导体、半导体、绝缘体有什么区别，分别有什么用途？

1、物理性质不同：

（1）导体电阻率很小且易于传导电流。导体中存在大量可自由移动的带电粒子。在外电场作用下，带电粒子作定向运动，形成明显的电流。

（2）半导体常温下导电性能介于导体与绝缘体之间。

（3）绝缘体不善于传导电流，电阻率极高。绝缘体和导体，没有绝对的界限。绝缘体在某些条件下可以转化为导体。

2、用途不同：

（1）导体常用于工程技术、科学以及能源领域。

（2）半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。

（3）绝缘体通常作为电缆的外表覆层。事实上空气本身就是一种绝缘体，并不需要其他的物质进行绝缘。高压输电线就是通过空气绝缘的，因为使用固体（例如塑料）覆层并不实际。然而，导线相互接触可能造成短路和火灾。

在同轴电缆中，中心的导体必须位于正中，以防止电磁波的反射。另外，任何高于60V的电压都会对人体造成电击或触电危险。使用绝缘体作为外表覆层可以防止这些问题。

扩展资料：

通常电阻系数小的，导电性能好的物体例如：银、铜、铝是良导体。含有杂质的水、人体、潮湿的树木、钢筋混凝土电杆、墙壁、大地等，也是导体，但不是良导体。

电阻系数很大的，导电性能很差的物体例如：陶瓷、云母、玻璃、橡胶、塑料、电木、纸、棉纱、树脂等物体，以及干燥的木材等都是绝缘体。

导电性能介于导体和绝缘体之间的物体例如：硅、锗、硒、氧化铜等都是半导体。

修电磁炉是吧，给你些资料。 电磁炉的分类及修理事项在修理中常见的电磁炉大致分为两类：由LM339（四电压比较器）输出脉冲信号。1：触发部分由正负两组电源，管子用PNP\NPN组成，类似这种电路，后级大多是用大功率管多个复合而成，组成高压开关部分，在代换中，前一个用带阻尼的行管替代即可。后几个则很难找到特性一致的管子，解决的办法是在散热器安装孔允许的情况下改用大电流的管子以减少数量，金属封装得如：BUS13A等，塑封的如：BU2525/BU2527/BU2532/D3998一类，用两个就可以。2：功控管用IGBT绝缘栅开关器件；这些机器特征是不用双电源触发，只有+5V和+12V,LM339通过触发集成块TA8316带动IGBT这种情况下只能用此一类的管子代替，损坏程度大致为，只有管子坏，换上即可。其次是整流桥同时损坏，（一般是烧半壁），在其次是触发集成块TA8316坏，连带LM339N一起损坏的很少见。对于高压模块，由于这方面的参数手册很少，希望大家搜集转贴，以便代换时参考。不能贸然更换,最好有示波器先测其G极波形及幅值(没有的话用万用表测此点直流电压应在1-2.5伏之间变化).接上线盘前要确定其它几路小电源供电正常.2.1.2 IGBT绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。目前有用不同材料及工艺制作的IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。IGBT有三个电极(见上图), 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极) 。从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻大, 器件发热严重, 输出效率下降。IGBT的特点:1.电流密度大, 是MOSFET的数十倍。2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下, 其导通电阻Rce(on) 不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。5.开关速度快, 关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us, 约为GTR的10%,接近于功率MOSFET, 开关频率直达100KHz, 开关损耗仅为GTR的30%。IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体, 是极佳的高速高压半导体功率器件。目前458系列因应不同机种采了不同规格的IGBT,它们的参数如下:(1) SGW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120。(2) SKW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装。(3) GT40Q321-----东芝公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时42A,100℃时23A, 内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120, 代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。(4) GT40T101-----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用GT40T301。(5) GT40T301-----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A, 内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、 GT40T101, 代用SGW25N120和GT40T101时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。(6) GT60M303 ----东芝公司出品,耐压900V,电流容量25℃时120A,100℃时60A, 内部带阻尼二极管。顺便说明:我用G25N120代换加阻尼管,不是说此管内部不带阻尼管,(实际上它内部已附带阻尼管,)只是我在维修时先加上试机正常后再去掉,为的是防止机子还有其它问题而引起烧了它从而避免过大的损失,装上此管再并是一支阻尼后要是还有其它问题一般只会烧外加阻尼而不会烧功率管.