GCT的种类
工程硕士、农业推广硕士、兽医硕士、风景园林硕士、汉语国际教育硕士、翻译硕士、高校教师、中职教师
GCT的报考条件
具备以下条件之一的在职工程技术或工程管理人员，或在学校从事工程技术与工程管理教学的教师可以报考： 1、获得学士学位三年（含）以上（一般截止到报考当年7月31日）。 2、获得国民教育序列大学本科毕业z书四年（含）以上（一般截止到报考当年7月31日）。 报考电子与通信工程、控制工程、计算机技术等领域的考生可不受年限的限制，入学前未达到上述年限要求而被录取为工程硕士生的，需在修完研究生课程并从事工程实践两年以上，结合工程任务完成学位论文（设计），方可进行硕士学位论文（设计）答辩。报考集成电路工程、软件工程领域的考生可不受年限的限制，被录取为工程硕士生的，在修完研究生课程并结合集成电路工程或软件工程任务完成学位论文（设计）后，方可进行硕士学位论文（设计）答辩。
兽医硕士报考条件
满足下列条件之一的具有动物医疗、动物检疫、动物保护、畜牧生产、兽医执法相关实践经验的在职人员可以报考： 1、报考当年7月31日前国民教育序列大学本科毕业并取得毕业z书（一般应有学士学位）。 2、国民教育序列大学专科毕业并取得毕业z书三年（含）以上（一般截止到报考当年7月31日）。 录取国民教育序列大学专科毕业的人数，不应超过本单位当年录取总人数的10%。 符合报考条件的人员，资格审查表由所在单位人事部门填写推荐意见。
风景园林硕士报考条件
报考当年7月31日前国民教育序列大学本科毕业并取得毕业z书（一般应有学士学位），具有风景园林规划设计、保护、建设与管理相关实践经验的在职人员。 符合报考条件的人员，资格审查表由所在单位人事部门填写推荐意见。
汉语国际教育硕士报考条件
报考当年7月31日前国民教育序列大学本科或本科以上毕业并取得毕业z书（一般应有学位证书），热爱汉语国际推广事业，外语水平高，普通话标准，从事对外汉语教学或有志于从事汉语国际推广工作的在职人员。重点招收各级各类学校教师、外语专业毕业的在职人员、回国的国际汉语教师志愿者。 符合报考条件的人员，资格审查表由所在单位人事部门填写推荐意见。
翻译硕士报考条件
报考当年7月31日前国民教育序列大学本科或本科以上毕业并取得毕业z书（一般应有学位证书），具有良好双语基础的在职人员。 符合报考条件的人员，资格审查表由所在单位人事部门填写推荐意见。
高等学校教师报考条件
国民教育序列大学本科或本科以上毕业并取得毕业z书（一般应有学位证书）三年（含）以上（一般截止到报考当年7月31日），从事教学工作满2年的高等院校基础课、公共课（含“两课”、体育教育、艺术教育、国防教育）、专业课教师以及高职、高专院校教师。符合报考条件的人员，资格审查表由所在单位人事部门填写推荐意见。 报考当年7月31日前国民教育序列大学本科或本科以上毕业并取得毕业z书（一般应有学位证书），在高等学校从事一线学生工作满2年的专职辅导员，经所在单位学生工作部门会同人事部门推荐，可报考“思想政治教育（高校辅导员）”专业，其资格审查表须由所在单位学生工作部门和人事部门共同填写推荐意见并加盖两部门公章。 从事国防教育教学的教师，限报厦门大学、武汉大学、武汉理工大学、中南大学、东南大学、西安交通大学的“高等教育学（国防教育）”专业；从事学校安全教育与管理工作的教师，限报武汉大学的“高等教育学（国防教育/学校安全教育与管理）”专业。考生必须报考与本职教学岗位相关的学科、专业。 符合报考条件的人员，资格审查表由所在单位人事部门填写推荐意见。
中等职业学校教师报考条件
国民教育序列大学本科或本科以上毕业并取得毕业z书（一般应有学位证书）三年（含）以上（一般截止到报考当年7月31日），在中等职业学校从事2年以上教学工作，教学水平较高，并具有一定的科研能力的在职教师；或者国民教育序列大学本科或本科以上毕业并取得毕业z书（一般应有学位证书）三年（含）以上（一般截止到报考当年7月31日），在省、地、市级职教教研室（研究所）从事3年以上教研工作的研究人员。 符合报考条件的人员，资格审查表由所在单位人事部门填写推荐意见。
GCT常见问题
1.无学士学位能否报考
工程硕士在招生对于学士学位是有一定要求的，这个要求主要是体现在录取比例上的区别，这里希望能帮助您去更多的了解无学位时在报考工程硕士GCT时的一些需要注意的地方。 无学位：是指没有学士学位，以大学本科学历报考GCT的同学，没拿到学位原因无非是没过英语或者补考太多，也有因学习年限超过规定（自考一般要求4年毕业）丧失申请资格等等。无学位的劣势反映在GCT考试中，是面临录取比例的限制。 录取限额：每年招收无学位的考生不超过10%的限额(其他专业硕士限额不同)，即如果某校招100名，那么其中无学位的同学只能招收10名。学校在录取时一般是把有学位和无学位分开从高到低录取的。
2.GCT成绩百分位
