典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消除边缘区域的电场,提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻,其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层,其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数,N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒,如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极,N型基片接电源负极)时,肖特基势垒层变窄,其内阻变小反之,若在肖特基势垒两端加上反向偏压时,肖特基势垒层则变宽,其内阻变大。
综上所述,肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管,而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管,采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世,这不仅可节省贵金属,大幅度降低成本,还改善了参数的一致性。
简单的解释一下原理:肖特基二极管(音译Schottky)实质上是一种金属-半导体器件,金属早期多用贵金属(金银等)制作,现在有铝基的,半导体为N型以提供所需电子。静置时由于扩散漂移形成势垒,两极正偏连接(金属接阳,半导体接阴)势垒宽度变窄,易于形成电流,过一定正偏值可理解为导通,反偏时势垒宽度变大,可理解为截止。
几个特性,作为应用者了解就够了:
肖特基中为单子形成电流,那就是电子,金属中无空穴扩散参与;
肖特基二极管的正向导通电压比一般二极管小很多,一般为0.1~0.4V,而普通的为0.5~0.7V;
反向恢复时间短,电流通透能力大,可达安培以上量级甚至千安量级。
至于结构,需要查阅半导体器件制造的相关书籍。
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