集成块的命名法是什么?

集成电路的命名 目前，集成电路的命名国际上还没有一个统一的标准，各制造公司都有自己的一套命名方法，给我们识别集成电路带来很大的 困难，但各制造公司对集成电路的命名总还存在一些规律。下面列出一些常见的集成电路生产公司的命名方法供大家参考。 （只写了前缀〕 1.National Semiconductor Corp.（国家半导体公司〕 AD：A/D技术'>转换器； DA：D/A转换器； CD：CMOS数字电路； LF：线性场效应； LH：线性电路（混合〕；LM：线性电路〔单块〕； LP：线性低功耗电路。 2.RCA Corp. (美国无线电公司) CA、LM：线性电路； CD：CMOS数字电路； CDM；CMOS大规模电路。 3.Motorola Semiconductor Products,Inc. (摩托罗拉半导体公司) MC：密封集成电路； MMS：存储器电路； MLM：引线于国家半导体公司相同的线性电路。 4.NEC Electronics,Inc. (日本电气电子公司) uP: 微型产品。 A：组合元件； B：双极型数字电路； C：双极型模拟电路； D：单极型数字电路。 例：uPC、uPA等。 5.Sanyo Electric Co.,Ltd. (三洋电气有限公司) LA：双极型线性电路； LB：双极型数字电路； LC：CMOS电路； STK：厚膜电路。 6.Toshiba Corp. (东芝公司) TA：双极型线性电路； TC：CMOS电路； TD：双极型数字电路； TM：MOS电路。 7.Hitachi,Ltd. (日立公司) HA：模拟电路； HD：数字电路； HM：RAM电路； HN：ROM电路； 8.SGS Semiconductor Corp. (SGS半导体公司) TA、TB、TC、TD：线性电路； H：高电平逻辑电路； HB、HC：CMOS电路。 例：TD A 后\\\'A\\\'为温度代号。 部分集成电路制造公司名称及型号前缀 先进微器件公司 〔美国〕 AM 模拟器件公司 〔美国〕 AD 仙童半导体公司 〔美国〕 F、uA 富士通公司 〔日本〕 MB、MBM 日立公司 〔日本〕 HA、HD、HM、HN 英特尔公司 〔美国〕 I 英特西尔公司 〔美国? ICL、ICM、IM 松下电子公司 〔日本? AN 史普拉格电气公司 〔美国〕 ULN、UCN、TDA 三菱电气公司 〔日本〕 M 摩托罗拉半导体公司 〔美国? MC、MLM、MMS 国家半导体公司 〔美国〕 LM、LF、LH、LP、AD、DA、CD 日本电气有限公司 〔日本〕 uPA、uPB、uPC 新日本无线电有限公司 〔日本〕 NJM 冲电气工业公司 〔日本〕 MSM 飞利浦元件公司 〔荷兰〕 HEF、TBA、TDA 三星半导体公司 〔韩国〕 KA、KM、KS 山肯电气有限公司 〔日本〕 STR 三洋电气有限公司 〔日本〕 LA、LB、LC、STK SGS电子元件公司 〔意大利〕 TDA、H、HB、HC 夏普电子公司 〔日本〕 LH、LR、IX 西门子公司 〔德国〕 SO、TBA、TDA 西格乃铁克斯公司 〔美国〕 NE、SE、ULN 索尼公司 〔日本〕 BX、CX 东芝公司 〔日本〕 TA、TC、TD、TM 2 一、 中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管 日本半导体分立器件型号命名方法 二、日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下： 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。 第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管技术'>晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。 第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。 第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。 美国半导体分立器件型号命名方法 三、美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下： 第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。 第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。 第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。 第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。 第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。 四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下： 第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料 第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。 第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。 第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。 除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下： 1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。 2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。 3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。 如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。 五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法 欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。 第一部分：O-表示半导体器件 第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。 第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。 第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。

