为什么要叫N型半导体

“N”表示负电的意思，取自英文Negative的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的 (即导电载体) 主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的施主，所以叫N型半导体。 由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

一楼是对的，是Positive - Negative junction。 P-type semiconductor就是空穴型半导体（Positive-type semiconductor），N-type semiconductor就是电子型半导体（Negative-type semiconductor），两种半导体合起来就是一个最简单的PN结，又叫diode（二极管）。不叫“正性半导体和负性半导体”。二楼没有在教科书上面看到过，是因为这种理论已经是常识了，现在书上几乎都不写了，不过老的教科书上还有。

先介绍本真半导体

本真半导体就是纯净的硅或者锗形成的半导体，但是这类半导体没多大用，因为其载流子浓度低，导电能力很差（其导电能力其实是由电子-空穴对表现出来的，电子离开原来的位置后，原来的位置就成为了空穴），于是人们就想出了参杂。

如果往硅里面参杂3价元素硼，那么可以得到P型半导体，这是为什么呢？

记住参杂的是原子，整块材料是电中性的。当参杂磷原子进去时，磷是元素周期表中15号元素，外围5个电子，而硅外围4个电子，但是磷只能和硅形成4个共价键。这就导致了还剩一个磷的电子落单，它很不稳定，动不动就离家出走，留下空穴。每参杂一个磷原子，便会有一个单身磷电子（对，就是这么可怜），所以整块材料中电子成为多数，空穴成为少数（空穴只在电子离家出走的时候形成），电子为多数载流子就叫N（negetive)型半导体.

反之，你可以类比P（positive )型半导体.

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