西安半导体行业都有哪些?

集成电路设计企业：

1、英飞凌科技（西安）有限公司

2.西安亚同集成电路技术有限公司

3.西安深亚电子有限公司

4.西安联圣科技有限公司

5.西安中芯微电子技术有限公司

6.陕西美欧电信技术有限公司

7.西安爱迪信息技术有限公司

8.西安交大数码技术有限责任公司

9.西安大唐电信公司IC设计部

10.西电科大华成电子股份有限公司。

扩展资料：

半导体分类：

半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化镉、硫化锌等）、氧化物（锰、铬、铁、铜的氧化物）。

以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。

半导体的分类，按照其制造技术可以分为：集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。

此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，虽然不常用，但还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

参考资料来源：百度百科-半导体

每次经过西安高新区街头，72岁的章东凡总喜欢摇下车窗，看道路两侧的大楼向车后掠去。“就像当初襁褓里的婴孩，转眼长成20多岁的小伙子，看在眼里，怎不欢喜！”

已从西安高新区管委会退休12年的章东凡，亲眼见证这个“小伙子”呱呱坠地——1991年3月，国务院批准设立西安高新技术产业开发区。从此，“高新区”这一新名词，悄声潜入古城人心里。

二十七载砥砺前行，西安高新区以改革创新为动力，发展质量和效益同步提升，成长为我国高新技术产业的重要基地。

传承创业激情

夏日傍晚，走进高新区唐城墙遗址公园，绿林蓊郁，草木茁发。透过树林望去，华灯初上的写字楼美轮美奂，人来车往川流不息。

“篱笆外是现代世界，日新月异。公园里有人文内涵，动静相宜。”刚打完太极拳的刘师傅，擦去脸上的微汗，沉醉在夏日晚风里。

27年前，这里全然是另一番模样。1991年6月14日，西安西南城外，机器轰鸣，高新区破土动工。在管委会工作的章东凡，约上同事一道来到工地，被眼前的景象深深触动，“四周是破落的村庄、荒芜的土地，一条废弃的灌溉渠横穿东西。那时候，无人知晓也难以想象高新区未来的模样。”

创业的日子里，既艰苦又兴奋。管委会成立之初，只有10万元经费和一辆借来的旧轿车，近20名工作人员在租用的几间房里办公。去西安城内招商，大伙就骑自行车穿城而过；到外地招商，坐长途汽车、火车一路颠簸。“虽然艰苦，但大家都充满激情，浑身有使不完的劲。”章东凡说，“27年来，火一般的创业激情接力传承。”

那一年，西安高新区超额完成国家基建计划，在全国50多个高新区中名列前茅。“当年建区，当年开工，当年见效。”回忆起“高新速度”，章东凡难掩兴奋，“初战告捷，提振了高新人的精气神！”

自此，厚重的黄土地上，频频发出突破藩篱、拔节而起的“成长之声”：体制上，招商引资等领域行使市一级管理权限；机制上，“一站式办公”，开创公共服务转变先河；服务上，凝聚了“特事特办、急事快办”的“高新共识”……

靠着这股子闯劲儿，高新区昂首阔步、且行且歌，当年的那张“白纸”，如今已是色彩缤纷。7万余家企业在此注册，120家世界500强企业设立177个公司和机构，形成电子信息、先进制造、生物医药、现代服务四大主导产业……时空流转，一座生态宜居的产业新城拔地而起。

立足创新驱动

27岁的高新区，如今有了新目标——建成大西安都市圈的“首善区”。不沿海、不靠边，肩负重任的西安高新区，如何打开新局面？

“科技创新”，这是西安高新区给出的答案，也是其发展的立身之本。

几年前，中科创星孵化器创始合伙人米磊的女儿生病打点滴，护士一时找不到血管，连扎4针失败，让这位光学博士很是心疼。“能否发明一台设备，解决扎针难题？”仔细调研后，米磊与合伙人成功研发血管成像仪——通过红外光识别血管位置和深度，俗称“扎针神器”。

近些年，像血管成像仪这样的高科技产品，在西安不断涌现。

“春笋”遍地，难离“沃土良田”。2017年11月，西安高新区出台发展“硬科技”产业的8条措施，设立每年5亿元的产业发展资金、总规模500亿元的产业基金，支持航空航天、光电芯片、新能源、新材料、智能制造、信息技术、生命科学、人工智能等领域的关键技术创新。“如今，我们已有上万家高新技术企业。”谈及发展之道，高新区创新发展局副局长吴峰言简意赅，“搭建创新平台，吸引人才落地，营造良好氛围。”

与本土培育相伴的，是筑巢引凤。这其中，韩国三星公司投资100亿美元的半导体闪存芯片项目最为亮眼。

2012年，三星带着闪存芯片制造工艺落户西安高新区，15个月后，月产10万片的半导体工厂建成。今年3月，三星项目继续“扩容”，二期投资70亿美元。

“现在，100多家配套企业已成功落户高新区，形成了一个近千亿元级的半导体产业集群，西安由此成为全球半导体存储芯片领域的重要一极。”高新区相关负责人介绍。

2017年，西安高新区全年净增高新技术企业164家，累计认定1070家；实现技术合同交易额330亿元；累计转化科技成果逾10万项，其中90%以上拥有自主知识产权。

