有机半导体和无机半导体的异同点

有机半导体和无机半导体的异同点,第1张

不同点:

一、本质不同。

有机半导体是有机合成的,无机半导体是无机合成的。

二、成膜技术不同。

有机半导体的成膜技术比无机半导体更多、更新。

三、性能不同。

有机半导体比无机半导体呈现出更好的柔韧性,而且质量更轻。有机场效应器件也比无机的制作工艺也更为简单。

相同点:运用范围相同,都是主要运用在收音机、电视机和测温上。

扩展资料

无机合成物半导体。无机合成物主要是通过单一元素构成半导体材料,当然也有多种元素构成的半导体材料,主要的半导体性质有I族与V、VI、VII族;II族与IV、V、VI、VII族;III族与V、VI族;IV族与IV、VI族;V族与VI族;VI族与VI族的结合化合物。

但受到元素的特性和制作方式的影响,不是所有的化合物都能够符合半导体材料的要求。这一半导体主要运用到高速器件中,InP制造的晶体管的速度比其他材料都高,主要运用到光电集成电路、抗核辐射器件中。 对于导电率高的材料,主要用于LED等方面。

有机合成物半导体。有机化合物是指含分子中含有碳键的化合物,把有机化合物和碳键垂直,叠加的方式能够形成导带,通过化学的添加,能够让其进入到能带,这样可以发生电导率,从而形成有机化合物半导体。

这一半导体和以往的半导体相比,具有成本低、溶解性好、材料轻加工容易的特点。可以通过控制分子的方式来控制导电性能,应用的范围比较广,主要用于有机薄膜、有机照明等方面。

参考资料:百度百科-半导体

四探针技术——测量电阻率ρ=1/σ和载流子浓度。

三探针技术——测量击穿电压,并得到电阻率。

Hall效应技术——测量Hall系数R,并得到迁移率(μ=Rσ)。

MOS电容-电压技术——测量MOS中的界面态和电荷等。

光电导衰退技术——测量少数载流子寿命。

本论文共分六章.第一章为文献综述部分,第二章至第六章为实验研究部分.(略)一章几种纳米氧化物半导体光催化剂的制备和性能及二氧化钛的光催化与超亲水性

(略)年来几种纳米氧化物半导体光催化剂在制备和性能方面的研究成果,阐述了纳米氧化物半导体材料的光催化原理.详细评述了二氧化钛纳米粒(略)光催化降解作用,讨论了几个影响光催化反应的重要因素.介绍了二氧化钛薄膜的光催化与超亲水特性及应用进展.展望了纳米氧化物半导体光催化材料的发展方向和应用前景.

第一章

铁酸锌的制备、表征及光催化性质

本部分以燃烧合成法制备了铁酸锌(Zn(略)4)纳米晶.该法是在还原条件下,以相应的金属硝酸盐的放热反应为基础从而产生了超细粉末,然后通过加热使其转化为纯的ZnFe_2O_4相.该法 *** 作简单,过程容易实现,所用试剂价廉.将这种方法制得的样品通过XRD、AFM、IR和TEM等方(略)显微结构进行了研究.结果表明,所得超细粉末为具有尖晶石结构的ZnFe_2O_4,其粒径范围在15-25nm之间.通过姜黄素溶液的降解实验对纳米ZnFe_2O_4...


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