主要区别在于台面工艺需要腐蚀台面或者刻槽而平面工艺则否。台面晶体管的集电结耐压基本上接近理想的雪崩击穿电压，故击穿电压高于平面晶体管。 建议：1、向老师请教有关工艺技术吧！2、参见“http:blog.163.comxmx028@12

符号D代表二极管（diode），符号ZD代表稳压二极管（Zener diode）。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。稳压二极管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以

1、狭窄屏障区在掺杂浓度较高的情况下，势垒区的共价键结构由于势垒区宽度小、反向电压大而被破坏，使价电子脱离共价键并产生电子空穴对。电流急剧增加。这种故障称为齐纳故障。当掺杂浓度较低时，势垒宽度较大，不易发生锌击穿。2、高反向电压当反向

理想二极管的反向电阻为无穷大。理想二极管就是正向压降为0，反向漏电流为0的二极管，这种二极管只存在于理论研究中；理想二极管是一种假设，根据题目要求假设，如为没有压降，没有损耗，反向不会击穿等理想状态。而实际二极管是达不到的。目的是为了突出

二极管根据半导体材料，可分为锗二极管和硅二极管之分；根据管芯结构，可分为点接触型二极管、面接触型二极管和平面型二极管；根据用途，可分为TVS瞬态抑制二极管、ESD二极管、稳压二极管、整流二极管、肖特基二极管、快恢复二极管、超快恢复二极管等等

二极管的类型 二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）.根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管等.按照管芯结构,又可分为点接触型

目测是一个普通的集成块，也叫集成电路，如果发热明显，估计是快挂掉了，可以找同型号的来更换的。集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互

半导体中vt是三极管。以前的三极管就是电真空管：vacuum triode, 缩写就是VT。后来有了半导体器件，VT就沿用了下来。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱

区别在于工艺研发不同。etch意思是干法刻蚀，lithography，litho，photo都指光刻。etch只负责etch工艺研发，litho只负责litho工艺研发。工艺部门最好的是litho第二是etch。一般半导体研发中litho在

锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件（热敏电阻）；利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件

二极管与半导体是完全不同的东西，只能说二极管是由半导体组成的器件，半导体无论那个方向都能流动电流。二极管的正负二个端子。正端A称为阳极,负端K称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移动。一些初学者容易产生这样一种错误认识：半导体的一半是一半的

二硫化钛是半导体。根据查询相关资料公开信息显示，二硫化钛（TiS2）是一种金属性半导体，具有层状结构，且容易使金属锂夹入，为理想的非计量化合物，有可能成为能量存贮器件或电池，所以二硫化钛是半导体。1.第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗元

半导体td岗位很好。根据查询相关公开信息显示，半导体td岗位是负责关键岗位的人才发展工作，岗位福利有：五险一金，绩效奖金，年度团建旅游，年度体检，员工生日福利，法定节假日工资加倍，上班时间朝八晚六，因此半导体td岗位很好。半导体是一种电导率

锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件（热敏电阻）；利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件

二极管的类型 二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）.根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管等.按照管芯结构,又可分为点接触型

二极管与半导体是完全不同的东西，只能说二极管是由半导体组成的器件，半导体无论那个方向都能流动电流。二极管的正负二个端子。正端A称为阳极,负端K称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移动。一些初学者容易产生这样一种错误认识：半导体的一半是一半的

二极管的分类一、根据构造分类 ?W1VBHGv半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：+{%y:j5T v

主要区别在于台面工艺需要腐蚀台面或者刻槽而平面工艺则否。台面晶体管的集电结耐压基本上接近理想的雪崩击穿电压，故击穿电压高于平面晶体管。 建议：1、向老师请教有关工艺技术吧！2、参见“http:blog.163.comxmx028@12

一般情况下，ND&ltNC或NA &ltNV；费米能级处于禁带之中。当ND≥NC或NA≥NV时，EF将与EC或EV重合，或进入导带或价带，此时的半导体称为简并半导体。也即，简并半导体是指：费米能级位于导带之中或与导带重合；费