放眼合作共赢

坐落在高新区科技二路的西安诺瓦电子科技有限公司，成立仅10年，却已在全球LED显示屏领域占有重要一席。

“刚成立那年，我们主营业务收入仅11万元。”回忆起创业初期，公司董事长袁胜春十分感慨，“经过努力，我们在校正技术上实现重大突破。”自此，诺瓦公司快速发展，如今拥有自主知识产权831项，全球拓展服务网点33个，产品出口至59个国家。

“西安拥有先进的制造业，一些‘一带一路’参与国家和地区制造业水平相对较弱，双方产业互补、合作共赢。”在陕西省社科院研究员张宝通看来，西安高新区承担着参与“一带一路”建设的更大使命。

站在古丝绸之路起点，西安高新区有着自己的梦想：打造“一带一路”的“创新之都”。这其中，形成一流的开放发展水平，聚集具有全球影响力的创新企业，就是重要的奋斗方向。

当地时间7月10日，西安高新区北美（硅谷）离岸创新中心正式揭牌。“美国硅谷是举世闻名的科技创新高地。我们在此设立离岸创新中心，旨在促进两地人才、技术、资本、市场等领域的资源互通与全方位合作。”高新区相关负责人表示，“整合国际科技资源，是西安高新区打造‘一带一路’创新之都的重要路径，希望借此形成可推广、可复制的离岸创新模式。”

来自《 人民日报 》（ 2018年08月09日 01 版）

提问者： yz900110 - 试用期 一级

最佳答案

西安电力电子技术研究所

【研究内容】

研究范围：电力半导体器件和装置的研究。

推广技术与项目：4英寸超大功率快速晶闸管；5英寸大功率晶闸管。

学科分类： 电子、通信与自动控制技术 ； 动力与电气工程

【科研能力】

职工人数：740 (人)

技术人员： 375 (人)

机构类别： 省市系统

上级主管单位： 省科技厅

成立年代： 1966

主要研究人员：

内部机构名称： 第一研究室，第二研究室，第三研究室，第四研究室，国家工程研究中心，国家质量检测中心，行业标准室，

下属机构名称： 西安千岛实业有限责任公司，西安屹立电力电子有限责任公司，西安爱帕克电力电子有限公司，西安西普电力电子有限公司

出版刊物： 电力电子技术 季刊

生产产品： KS双向晶闸管 ； 超大功率晶闸管 ； 大功率晶闸管 ； 大功率GTO组件 ； 大功率整流管 ； 高压电子束轰击炉电源 ； 快恢复二极管 ； 快开通晶闸管 ； 脉冲电镀电源 ； KK快速晶闸管 ； 高压等离子风洞整流电源

科研成果： LGBT模块封装技术研究 ； 绝缘栅双极晶体管IGBT模块 ； 小光控晶闸管DV/DT测试台 ； MJ-Ⅱ/50型半自动磨角机技术工艺设备研究 ； GTR模块结构及封闭工艺 ； GTO应用共性基础技术研究 ； 晶闸管综合特性测试台 ； GTR模块测试技术和设备 ； 地铁动车斩波调压系统 ； KK2000A/1600V超大功率快速晶闸管 ； 12KV1500A高压晶闸管组件 ； 功率器件用中子嬗变掺杂直拉硅及其应用 ； Φ77MM系列大功率低损耗晶闸管 ； 直径100MM特大功率晶闸管 ； 城市轨道交通车用大功率GTO组件 ； KHS型大电流整流装置 ； 阳极短路型可关断晶闸管研究 ； 光控晶闸管能发源 ； Φ100MM3000A/5500V特大功率晶闸管 ； IGBT测试技术研究 ； KDH-Ⅱ型3000KW电力回收装置 ； 600A、1000～1800V大功率GTO晶闸管 ； Φ125MM三峡直流输电用超大功率晶闸管 ； 大容量高频率IGBT模块 ； IGBT器件封闭技术 ； GTO元件及组件开关时间测试台 ； GTR模块、GTO组件及应用模块测试技术和设备 ； 300MW汽轮发电机旋转励磁整流组件 ； 非对称晶闸管ASCR500A/2000V研究 ； 大功率GTO组件 ； 中板可逆轧机主传动晶闸管微机控制 ； 高压大电流快速晶闸管KK1000A/2000V的研究 ； 高频晶闸管的研制 ； KHS、ZHS电冶、电化学用整流电源 ； 高电压大电流高可靠性晶闸管研究 ； ±100KV舟山直流输电成套设备 ； 晶闸管稳态热阻及瞬态热阻抗测试方法研究和测试设备研制