比如2005年GCT成绩为230分，它的百分位为72%，这表示在100名考生中，有72人的成绩比你低(不含缺考)。2005年报考工程硕士的共有67107人，GCT全国平均分为208.7(百分位50.7%)，2004年GCT平均分为212(百分位50.7%)，你可以通过百分位推算出自己的成绩在全国的位置。很多学校2004年录取线190分(百分位28.1%)、2005年录取线188分(百分位30.3%)，由此可以猜测2006年有学位的录取线也应该在30%以上(国家学位办2005年文件中规定高校如果招收百分位处于30%以下的考生必须出具书面说明)。从近两年某高校无学位分数线来看(2004年210分，百分位为48%；2005年230分，百分位为72.3%)，无学位与有学位(2004年190分，2005年190分)之间的分差(2004年20分，2005年40分)有逐渐扩大之势，而报考的人数也在增加(据教育部学位与研究生教育发展中心统计，2005年全国共有21.7万余人报考法律硕士、教育硕士等13个专业学位和高校教师与中等职业学校教师在职攻读硕士学位，报名人数与去年相比增加近4万人。其中，报考人数最多的是工程硕士专业学位，达7.8万余人。首次启动的体育硕士、艺术硕士和风景园林专业学位报名人数分别是2690人、4126人和1033人)，因此没有学士学位的考友们至少要多考40分以上才有保障。(注：各专业硕士的百分位是分类别单列计算的)
3.GCT考试成功的关键是什么
GCT考试考的是综合能力，靠死记硬背去准备是根本没用的，出题很灵活，题目本身不象考研那样难，但对时间和反应速度的要求远高于考研。 重点是快速反应能力，这是考试的关键所在。很多考生考试的感受是，就是觉得题目太多，做也做不完，感觉就像在抢着捡分，选一个答案就能拿两分。 多数考生感觉就是来不及做，其实GCT考的是做题的速度。如果时间充足的话，即使不复习，很多考生拿个300来分都没问题。对考生来说，关键是时间不够用。因此，某种意义上比全日制研究生入学考试还残酷。所以辅导班显得越来越重要。特别是名师的讲解可以起到“事半功倍”的效果。其实这个考试也有投机取巧的技巧，比如一般院校的过关线220分就够了，给大家算一个帐，x+(400-x)*0.25=220，就是说你只要确定能做对160分，其余的题闭着眼睛全蒙同一个答案，也有四分之一的正确率，总分也就够220分了，这也就是客观题的漏洞。但从这个意义上，GCT考试也是不难的，实际上真正做对的只要40%，就可以基本过关了。
4.在职研究生入学考试采用GCT是否合理？
GCT考试的来由与我国工程硕士教育的蓬勃发展紧密相关。随着工程硕士研究生教育的蓬勃发展，2001年底国家成立非全日制研究生入学资格考试研究小组，在借鉴国外研究生选拔方式的基础上，提出了改革我国非全日制硕士研究生入学资格考试的新办法。 所谓借鉴国外研究生选拔方式,实际上主要参照美国举办的GRE标准化考试的例行模式和评估办法,引进并确立了GCT考试,作为以后工程硕士(包括其他专业硕士)的过关考试。 国务院学位办工程硕士入学考试研究小组经过充分的调查研究，提出了两段制考试录取办法，定于2003年开始实施，到目前为止，已经实行了4年。 从实践的情况看，GCT考试是成功的，从考试情况看，GCT考试和国内其他同类考试相比，考场纪律好转，考务效率提高；从录取情况看，录取实际结果与工程硕士研究生入学考试的选拔期望相一致。GCT考试得到了社会的广泛认可。 GCT考试内容是比较合理的，语文、数学、逻辑和外语四大部分都是考的综合基本素质和某些常识性的东西，GCT试题均采用客观选择题，试题知识面覆盖广泛，重点考核考生综合能力水平和反应速度。理论上，这种选拔方式比其他同类考试合理，当然，由于GCT是新生事物，还需要进一步完善和改进。 由于几年来GCT考试的成功实行，继2003年GCT作为工程硕士的入学资格考试后，2004年适用范围除工程硕士外，还增加了农业推广和兽医专业硕士；05、06年相继增加了风景园林硕士，高校教师硕士等，07年新增加了汉语国际教育硕士，翻译硕士，总的趋势逐年增加。
5.GCT复习备考的整体思路？
(1)使用权威的复习参考资料是基础。当然，有时间的话参加权威的考前辅导，可以起到事半功倍的效果。特别是逻辑科目，一是以前没学过，二是这科的解题方法和技巧确实非常重要。 (2)不能轻视任何一科，也不必过分追求任何一科，复习备考时一定要分配好自己的时间和精力。 (3)考前有针对性的训练是有必要的。必须限定时间作完题目，能否按时完成对考试的成败尤为重要。考前模拟实战训练非常重要，一定要控制在3小时内做完4科的模拟试题，从中把握考试的节奏，因为每个考生这4科的基础不一样，通过模拟训练，找出适合自己特点的答题顺序和时间分配方案，从而来确定自己现场考试的时间分配策略。 (4)同时特别要引起大家注意的是，千万不能忽略考场中的科目顺序安排，应该从实际出发，结合自己的思考及心理特点安排好所答的科目顺利，而不至于上考场发懵。先做哪一科，后做哪一科应该有个策略上的考虑。极其重要的一点是，只要把握好考试时间的分布，合理分配时间，就能最大限度地发挥自己的真实水平，就一定能有机会拿高分。
GCT和MBA哪个好需要具体分析：1、要明白两者之间的关系，GCT属于在职研所研修专业的一个考试科目而MBA属于在职研究生所要研修的专业，所以这两者之间是不可相比较的。
