修改occupancy，在相同位置上做掺杂是不可以的，就我对MS中occupancy 的理解，它是使建立的模型更接近于真实的情况（因为有些晶体并不是化学计量比的，有些元素会出现空位，所以要调整occupancy在来使其接近真实 ）。如果要建

多数导体的电阻随温度的升高电阻增大，绝缘体的电阻极高，对温度的变化不明显。半导体的电阻对温度变化很敏感，因此常用于热敏电阻的制造，热敏电阻根据材料不同可以是正温度系数，也可以是负温度系数。用一定的直流电压对被测材料加压时，被测材料上的电流

由半导体理论可知，在正向恒流供电条件下，PN结的正向压降与绝对温度T有线性关系，即正向压降几乎随温度升高而线性下降，这就是PN结测温的理论依据。所以做温度传感器时，要注意施加正向恒流，例如10uA,这样才会比较准确，如果只加正向电压，那么

杂质半导体： 通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体。P型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。结论：多子的浓度决定于杂质浓度。少子的浓度决定于温度。PN结的形成：将

不掺杂的半导体为本征半导体，导电依靠受热激发的产生的激发电子和空穴。而掺杂可以在很大程度上提高半导体的导电性。掺杂可分为N型掺杂和P型掺杂。N型掺杂会增加N(电子)导电。P型掺杂增加空穴导电。PN结就是半导体一部分P型掺杂，一部分N型掺杂形

楼主请看：共轭含义：在不饱和的化合物中，有三个或三个以上互相平行的p轨道形成大π键，这种体系称为共轭体系。聚合物：polymer由一种或几种结构单元通过共价键连接起来的分子量很高的化合物。又称高分子化合物。例如聚氯乙烯是由氯乙烯结构单元重复

半导体中杂质 半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产加的杂质能级。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五

杂质半导体： 通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体。P型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。结论：多子的浓度决定于杂质浓度。少子的浓度决定于温度。PN结的形成：将

杂质半导体： 通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体。P型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。结论：多子的浓度决定于杂质浓度。少子的浓度决定于温度。PN结的形成：将

直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。 间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收

相同点：能改变半导体材料的电导率不同点：改变方法与效果不同掺杂在一般能浓度下对载流子的迁移率影响不大，主要是通过增加杂质载流子浓度改变电导率。只有在重掺杂时才会是迁移率下降，不过载流子浓度增加的更多一些，总体使电导率升高。温度的影

杂质半导体： 通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体。P型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。结论：多子的浓度决定于杂质浓度。少子的浓度决定于温度。PN结的形成：将

T=77k低温弱电离 n0=[(NdNc2)^(12)]exp(△ED2k0T) Nc正比于T^32 △ED=0.044eVT=300k 强电离区 n0=Nd；T=500k 过渡区 ni^2=n0*p0n0=Nd+p0联立求

这是掺杂浓度和半导体电阻率的关系曲线。它是根据实际侧脸结果为基础做出来的。上边一条曲线是P型，横坐标是P型半导体中的掺杂浓度，纵坐标是该材料的电阻率下边一条曲线是N型，横坐标是N型半导体中的掺杂浓度，纵坐标是该材料的电阻率注意这个坐标是指数

半导体的掺杂是为了提高半导体器件的电学性能，半导体的很多电学特性都与掺杂的杂质浓度有关。纯正的半导体是靠本征激发来产生载流子导电的，但是仅仅依靠本证激发的话产生的载流子数量很少，而且容易受到外间因素如温度等的影响。掺入相应的三价或是五价元

半导体掺杂之后会引入杂志能级，以目前主流的半导体Si进行掺杂为例：Si为4族元素，掺杂3族元素B，B元素电离后作为受主能级存在在半导体之中，形成P型半导体。此时Si元素为杂志提供了电子，则半导体中载流子为空穴。Si为4族元素，掺杂5族元素P

是Si，硅。半导体的导电性能比导体差而比绝缘体强。实际上，半导体与导体、绝缘体的区别在不仅在于导电能力的不同，更重要的是半导体具有独特的性能（特性）。在纯净的半导体中适当地掺入一定种类的极微量的杂质，半导体的导电性能就会成百万倍的增加—-这

CH11．按规模划分，集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵循了一条业界著名的定律，请说出是什么定律？晶体管-分立元件-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。MOORE定律2．什么是无生产线集成电路设计？列出无

离子注入是离子参杂的一种。 随着VLSI器件的发展，到了70年代，器件尺寸不断减小，结深降到1um以下，扩散技术有些力不从心。在这种情况下，离子注入技术比较好的发挥其优势。目前，结深小于1um的平面工艺，基本都采用离子注入技术完成掺杂。离子