采纳哦

Ic产品型号有多种多样，较多见的是有前缀表示厂家。

前缀 生产厂家

AB乐德HFO公司

AD美国模拟器件公司

ADC 美国半导体公司

AM选进微型器件公司

AN日本松下电子工业株式公司

AY美国通用仪器公司

19A 上海无线电十九厂

BA日本东洋电具制作所

BG北京东光电工厂

BGD 北京市半导体器件研究所

BH北京半导体器件三厂

BJ北京电子管厂

BL北京半导体六厂

BW北京半导体器件五厂

CA美国无线电公司

CD无锡江南无线电厂

美国国家半导体公司

CF常州半导体厂

CH上海无线电十四厂

CL苏州半导体总厂

COP 美国无线电公司

cs美国齐端半导体器件公司

CX、CXA 日本索尼公司

D无锡江南无线电器材厂

甘肃泰安七四九厂

风光电工厂

天光集成电器厂

DCA 美国半导体公司

DG北京东光电工厂

DL大连仪表元件厂

DN日本松下电子工业株式公司

EA 日本电气(USA)公司电子陈列部

E、ER甘肃泰安天光电工厂

F甘肃泰安永红器材厂

美国仙童公司

FC上海八三三一厂

FD苏州半导体总厂

FG北京电子管厂

湖北襄樊仪表元件厂

FL贵州都匀风光电子厂

FS贵州都匀四四三三厂

上海无线电七厂

宜昌半导体厂

FY上海八三三一厂

G国际微电路公司

5G上海元件五厂

GD上海电器电子元件厂

HA日本日立株式会社

HD日本日立公司

HF杭州无线电元件二厂

HG华光电子电器厂

HM日本日立株式会社

HMI 哈里斯半导体公司

HN日本日立株式会社

ICL 美国英特锡尔公司

IX日本夏普股份公司

HXT日本日立株式会社

8JM 北京电子管厂

KC日本索尼股份公司

KD北京半导体器件五厂

L/LA/LB/LC/LE 日本三洋电机股份公司

LC/LG 美国通用仪器公司

LD陕西骊山微电子公司

LDD 上海半导体六厂

LF美国国家半导体公司

LH美国NSC

上海无线电十九厂

LJ陕西骊山微电子公司

LM/LP 美国国家半导体公司

M日本三菱电机株式会社

MA加拿大米特尔半导体公司

MB日本富士通有限公司

MC/MCM 美国奠托洛拉半导体公司

MD/MH 加拿大米特尔半导体公司

MK美国莫斯特卡公司

ML加拿大米特尔半导体公司

MLM 美国莫托洛拉半导体公司

MMS 美国奠托洛拉公司

MN日本松下电器公司

MP美国微功率系统公司

MSM日本冲电气公司

MT密特尔半导体公司

删S美国无线电公司

N美国西格尼蒂克公司

南京半导体器件总厂

NE荷兰飞利浦公司

英国麦拉迪公司

NJM/NLM 日本新日元

NT江苏南通晶体管厂

QS长春微电子工厂

RCA美国无线电公司

RSN美国德克萨斯仪器公司

S美国微系统公司

SAB/SAS 德国西门子公司

SB上海无线电十九厂

SBP美国德克萨斯仪器公司

SC上海无线电七厂

SD北京半导体器件二厂

SDA德国西门子公司

欧洲电子联盟

SF上海无线电七厂

SG长沙韶光电工厂

通用硅公司

SH美国仙童公司

SL上海半导体器件十六厂

普莱赛公司

SMC/SN/SNA/SNC/SNH/SNM 美国德克萨斯仪器公司

SP 英国普利斯半导体有限公司

STK 日本三洋电机株式会社

STS 上海无线电七厂、十九厂

SO 西德西门子公司

6S 北京电子管厂

TA 日本东芝电气株式会社

无锡七四二厂

TAA 欧洲联合共同体

（西门子/西格尼蒂克/史普拉格／德律风根／仙童／奠托洛拉等）

TB 天津半导体器件一厂

TBA 风光电工厂

欧洲共同体

贵州四四三三厂

法国汤姆逊公司

日本日立株式会社

TC 日本东芝浦电气股份公司

TCA 西德德德风根公司

TD/TM 日本东芝浦电气株式会社

TDA 荷兰飞利浦公司

英国麦拉迪公司

欧洲电子联盟

意大利亚帝斯电子元件公司

日本日立株式会社

日本电气公司

TMS/TL 美国德萨克斯仪器公司

TFK/U 西德德律风根公司

TPA 西德西门子公司

μA 美国仙童公司

μAA 西德西门子公司

μDA 欧洲电子联盟

μLS/μLX 美国史普拉格公司

μPA/μPC/μPD 日本电气公司

μPC 美国电子公司

UAA 西德西门子公司

UM 通用半导体公司

UL/ULA/ULN美国史普拉格公司

ULN 锦州七七七厂

X 电子工业部二十四研究所

南昌无线电二厂

7XF 陕西商县卫光电工厂

XFC 延河无线电厂

甘肃泰安永红电工厂

XG四川新光电工厂

湖南长沙绍光电工厂

XGF 八七九厂

XR 美国埃克亚集成系统公司

XW 无锡半导体总厂

YA 责州凯里永光电工厂

ZF 甘肃泰安永红电工厂

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