2、报考条件及其难易程度不同。参加GCT的考试，则需在每年的十月份，需要满足本科学历且有学位证书以及三年以上工作经验的条件才能报考，而且只有部分的专业是需要参加该考试的，涉及的专业有农业推广、风景园林等等。报考MBA专业的，在一月和十月都可以参加该专业的考试，其中对于参加一月份的学员的要求比较高同时也是难度最高的，但是参加此考试的学员可以获得学历证和学位证书，含金量相当的高。而参加十月份的学员在完成相应的课程达到所规定的要求后，可获得相应的学位证书，其难度相对于一月份来说降低了很多。
3、两者简介：
硕士专业学位研究生入学资格考试(Graduate Candidate Test for Master of Engineering, GCT)是中国在职研究生的入学资格考试的一种形式。
工商管理硕士（MBA）一种专业硕士学位，与一般硕士研究生有所不同。首先是培养目标不同，MBA是培养能够胜任工商企业和经济管理部门高层管理工作需要的务实型、复合型和应用型高层次管理人才，特别强调在掌握现代管理理论和方法的基础上，通过商业案例分析、实战观摩、分析与决策技能训练等培养学生的实际 *** 作技能，使学生接受知识与技能、个性与心理、目标与愿望等方面的挑战，更具有职业竞争的实力，而其他研究生则侧重于理论学习、学术研究。
二极管的分类一、根据构造分类 ?W1VBHGv
半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：
+{%y:\j5T v’D )hN yE7mG9|
5x6Qva+axWV7X 点接触型二极管
0g5`m M9[u 点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。~#Dj8L?j:jVy
:E:_%d W-? f )C.AWqveVT z.P
键型二极管 7CI|?@!J KX
键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。4l%M#pu)?vx)S6h
*`+jz5_ Oj
0n’p }B }*g#m0? 合金型二极管 +d#F+x+N`3PsA u
在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小，适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。
5\/Cmbl+\!d
5[I Gct l%p -YdCZ3v
扩散型二极管
v&wI5sh 在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。最近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。bEu MS\5e
NY’NtMX@4g
0T] {#[’V%l 台面型二极管 )u"Ed f.]?ew7E.l ]:s
PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。M*}*q’[gu+J%v
N6mq:K-L
$K,[G)o~w
平面型二极管
V.c.UA `*ZN 在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。
c8z%q0z.A:p#PpT
"U&B n*rn4z
*g W-BW’E+OTJ.t n 合金扩散型二极管 2S8C(n h|
它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。s"Lv.TT:gH
1LqA*OoSo6e3b0@
1@ \*HhoV E 外延型二极管 z]2]m ~og
用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。6vWK*_~H+IF
lH.`5W kA
W[r5VMN7cUQ 肖特基二极管
\n#Nq5r y5p 基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。[ EjC6pK
V)Y)b/qDKo F eC*r 二、根据用途分类:OW*H R(z QF
P%^ y z@B Y/F
^fV-lJ&Y }!cL 检波用二极管l}V8a-A(l{j{
m%q/jj}+Q
就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。 S,`$klcy
X"tK8|2e 2、整流用二极管
F-SU xG]C9i C7U}!b#fO]U
就原理而言，从输入交流中得到输出的直流是整流。以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。面结型，工作频率小于KHz，最高反向电压从25伏至3000伏分A～X共22档。分类如下：①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。
