重掺杂的n型多晶硅与重掺杂的p型多晶硅接在一起是导线还是pn结？

我晕，多晶硅就是多晶硅，掺杂时候（比如离子注入）杂质是进不去的，所以不管是n管还是p管的poly是完全一样的，没有你说的什么结的影响，只是poly电阻较大，如果是距离比较长的话，也不会用于做导线。

补充一下，业界常说，要构成MOSFET就是poly over diffusion，掺杂只对diffusion，poly不受影响

lpt=lower power tech，

hlp=high-performance low power，

hpm=high performance mobile移动高能低功耗工艺，台积电主要指hkmg

litho是浸染式光刻，193nm波长，1.35的折射率，晶圆技术。

salicide自对准硅化物，形成电触头之间的半导体 装置和支承互连结构，soc里控制电阻的部分，对应的是SILICIDE、和POLYCIDE。

back end of line，beol——后端布线，soc各具体部分（晶体管，电容器，电阻器等）在晶片上的互连布线。

采用copper铜布线，介电常数k=2.5

漏源极嵌入硅锗技术(eSiGe)

都是微电子的术语。

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