怎么焊接芯片？注意事项？

芯片热压焊接工艺按内引线压焊后的形状不同分为两种：

球焊(丁头焊)和针脚焊。两种焊接都需要分别对焊接芯片的金属框架、空心劈刀进行加热（前者温度为 350～400℃,后者为150～250℃），并在劈刀上加适当的压力。

首先，将穿过空心劈刀从下方伸出的金丝段用氢氧焰或高压切割形成圆球，此球在劈刀下被压在芯片上的铝焊区焊接，利用此法进行焊接时，焊接面积较大，引线形变适度而且均匀，是较为理想的一种焊接形式。

随后将劈刀抬起，把金丝拉到另一端（即在引线框架上对应于要相联接的焊区），向下加压进行焊接，所形成的焊点称为针脚焊。

焊接芯片注意事项：

1、对于引线是镀金银处理的集成电路，只需用酒精擦拭引线即可。

2、对于事先将各引线短路的CMOS电路，焊接之前不能剪掉短路线，应在焊接之后剪掉。

3、工作人员应佩就防静电手环在防静电工作台上进行焊接 *** 作，工作台应干净整洁。

4、手持集成电路时，应持住集成电路的外封装，不能接触到引线。

5、焊接时，应选用20W的内热式电烙铁，而且电烙铁必须可靠接地。

6、焊接时，每个引线的焊接时间不能超过4s，连续焊接时间不能超过10s。

7、要使用低熔点的钎剂，一般钎剂熔点不应超过150℃。

8、对于MOS管，安装时应先S极，再G极最后D极的顺序进行焊接。

9、安装散热片时应先用酒精擦拭安装面，之后涂上一层硅胶，放平整之后安装紧固螺钉。

10、直接将集成电路焊接到电路板上时，爆接顺序为：地端→输出端→电源端→输入端的顺序。

扩展资料

芯片焊接工艺可分为两类：

①低熔点合金焊接法：采用的焊接材料有金硅合金、金镓合金、铟铅银合金、铅锡银合金等。

②粘合法:用低温银浆、银泥、环氧树脂或导电胶等以粘合方式焊接芯片。

集成电路塑料封装中,也常采用低温(200℃以下)银浆、银泥或导电胶以粘合的形式进行芯片焊接。另外，烧结时（即芯片粘完银浆后烘焙），气氛和温度视所采用的银浆种类不同而定。

低温银浆多在空气中烧结，温度为150～250℃；高温银浆采用氮气保护，烧结温度为380～400℃。

参考资料来源：百度百科-集成电路焊接工艺

温度需要控制在180-230度之间，这个温度是 可以实现的。类似于如下的效果

采用的焊接方法包括：

1、采用第三代WE53专用液化气多孔喷q作为热源加热焊接，这种火焰作为热源的加热方式是上温比较快一些，但是就是容易将温度过烧，所以需要采用超低温的M51焊丝配合M51-F的活性焊剂焊接

2、采用加热台，将铝基板放置加热台台面，预热铝基板达到200度左右，然后采用低温的M51焊丝配合M51-F的焊剂将LED芯片焊接到基板上。

3、贴片回流的办法也是可行，贴片回流的话，可以将M51的焊丝压扁涂抹合适的M51-F的活性焊剂，固定后回流炉成型。或者将M51预制成粉末状混合M51-F的焊剂涂抹于LED与基板的交界处。

对于功率半导体器件，芯片焊接材料必须在这些器件工作的较高温度下能够保持可靠焊接，同时为工作中的器件提供一个高导热的散热路径。如果芯片粘接材料能够承受比高铅焊料更高的工作温度，这将意味着它在宽禁带半导体器件如SiC功率二极管和晶体管应用中会有优势。由于更高的热导率、更高的击穿电压和更高的饱和载流子速度，SiC器件的功率密度可以实现大幅度增长。更宽禁带的SiC允许更高的结温，而不影响性能[1]。高铅焊料的传统冶金替代品如金锡共晶合金，有较高的作业温度，超过了半导体可以容忍的性能不退化温度；另一种替代品为填银的环氧树脂，但是这种环氧树脂又存在热导率不够的问题，不能保持芯片以最高效率工作所需的温度[1,2]。纳米颗粒具有较高的表面活性，这意味着将会有比块状银熔点961.8 ℃更低的熔点（图1），例如2.4 nm银子熔点为350 ℃[3]。这样的粒子外层在较低的温度下有类似于熔融状态的移动性，使它们在远低于传统的银粉烧结所需温度下，通过润湿和扩散彼此结合或与其他兼容材料相结合。虽然烧结过程中施加外部压力增加了粒子的接触面积，但是在纳米银粒子烧结中这并不是必须的。即使温度低于回流高铅焊料的温度，银表面的移动原子所产生的毛细管作用力也足以保证相邻粒子接触的润湿力。由于银比焊料具有更高的强度，实现本应用中所需的强度不要求高密度银。事实上，多孔结构较低的d性模量有利于减小热循环过程中由于热膨胀系数差异产生的芯片应力。当正确配制时，基于纳米银粒子的焊膏可在高铅焊料所要求的类似温度和更低的温度范围内形成可靠焊点。纳米银将高活性的纳米银粒子递送到焊接区域，并使其结合形成一个满足电气和热导率要求的结构强健的焊点，还是有许多挑战的。

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