.P\.l.lp*Ca,F d
4WQ O(VOoq \ 0nrd0OKj0l(W*{&_
限幅用二极管 G’p|:J X3X^6FN
大多数二极管能作为限幅使用。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用，通常使用硅材料制造的二极管。也有这样的组件出售：依据限制电压需要，把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。#c&hzp0Ty Y
.G+np#LO!n5u*R&n
"wLq_^*]!@ 调制用二极管 )p’M"D+I*B2c
通常指的是环形调制专用的二极管。就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。即使其它变容二极管也有调制用途，但它们通常是直接作为调频用。
0j o#a|#v9W@ o } V3C3I
2w5F9]3dN^y%I
混频用二极管 Pq+j@!DH{
使用二极管混频方式时，在500～10,000Hz的频率范围内，多采用肖特基型和点接触型二极管。
(QZ1Py)Z6[A 8R }1L!g7v~
!b:x1cA)n/{ 放大用二极管 v#[ [!G_ \
用二极管放大，大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大，以及用变容二极管的参量放大。因此，放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。FoNL’XLYR*K^
C1G1v0J oR%c:K )T(G)h1h9n]z5a
开关用二极管
L x’GP-L/Y 有在小电流下（10mA程度）使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管，也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。开关二极管的特长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时间特短，因而是理想的开关二极管。2AK型点接触为中速开关电路用；2CK型平面接触为高速开关电路用；用于开关、限幅、钳位或检波等电路；肖特基（SBD）硅大电流开关，正向压降小，速度快、效率高。,h%AuK g2J!s
-X3g+y0t2Kx-}
EaeNZ ~ 变容二极管
{t |"`i!{)SV用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方面也有其它许多叫法。通过施加反向电压， 使其PN结的静电容量发生变化。因此，被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常，虽然是采用硅的扩散型二极管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，因为这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。
4I+}`:p4`F&| z
P7E+A7go S E Y.r)wh laD?`:j
频率倍增用二极管
cqV~%N.a4@5O3q&M 对二极管的频率倍增作用而言，有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃（即急变）二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同，但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短，因此，其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短。如果对阶跃二极管施加正弦波，那么，因tt（转移时间）短，所以输出波形急骤地被夹断，故能产生很多高频谐波。eI@ A)C%tJ)d8`&t
u~%Ax e"Z"F+~/x
U_H{}AS-G9^!\0N!s4g
稳压二极管 _&Gndw*C
是代替稳压电子二极管的产品。被制作成为硅的扩散型或合金型。是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管。作为控制电压和标准电压使用而制作的。二极管工作时的端电压（又称齐纳电压）从3V左右到150V，按每隔10%，能划分成许多等级。在功率方面，也有从200mW至100W以上的产品。工作在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻RZ很小，一般为2CW型；将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型。
5a Y/|u0kD7q]+c F8X1g3al?
