高压柜耐压试验在厂内或现场一般只做工频耐压试验（有些现场或实验站可以做冲击耐压）。高压柜耐压试验项目包括：相间及相对地、断口。当打相对地时，需要把开关合闸，三相导体用铜丝连起来打。当打断口时，开关分闸，需要分别把母线室的三相连起来与壳体接地

大功率开关电源大功率开关电源电路图 大功率可调开关电源设计方案一种大功率可调开关电源的设计方案1、引言开关电源作为线性稳压电源的一种替代物出现，其应用与实现日益成熟。而集成化技术使电子设备向小型化、智能化方向发展，新型电子设备要

刚开机就烫手那当然不是正常的了，一般是容量下降电解质干涸就会出现这样的事，这要发展下去总有一天电容会爆裂的哦，当然是建议你找一个相近容量和耐压的电容换上去，你更换时只注意一点就是，耐压只能选择比原一样的或者比原大一点的来用，反之对其容量的大

哥们你弄混了吧，PWM输出电压为24V接L298N很好啊。L298N有两个电源，一个是逻辑电源电压Vss（Multiwatt15型PIN9，极限耐压7V），另一个是电机的电源电压Vs（Multiwatt15型PIN4，极限耐压50V）。你就

驱动芯片1 可以提供更大的驱动电流，或者更高的驱动电压2 有的时候把一个PWM信号分解成互补(或者同向但有一点时间差)的两个信号，来同时驱动不同MOS3 有的时候进行信号隔离，将一些不是以地为参考点的MOS进行驱动暂时先想到这么多

在测量电容器时，我们要理解真值、有效值和显示值之间的区别。真值是剔除了元件寄生电感和寄生电阻等因素的理想电容器的容量值；有效值是元件阻抗实部和虑部的总和，它与频率是相关的；显示值是测量仪器所显示的数值，它同测量精度有关。当测试高容值电容元件

一、快恢复二极管简称FRD（反向恢复时间很短的二极管），也是一种高速开关二极管，这种二极管的开关特性好，反向恢复时间很短，正向压降低，反向击穿电压较高（耐压值较高），主要应用于开关电源、脉宽调制电路PWM以及变频等电子电路中。二、肖

二极管反向接法时，二极管两端承受的电压称为反向电压，如果这个反向电压足够大，二极管就被击穿了（你可以认为变成导线了），此时这个击穿的反向电压就叫反向击穿电压，这个电压值就是反向耐压值。没有“正向耐压”一说，只有“正向电压”“正向压降”等同意

6 脚，光电耦合器 高耐压、非过零检测可控硅触发输出 Part Number IFT(mA)max VTM(V)max VDM(V)min IH(uA)typ IRM(nA)max VISOAC[RMS]1 min MOC3010 15 3

安规电容: 主要用途： CBBR型X2类RC阻容网络，适用於电网电源供电的电子仪器和电子设备,应用於开关、触点等产生火花放电的部位，能够起吸收脉冲干扰和减少电磁骚扰的作用。广泛地使用於电动工具、灯饰、风筒、热水器等家用电器中。 1、特徵：

在电源电路中，整流电路将交流变成脉动的直流，而在整流电路之后接入一个较大容量的电解电容，利用其充放电特性，使整流后的脉动直流电压变成相对比较稳定的直流电压。在实际中，为了防止电路各部分供电电压因负载变化而产生变化，所以在电源的输出端及负载的

iphone用鲁大师测是否真机的方法为：在鲁大师软件中通过对比手机的硬件配置是否符合官方配置，查看更详细的手机硬件情况，可以点击硬件详情即可辨别手机真假。看机身内屏、外屏、摄像头等部位是否有瑕疵。假机无法享受正规手机“三包”规定等所有权益。

1、检测10pF以下的小电容：因10pF以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。测量时，可选用万用表R×10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。2、检测10PF～001

将被测物接入测量端，启动仪器，将试验电压升至被测物额定工作电压的106倍（或11倍），切换相位转换开关，分别读取二次读数，选取数值大的读数泄漏电流值。当转换开关K与零线接通时，测试仪所采样的是中线与外壳间的泄漏电流；当K与相线接通时，测试的

通过旋钮调节。服务器电源就是指使用在服务器上的电源（POWER），它和PC（个人电脑）电源一样，都是一种开关电源。可以通过旋钮调节服务器电源电压输出，通过调节输出电压来满足服务器测试时四角、拉偏等测试需要，对于服务器测试具有重要作用。由题中

MOS管不要做阻性负载，电炉本身就是阻性，对电压没要求，你只需要控制导通的周期就可以了。也就是MOS管本身不做负载，而是一个开关，控制开关的时间比，就能控制输出的功率，达到控制电炉的发热温度了。以前的可控硅就是干这个的，功率可以很大。只需要

1、观察法：从外表上看滤波电容，检测其有没有破裂、脱皮、露液、炸开等现象，如有更换等电压值 等容量值的电容就可以了。2、测容值法：把怀疑的电容拆下，用数字式万用表测其容值是不是与标称值相近如是就是好的，否则是坏的。3、电阻档测量法：用万用表

A2SHB是场效应晶体管，具体类别为：Mos管,SI2302。MOS管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和d

是测试电源输入和输出之间的还是几路输出之间的隔离电压？两者的测试方法差不多，如下：1、测试电源的输入和输出间的耐压：将所有输入端的引脚短接，所有输出端的引脚短接，耐压仪输出的高压加在短接的输入和短接的输出之间，加耐压测试，如下图所示。2、同