电磁炉维修经验（一）一、PD16F/16Y/13J 老版（大单机68H1908）1、现象：上电长鸣，指示灯全亮方法：更换R53：1/6W-10K为1/6W-4.7K或1/4W-4.7K二、PD16F/16Y/16J-2002（小单片机 1202）1、现象：正常电压开机长鸣方法：更换R15：1W-330K±1%2、不检锅方法：拨掉排线（功率板到控制板），测量R16：1W-330K±1%；R17、R18：1W-240K±1%是否正常，更换不正常电阻。如无法测，则直接更换R16：1W-330K±1%，不正常再更换R17、R18：1W-240K±1%。3、上电无反应：测量功率板桥堆、保险管是否损坏，如桥堆损坏而IGBT未短路则更换桥堆保险管。三、PSD18C/D/E1、出现E07、E08方法：更换R310：1W-330K±1%2、不检锅方法：拨掉排线测量R300：1W-330K±1%；R305、R304：1W-240K±1%，更换不正常电阻，如无法测量则直接更换R300：1W-330K±1%；还不正常，则更换R304、R305：1W-240K±1%3、上电无反应方法：同第二大点中第3小点电磁炉维修经验(二)1.电磁炉无论有什么故障,在更换元件后,一定不要急于接上线盘试机,否则会引起烧坏IGBT和保险管,甚至整流桥。应该在不接线盘的情况下，通电测试各点电压,比如5V、12V、20V(有的18V、22V)，和驱动电路输出的波型(正常是方波)，也可以用数字万用表20V档测试(正常电压不断波动)。因为一般电磁炉都有锅具检测，大概30秒左右,要测驱动输出要在开机的30秒内，看不清楚可关机再开，检测正常后再接上线盘即可。2.电磁炉坏之后，检测电路不要一开始就怀疑芯片有问题(95%以上芯片不会的故障),就算芯片有问题都要到生产该电磁炉的厂家才有,市场买不到,市场上的型号相同都不能代换。3.通电后报警关机，这类问题比较多。有的厂家设有故障代码,参照使用说明可逐一解决。如果没故障代码显示,应检查锅底温度、锅具、IGBT温度检测电路。电磁炉常用整流桥型号及参数RBV-2006/20A/600VRBV2506/25A/600VK15T120此管是带阻的，可用H20T120代，或用其它带阻的IGBT代均可。比如40N150，25G120等都可使用G40N150D就可以看看这些如何：SGW25N120DK25T120G25N120DFGA25N120MGY25N120DIRG30B120G18N120BNAFSIGC25T120CSG25N120参数如下:(1) SGW25N120----西门子,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部不带阻尼二极管,(2) SKW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部带阻尼二极管,(3) GT40Q321----东芝公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时42A,100℃时23A, 内部带阻尼二极管,(4) GT40T101----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A,内部不带阻尼二极管,(5) GT40T301----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A, 内部带阻尼二极管,公布一些电磁炉用功率管的型号，代换，参数GT40Q321， FGL40N150D， FGL60N170D， FGA25N120，SK25N120， G40N150D， FGA25N135，1MBH25D--120，GP20B120UD--E， IXGH20N120BDI，以上功率管内部都带阻尼管，耐压都在1200V以上电流在20A以上只要电流相差不多都可以互相代换。SGW25N120，K15T120。。。。。。。。。。。。。以上的管子内部不带阻尼，如果要代换一上功率管时可以在电路板上安装2个以上的阻尼二极管耐压1200V以上，电流在8A以上我们换IGBT都用20T120的通带（小的TGBT）大的用GT40T101就行了阻尼管二极管可选用：BY459大量维修实践表明，电磁炉（灶）内的部分元器件因工作温度较高，工作电流较大，电压较高等，其故障或损坏概率也较高。其中的场效应功率管损坏率最高。但由于商业竞争激烈，一般都不随机附带图纸，加之电磁炉所采用的场效应功率管一般均为较新产品，这便给维修带来不便和困难。下面笔者根据汇集来的相关资料，提供几种常用电磁炉场效应功率管及代换资料供参考。电磁炉一般均采用N型沟道功率场效应管，其相关参数为BVCBO≥1600V，BVCEO≥1000V，PCM≥100W，ICM≥7A，HFE≥40。内部带阻尼二极管的型号有GT40N150D、GT40T301、SEC·G40N150D、ZON120ND、GT40T101、SQD35JA等。内部不带阻尼二极管的型号有BT40T101、SGL40N150/150D等。在维修代换时，若采用不带阻尼二极管的功率场效应管，应在D、S极间加接一只阻尼二极管，该二极管必须是快恢复型阻尼二极管，其耐压应≥1500V。加接时正极接S极，负极接D极即可。参考型号如S5J53、BY4591500等。在负载电磁线圈和功率管之间串一只100W的灯泡再通电试机,可以防止烧管

高压线上的半导体作用是：当屏蔽层

在导体表面加一层半导电材料的屏蔽层，它与被屏蔽的导体等电位并与绝缘层良好接触，从而避免在导体与绝缘层之间发生局部放电，这一层屏蔽为内屏蔽层，同样在绝缘表面和护套接触处也可能存在间隙，是引起局部放电的因素，故在绝缘层表面加一层半导电材料的屏蔽层，它与被屏蔽的绝缘层有良好接触，与金属护套等电位，从而避免在绝缘层与护套之间发生局部放电，这一层屏蔽为外屏蔽层，

半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。

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