气体工业名词术语(
标准气体、高纯气体、特种气体)1. 特种气体 (Specialty gases) :指那些在特定领域中应用的, 对气体有特殊要求的纯气、高纯气或由高纯单质气体配制的二元或多元混合气。特种气体门类繁多, 通常可区分为电子气体、标准气、环保气、医用气、焊接气、杀菌气等, 广泛用于电子、电力、石油化工、采矿、钢铁、有色金属冶炼、热力工程、生化、环境监测、医学研究及诊断、食品保鲜等领域。2. 标准气体 (Standard gases) :标准气体属于标准物质。标准物质是高度均匀的、良好稳定和量值)准确的测定标准, 它们具有复现、保存和传递量值的基本作用, 在物理、化学、生物与工程测量领域中用于校准测量仪器和测量过程, 评价测量方法的准确度和检测实验室的检测能力, 确定材料或产品的特性量值, 进行量 值仲裁等。大型乙烯厂、合成氨厂及其它石化企业, 在装置开车、停车和正常生产过程中需要几十种纯气和几百种多组分标准混合气, 用来校准、定标生产过程中使用的在线分析仪器和分析原料及产品质量的仪器。标准气还可用于环境监测, 有毒的有机物测量, 汽车排放气测试, 天然气BTU 测量, 液化石油气校正标准, 超临界流体工艺等。标准气视气体组分数区分为二元、三元和多元标准气体配气准度要求以配气允差和分析允差来表征比较通用的有SE2M I 配气允差标准, 但各公司均有企业标准。组分的最低浓度为10- 6级, 组分数可多达20余种。配制方法可采用重量法, 然后用色谱分析校核, 也可按标准传递程序进行传递。3、电子气体 (Elect ron ic gases) :半导体工业用的气体统称电子气体。按其门类可分为纯气、高纯4 _6 m+ p- _4气和半导体特殊材料气体三大类。特殊材料气体主要用于外延、掺杂和蚀刻工艺;高纯气体主要用作稀释气和运载气。电子气体是特种气体的一个重要分支。电子气体按纯度等级和使用场合,可分为电子级、L S I (大规模集成电路) 级、VL S I (超大规模集成电路) 级和UL S I (特大规模集成电路)级。 4. 外延气体 (Cp itax ial gases) :在仔细选择的衬底上采用化学气相淀积(CVD) 的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4 种, 即硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅, 主要用于外延硅淀积, 多晶硅淀积, 淀积氧化硅膜, 淀积氮化硅膜, 太阳电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率往往与衬底不同。5. 蚀刻气体 (Etch ing gases) :蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉, 而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来, 这样便在基片表面得到所需要的成像图形。蚀刻的基本要求是, 图形边缘整齐, 线条清晰, 图形变换差小, 且对光刻胶膜及其掩蔽保护的表面无损伤和钻蚀。蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法蚀刻所用气体称蚀刻气体, 通常多为
氟化物气体, 例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蚀刻由于蚀刻方向性强、工艺控制精确、方便、无脱胶现象、无基片损伤和沾污, 所以其应用范围日益广泛。 1. 特种气体 (Specialty gases) :指那些在特定领域中应用的, 对气体有特殊要求的纯气、高纯气或由高纯单质气体配制的二元或多元混合气。特种气体门类繁多, 通常可区分为电子气体、标准气、环保气、医用气、焊接气、杀菌气等, 广泛用于电子、电力、石油化工、采矿、钢铁、有色金属冶炼、热力工程、生化、环境监测、医学研究及诊断、食品保鲜等领域。2、 标准气体 (Standard gases) :标准气体属于标准物质。标准物质是高度均匀的、良好稳定和量值准确的测定标准, 它们具有复现、保存和传递量值的基本作用, 在物理、化学、生物与工程测量领域中用于校. d( [准测量仪器和测量过程, 评价测量方法的准确度和检测实验室的检测能力, 确定材料或产品的特性量值, 进行量值仲裁等。大型乙烯厂、合成氨厂及其它石化企业, 在装置开车、停车和正常生产过程中需要几十种纯气和几+百种多组分标准混合气, 用来校准、定标生产过程中使用的在线分析仪器和分析原料及产品质量的仪器。标准气还可用于环境监测, 有毒的有机物测量, 汽车排放气测试, 天然气BTU 测量, 液化石油气校正标准, 超临界流体工艺等。标准气视气体组分数区分为二元、三元和多元标准气体配气准度要求以配气允差和分析允差来表征比较通用的有SE2M I 配气允差标准, 但各公司均有企业标准。组分的最低浓度为10- 6级, 组分数可多达20余种配制方法可采用重量法, 然后用色谱分析校核, 也可按标准传递程序进行传递。3、 电子气体 (Elect ron ic gases) :半导体工业用的气体统称电子气体。按其门类可分为纯气、高纯气和半导体特殊材料气体三大类。特殊材料气体主要用于外延、掺杂和蚀刻工艺;高纯气体主要用作稀释气和运载气。电子气体是特种气体的一个重要分支。电子气体按纯度等级和使用场合,可分为电子级、L S I (大规模集成电路) 级、VL S I (超大规模集成电路) 级和UL S I (特大规模集成电路)级。 4. 外延气体 (Cp itax ial gases) :在仔细选择的衬底上采用化学气相淀积(CVD) 的方法生长一层或多层材料所用气体称为外延气体。硅外延气体有4 种, 即硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅, 主要用于外延硅淀积, 多晶硅淀积, 淀积氧化硅膜, 淀积氮化硅膜, 太阳电池和其他光感受器的非晶硅膜淀积。