集成电路行业中所说的“掩膜”是什么意思啊

集成电路行业中所说的“掩膜”是光掩膜

光掩膜(mask)资料:

在半导体制造的整个流程中，其中一部分就是从版图到wafer制造中间的一个过程，即光掩膜或称光罩(mask)制造。这一部分是流程衔接的关键部分，是流程中造价最高的一部分，也是限制最小线宽的瓶颈之一。

光掩膜除了应用于芯片制造外，还广泛的应用与像LCD，PCB等方面。常见的光掩膜的种类有四种，铬版(chrome)、干版，凸版、液体凸版。主要分两个组成部分，基板和不透光材料。基板通常是高纯度，低反射率，低热膨胀系数的石英玻璃。铬版的不透光层是通过溅射的方法镀在玻璃下方厚约0.1um的铬层。铬的硬度比玻璃略小，虽不易受损但有可能被玻璃所伤害。应用于芯片制造的光掩膜为高敏感度的铬版。干版涂附的乳胶，硬度小且易吸附灰尘，不过干版还有包膜和超微颗粒干版，其中后者可以应用于芯片制造。(顺便提一下，通常讲的菲林即film，底片或胶片的意思，感光为微小晶体颗粒)。

在刻画时，采用步进机刻画(stepper)，其中有电子束和激光之分，激光束直接在涂有铬层的4-9“ 玻璃板上刻画，边缘起点5mm，与电子束相比，其弧形更逼真，线宽与间距更小。光掩膜有掩膜原版(reticle mask，也有称为中间掩膜，reticle作为单位译为光栅)，用步进机重复将比例缩小到master maks上，应用到实际曝光中的为工作掩膜(working mask)，工作掩膜由master mask复制过来。

火车上，提交的时候断网了，又要输一遍，悲催啊！！！

这个shot map不是封装的术语，纯粹是光刻的，而且是只针对投影式步进光刻的。

在stepper光刻机中，reticle的图形被缩小投影到wafer表面，曝光wafer上的光刻胶。reticle一般尺寸是5寸或者6寸，而缩小的倍率一般是4倍或者5倍，最后得到的曝光范围是小于50mm的，一般是30mm左右见方。而对于wafer，从2寸到12寸，一次投影是不能完成整个面积的，必须要多次投影曝光才能覆盖整个wafer。

shot，指的就是一次投影曝光，很形象的命名，就像照相机在照相的时候闪光灯flash一下。

map，半导体领域常用于表示某种分布，也是很形象的命名，用的很广泛。

shot map，顾名思义，多次投影曝光在wafer上的分布。不同的产品，分布是不同的，甚至shot也是不同的，所以需要综合考虑。

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