此工作机会很多，跳槽非常容易。

一般来说，后端设计入门容易精进很难，由于后端设计参与流程较多，因此相比前端设计更具通用性，但是想要做到独挡一面，尚需不断积累，适合不断深入，沿着技术专家的发展路径走下去。不过如果对设计、IP、封装、测试、工艺等均有涉猎，也可转型PMO或者自主创业。

06

前辈建议

打好基础，注重积累理论知识、注重实践、积极主动、多请教、多学习。

能代换的有很多，比如IRF3205、3710、3805，不过与13007不同，它是高压三极管。

【补充】：

如图为场效应管实物图

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。

由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。

FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。

【举例】：VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。

【参考资料】：http://baike.baidu.com/link?url=i94VJxQtgYq_6J1K1ZUpA97O3yPy0Zy1DN7j5GP-vhFDGBR9f_oeFU2qrMmQqtKswzdFgdPm-3EBJ89xSta1l_

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