拥有专利： 制造快速晶闸管的扩金新工艺 ； 桥臂组件结构的密封励磁功率柜

获奖情况： 部委级奖 ； 省级奖 ； 国家级奖 ； 部委级奖 ； 省级奖 ； 国家级奖

【研究成果】（共71项，以下显示其中10项）

￠77mm晶闸管元件

超高压大功率晶闸管的国产化 (中国机械工业科学技术奖三等奖)

4in超大功率快速晶闸管 (中国机械工业科学技术奖二等奖)

大功率电解整流电源

GTO GTR应用电路模块

GTO GTR应用共性基础技术

IGBT器件的制造和工艺技术

MCT计算机辅助设计制造技术和测试技术

绝缘栅双极晶体管IGBT模块

KHS、ZHS电冶、电化学用整流电源

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【申请专利】（共3项 ，以下显示其中10项）

桥臂组件结构的密封励磁功率柜 (申请号:97239564.4)

钼片回收新方法 (申请号:88103038.4)

制造快速晶闸管的扩金新工艺 (申请号:86102417)

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【发表期刊论文】（共41篇 ，以下显示其中10篇）

阀组件在电力系统中的应用前景 楼晓峰 (电力设备 2006(7) )

ZK1150/4500快恢复二极管的研制 郭永忠 (电力电子技术 2006(5) )

60 t进口直流电弧炉电源的改造 王保荣 (工业加热 2006(1) )

Ф100快速晶闸管的研制 高山城 (电力电子技术 2005(5) )

X射线衍射分析热处理温度对透明导电膜结构与导电性能的影响 马颖 (液晶与显示 2005(4) )

高压变频器散热系统的设计 王丹 (电力电子技术 2005(2) )

有关交流拖动系统的IEC及国内标准动态 金东海 (电力电子技术 2005(2) )

直流输电用超大功率晶闸管少子寿命在线控制 李建华 (电力电子技术 2005(1) )

电弧炉与电网 张殿军 (工业加热 2004(5) )

采用谐振极软开关逆变器的异步电机直接转矩控制仿真研究 黄晓东 (西安理工大学学报 2004(3) )

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【发表学术会议论文】（共19篇 ，以下显示其中10篇）

国内外电力电子器件发展现状 (2004年全国电力网无功/电压技术研讨会 (2004-10-1))

晶闸管智能模块 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))

热管结构的10kV晶闸管阀组件 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))

PRC电路中负载变化对逆变器开关状态的影响 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))

三峡工程与高压直流输电 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))

电力电子集成技术的现状及发展方向 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))

质子辐照用于改善大功率快速晶闸管的特性 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))

4万t/a离子膜整流装置的运行总结 (第20届全国氯碱行业技术年会 (2002-9-1))

基于空间电压矢量的永磁同步电机控制系统仿真 (第七届中国电力电子与传动控制学术会议 (2001-7-1))

采用热管散热和φ100mm晶闸管的巨型励磁功率柜 (CSEE中国电机工程学会大电机专业委员会2001年度励磁学术讨论会 (2001-5))

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【起草标准】（共61项 ，以下显示其中10项）

半导体器件 分立器件第6部分:晶闸管第三篇 电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 (标准编号:GB/T 13151-2005)

半导体器件 分立器件 电流大于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范 (标准编号:GB/T 13150-2005)

电力半导体器件用接插件 (标准编号:JB/T 5843-2005)

电力半导体器件用门极组合件 (标准编号:JB/T 5835-2005)

电力半导体器件用管芯定位环 (标准编号:JB/T 5842-2005)

电力半导体器件用管壳瓷件 (标准编号:JB/T 10501-2005)

低压直流电源设备的性能特性 (标准编号:GB/T 17478-2004)

半导体变流器 包括直接直流变流器的半导体自换相变流器 (标准编号:GB/T 3859.4-2004)

电工术语 电力电子技术 (标准编号:GB/T 2900.33-2004)

电力半导体器件用散热器 第1部分:铸造类系列 (标准编号:GB/T 8446.1-2004)

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【媒体新闻】（共6篇 ，以下显示其中10项）

直流设备全面国产化之路能走多远 (2006-9-13)

大型清洁高效发电装备被列入重点发展对象 (2006-6-21)

曾培炎：振兴装备制造业关系现代化建设的全局 (2006-6-20)

国务院振兴装备制造业工作会议举行 (2006-6-20)

电力电子行业修改生产许可证实施细则 (2003-4-16)

西安电力电子技术研究所勇攀科技高峰 (2003-4-9)

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【联系信息】

机构名称： 西安电力电子技术研究所

曾 用 名： 机械工业部西安整流器研究所

负 责 人： 陆剑秋 职务： 所长 职称： 高级工程师，教授

地 址： 陕西省西安市朱雀大街94号 (710061)

电 话： (029) 85271717（办），85271888，85271829（科）

传 真： (029) 85261691

电子邮件： peri@chinaperi.com ； xwangi@pop3.irf.com

网 址： http://www.chinaperi.com

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