半导体工厂上班对身体有害吗?

对身体有害。

半导体产业属于重污染企业，工厂内会有大量的酸性气体。这些气体来自于晶圆的蚀刻、清洗等过程。如HCl、HNO3、NH4OH等气体都很容易产生大量的浓烟，这些烟雾中含有刺激性且含毒性的NO2等等。

由于半导体制造的过程中会需要大量使用光阻液、显影液等等，这些溶液主要是有机物质，因此在蚀刻、清洗、薄膜生长等过程中，会有大量的有机溶剂被使用，其中就包括二甲苯、丙酮、苯、CCl4、CF4、CCl2F2等等，其中苯就是高毒性的一级致癌物。

半导体工厂对有害物质实施的措施

为了防止这些污染伤害员工、污染环境，半导体工厂需要有极为严格的污染防治措施，包括实时处理工作场所的空气、妥善处理生产废料。

尤其是快速发展的亚微米工艺对生产现场的空气洁净度要求特别高，所有半导体加工设备都必须放置在与灰尘隔离的封闭空间中，即为洁净室。

洁净室的洁净度有一个公认的标准，以10类为例，是指在单位立方英寸的洁净室空间内，平均只有10个粒径在0.5微米以上的粉尘，所以Class数越少，清洁度越好，当然成本也越贵。同时，也是洁净室设备厂商保证洁净空间安全、舒适、节能、高效。

一.定义不一样

1.电导体电导体（conductor）就是指电阻不大且便于传导电流的化学物质。电导体中出现很多可随意运动的自由电子称之为自由电子。在外面静电场的作用下，自由电子作定向运动，产生显著的电流量。

2.半导体材料半导体材料（semiconductor），指常温状态导电率能处于电导体（conductor）与绝缘物（insulator）中间的原材料。半导体材料在录音机.电视及其温度测量上拥有普遍的运用。如二极管便是使用半导体材料制作的元器件。

二.归类不一样

1.第一类电导体金属材料是最普遍的一类电导体。金属材料中的原子和里层电子器件组成原子实，标准地排成点阵式，而外面的价电子非常容易摆脱原子的约束而变成自由电荷，他们组成导电性的自由电子。

2.第二类电导体电解质溶液的溶剂或称之为锂电池电解液的熔化电解质溶液也是电导体，其自由电子是正空气负离子。试验发觉，绝大多数纯液态尽管也可以电离度，但电离度水平不大，因此并不是电导体。

3.别的介电质电的绝缘物又称之为电解介质。他们的电阻极高，比合金的电阻大1014倍之上。绝缘物在一些外部标准（如加温.加髙压等）危害下，会被“穿透”，而转换为电导体。绝缘物或电解介质的关键电力学特性体现在氧化还原电位.电极化.耗损和穿透等环节中。

4.半导体材料半导体器件许多，按成分可分成原素半导体材料和有机化合物半导体材料两类。锗和硅是最常见的元素半导体材料；化学物质半导体材料包含第Ⅲ和第Ⅴ族化学物质（氮化镓.磷化镓等）.第Ⅱ和第Ⅵ族化学物质（硫化镉.氧化钨等）.金属氧化物（锰.铬.铁.铜的金属氧化物）。及其由Ⅲ-Ⅴ族化学物质和Ⅱ-Ⅵ族化学物质构成的离子晶体（镓铝砷.镓砷磷等）。除以上晶态半导体材料外，也有非晶态的夹层玻璃半导体材料.有机化学半导体材料等。

三.特点不一样

1.热敏电阻特点半导体材料的电阻值随环境温度改变会出现显著地更改。2.感光特点半导体材料的电阻对光线的改变十分比较敏感。有阳光照射时.电阻不大；无阳光照射时，电阻非常大。3.夹杂特点在纯粹的半导体材料中，掺人极少量的残渣原素，便会使它的电阻产生巨大的转变。4.半导体材料半导体材料五大特点∶夹杂性，热敏性，光敏性，负电阻温度特点，整流器特点。5.在产生分子结构的半导体材料中，人为因素地掺加特殊的残渣原素，导电率能具备可预测性。6.在阳光照射和辐射热标准下，其导电率有显著的转变。

半导体是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质，其电导率容易受控制，可作为信息处理的元件材料。从科技或是经济发展的角度来看，半导体非常重要。很多电子产品，如计算机、移动电话、数字录音机的核心单元都是利用半导体的电导率变化来处理信息。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

基本简介

半导体

顾名思义：常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料，叫做半导体（semiconductor）。

物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性和导电导热性差或不好的材料，如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等，称为绝缘体。而把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。

半导体的分类，按照其制造技术可以分为：集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，虽然不常用，单还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

基本定义

电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。

半导体室温时电阻率约在10E-5～10E7欧·米之间，温度升高时电阻率指数则减小。

半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。

锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物(硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。

半导体（东北方言）：意指半导体收音机，因收音机中的晶体管由半导体材料制成而得名。

本征半导体

不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下，半导体的价带是满带(见能带理论)，受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。导带中的电子和价带中的空穴合称电子 - 空穴对，均能自由移动，即载流子，它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子 - 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子 - 空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，实际应用不多。

分立功率器件按照功率的大小划分为大功率半导体器件和中小功率半导体器件。具体来说，大功率晶闸管专指承受电流值在200A 以上的晶闸管产品；大功率模块则指承受电流25A 以上的模块产品；大功率IGBT、MOSFET 指电流超过50A 以上的IGBT、MOSFET 产品。

1956 年美国贝尔实验室（Bell Lab）发明了晶闸管，国际上，70 年代各种类型的晶闸管有了很大发展，80 年代开始加快发展大功率模块，同时各种大功率半导体器件在欧美日有很大的发展，90 年代IGBT 等全控型器件研制成功并开始得到应用。

在国内，60 年代晶闸管研究开始起步，70 年代研制出大功率的晶闸管，80年代以来，大功率晶闸管在中国得到很大发展，同时开始研制模块；本世纪以来，开始少量引进超大功率晶闸管（含光控晶闸管）技术；近年来国家正在逐步引进IGBT、MOSFET 技术。中国宏观经济的不断成长，带动了大功率半导体器件技术的发展和应用的不断深入。

晶闸管、模块、IGBT 的发明和发展顺应了电力电子技术发展的不同需要，是功率半导体发展历程中不同时段的重要标志产品，他们的应用领域、应用场合大部分不相同，小部分有交叉。在技术不断发展和工艺逐步改善的双重推动下，[1]大功率半导体器件将向着高电压、大电流、高频化、模块化、智能化的方向发展。在10Khz 以下、大功率、高电压的场合，大功率晶闸管和模块具有很强的抗冲击能力及高可靠性而占据优势，同时又因成本较低、应用简单而易于普及。在10Khz 以上、中低功率场合，IGBT、MOSFET 以其全控性、适用频率高而占据优势。

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