半导体wafer影响锌值的因素

半导体wafer影响锌值的因素是供应。

由于AMD的EPYC多芯片设计可在单个封装中扩展多达9个芯片，OSAT服务明显影响其生产。

无独有偶，英特尔表示其采用Intel 7工艺制造的多芯片架构Sapphire Rapids的全面量产将会推迟到2022年第三季度。究其背后的原因，同样是封装。虽然英特尔大部分封装是在内部完成，但由于关键材料的短缺，封装依旧是其生产瓶颈。

在2022年开年，封装问题就成为了影响CPU供应的一大因素。

第三代半导体材料以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石(C)为代表，我国从1995年开始涉足第三代半导体材料的研究。其中，碳化硅凭借其耐高压、耐高温、低能量损耗等特性被认为是5G通信晶片中最理想的衬底，氮化镓则凭借其高临界磁场、高电子迁移率的特点被认为是超高频器件的绝佳选择。需要说明的是，第三代半导体与第一代、第二代半导体之间并不是相互替代的关系。它们适用于不同的领域，应用范围有所交叉，但不是完全等同。第三代半导体有其擅长的领域，在特定的“舒适区”内性能确实是优于硅、锗等传统半导体材料，但在“舒适圈”之外，硅仍然占据王者地位

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