Ss*d N _
PIN型二极管（PIN Diode）
(k#].x|q@iu 这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。PIN中的I是“本征”意义的英文略语。当其工作频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和“本征”层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，“本征”区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入“本征”区，而使“本征”区呈现出低阻抗状态。因此，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。
Q A\ b.\ k&av#z)xa -w"KiY}L/o7iMD |
12、 雪崩二极管 (Avalanche Diode)
t1fzL%A-m^
Q5{.g7q"|bE~ 它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。C+KMvi(d
?\K Td wbb+y Z,c
江崎二极管 （Tunnel Diode）
"XU6I*Bli8c6fesB0^ 它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比（IP／PV），其中，下标“P”代表“峰”；而下标“V”代表“谷”。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。2oRB!`T-t+`N
P&S1hA.{2MR8qM<br><br>\Sg2Td f`o7\ 快速关断（阶跃恢复）二极管 (Step Recovary Diode) <br>3}WqI8h{ w#oa4R M 它也是一种具有PN结的二极管。其结构上的特点是：在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区，从而形成“自助电场”。由于PN结在正向偏压下，以少数载流子导电，并在PN结附近具有电荷存贮效应，使其反向电流需要经历一个“存贮时间”后才能降至最小值（反向饱和电流值）。阶跃恢复二极管的“自助电场”缩短了存贮时间，使反向电流快速截止，并产生丰富的谐波分量。利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路。快速关断（阶跃恢复）二极管用于脉冲和高次谐波电路中。2p R+jW S.N%u5pX
j4U+?7Wj+}(ol ]3~2MH[!B
肖特基二极管 （Schottky Barrier Diode） #v}i _/H
它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
]B8E t%W ~:g `,v ]}-t’R2pR(v
z(f+ske*?NC
阻尼二极管
3y}5c3IQ1r-p7} 具有较高的反向工作电压和峰值电流，正向压降小，高频高压整流二极管，用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用。o.A5Sw&[r
]*j7?f TZ
%X\ hJ7Gb#Fv 瞬变电压抑制二极管
&R oF Z$N,n TVP管，对电路进行快速过压保护，分双极型和单极型两种，按峰值功率（500W－5000W）和电压（8.2V～200V）分类。3`we0nr"o@C!W)L}
R,e_3Li’G!c3F @7h3_
\ }a’r.Vv[U 双基极二极管（单结晶体管）
!l1U!xK0Ty5Ss 两个基极，一个发射极的三端负阻器件，用于张驰振荡电路，定时电压读出电路中，它具有频率易调、温度稳定性好等优点。
u"O5lk?W0{6{ <br>X4Lw~$H2Z#{U j/W <br>.?HO-J6`DE!j G 发光二极管<br>/ScC#GGoJ4_ 用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。<br>ys#W+eQ$r}~v rZBFH:R&~
三、根据特性分类
e]/kFXx4p7p GQ3K)l4q(t
点接触型二极管，按正向和反向特性分类如下。]se[8G0h
n G)AS0y*s/Yt v
eb.u$Xr 一般用点接触型二极管5HN1t@Q?@{"h]s/a
这种二极管正如标题所说的那样，通常被使用于检波和整流电路中，是正向和反向特性既不特别好，也不特别坏的中间产品。如：SD34、SD46、1N34A等等属于这一类。
’xC0_ ]2AV$DR
*~5e7c#XZp 高反向耐压点接触型二极管
nA7v9v G{
r2tk n&]+rj/@ 是最大峰值反向电压和最大直流反向电压很高的产品。使用于高压电路的检波和整流。这种型号的二极管一般正向特性不太好或一般。在点接触型锗二极管中，有SD38、1N38A、OA81等等。这种锗材料二极管，其耐压受到限制。要求更高时有硅合金和扩散型。]nJe$_g
:`Xo-y |.G 高反向电阻点接触型二极管
M1@z’Fect IZ
X0s,j0Q&So2Y 正向电压特性和一般用二极管相同。虽然其反方向耐压也是特别地高，但反向电流小，因此其特长是反向电阻高。使用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中，就锗材料高反向电阻型二极管而言，SD54、1N54A等等属于这类二极管。:Y9C1F}L o*A
Z*oD7N#n_U
高传导点接触型二极管0x[6`#MQ
,m&I5Vv’V Cm!v 它与高反向电阻型相反。其反向特性尽管很差，但使正向电阻变得足够小。对高传导点接触型二极管而言，有SD56、1N56A等等。对高传导键型二极管而言，能够得到更优良的特性。这类二极管，在负荷电阻特别低的情况下，整流效率较高。
欢迎分享，转载请注明来源：内存溢出
微信扫一扫
支付宝扫一扫
评论列表（0条）