外延生长是一种单 晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。此外延层的电阻率往往与衬底不同。5. 蚀刻气体 (Etch ing gases) :蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉, 而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来, 这样便在基片表面得到所需要的成像图形。蚀刻的基本要求是, 图形边缘整齐, 线条清晰, 图形变换差小, 且对光刻胶膜及其掩蔽保护的表面无损伤和钻蚀。蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法蚀刻所用气体称蚀刻气体, 通常多为氟化物气体, 例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蚀刻由于蚀刻方向性强、工艺控制精确、方便、无脱胶现象、无基片损伤和沾污, 所以其应用范围日益广泛。6. 掺杂气体(Dopant Gases):在半导体器件和集成电路制造中, 将某种或某些杂质掺入半导体材料内, 以使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率, 用来制造PN结、电阻、埋层等。掺杂工艺所用的气体掺杂源被称为掺杂气体。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氯化硼和乙硼烷等。通常将掺杂源与运载气体(如氩气和氮气) 在源柜中混合, 混合后气流连续流入扩散炉内环绕晶片四周, 在晶片表面沉积上化合物掺杂剂, 进而与硅反应生成掺杂金属而徙动进入硅。7. 熏蒸气体(Sterilizing Gases) :具有杀菌作用的气体称熏蒸气体。常用的气体品种有环氧乙烷、磷烷、溴甲烷、溴甲醛、环氧丙烷等。其灭菌原理是利用烷化作用, 使微生物组织内维持生命不可缺少的物质惰化。最经常使用的是以不同比例配制的环氧乙烷和二氧化碳的混合气, 根据用途不同, 环氧乙烷的含量可以是10 %、20 %和30 %等。也可采用环氧乙烷和氟利昂12 的混合气,环氧乙烷与氟利昂11 和氟利昂12 的混合气等。杀菌效果与各组分浓度、温度、湿度、时间和压力等因素有关。熏蒸气体可以用于卫生材料、医疗器具、化妆品原料、动物饲料、粮食、纸钞、香辣8. 焊接保护气体(Welding Gases):气体保护焊由于具有焊接质量好, 效率高, 易实现自动化等优点而得以迅速发展。焊接保护气体可以是单元气体, 也有二元、三元混合气。采用焊接保护气的目的在于提高焊缝质量, 减少焊缝加热作用带宽度, 避免材质氧化。单元气体有氩气、二氧化碳, 二元混合气有氩和氧, 氩和二氧化碳, 氩和氦, 氩和氢混合气。三元混合气有氦、氩、二氧化碳混合气。应用中视焊材不同选择不同配比的焊接混合气。9. 离子注入气( Gases for Ion Implantation):离子注入是把离子化的杂质, 例如P + 、B + 、As+加速到高能量状态,然后注入到预定的衬底上。离子注入技术在控制V th(阈值电压) 方面应用得最为广泛。注入的杂质量可通过测量离子束电流而求得。离子注入工艺所用气体称离子注入气, 有磷系、硼系和砷系气体。10. 非液化气体(Nonliquefied Gases):压缩气体依据于一定压力和温度下在气瓶中的物理状态和沸点范围可以区分为两大类, 即液化气体和非液化气体。非液化气体系指除溶解在溶液中的气体之外, 在2111 ℃和罐装压力下完全是气态的气体。也可定义为在正常地面温度和13789~17237kPa 压力下不液化的气体。11. 液化气体( Liquefied Gases ):在2111 ℃和罐装压力下部分液化的气体。或定义为在正常温度和172142~17237kPa 压力下在气瓶中液化的气体。压缩气体(Compressed Gases) 压缩气体是指在2111 ℃下, 在气瓶中绝对压力超过27518kPa 的任何气体或混合物或与2111 ℃下的压力无关, 于5414 ℃下绝对压力超过717kPa 的任何气体或混合物或于3718 ℃下气体绝对压力超27518kPa 的任何液体。12. 稀有气体(Rare Gases):元素周期表最后一族的六种惰性气体中的任何一种气体, 即氦、氖、氩、氪、氙、氡。前五种气体均可以空气分离方法从空气中提取。 13. 低压液化气体(Low P ressu re L iquef ied Gases) :临界温度大于70℃的气体。区分为不燃无毒和不燃有毒、酸性腐蚀性气体可燃无毒和可燃有毒、酸性腐蚀性气体易分解或聚合的可燃气体。此类气体在充装时以及在允许的工作温度下贮运和使用过程中均为液态。包括的气体品种有一氟二氯甲烷、二氟氯甲烷、二氟二氯甲烷、二氟溴氯甲烷、三氟氯乙烷、四氟二氯乙烷、五氟氯乙烷、八氟环丁烷、六氟丙烯、氯、三氯化硼、光气、氟化氢、溴化氢、二氧化硫、硫酰氟、二氧化氮、液压石油气、丙烷、环丙烷、丙烯、正丁烷、异丁烷、1- 丁烯、异丁烯、顺- 2-丁烯、反- 2- 丁烯、R142b、R 143a、R152a、氯乙烷、二甲醚、氨、乙胺、一甲胺、二甲胺、三甲胺、甲硫醇、硫化氢、氯甲烷、溴甲烷、砷烷、1, 3—丁二烯、氯乙烯、环氧乙烷、乙烯基甲醚、溴乙烯。14. 高压液化气体(H igh P ressu re L iquef iedGases) :临界温度大于或等于- 10℃且小于或等于70℃的气体。区分为不燃无毒和不燃有毒气体可燃无毒和自燃有毒气体易分解或聚合的可燃气体。此类气体充装时为液态,但在允许的工作温度下贮运和使用过程中其蒸汽压随温度的升高而升高, 超过临界温度时蒸发为气体。所包括的气体品种有一氧化二氮、二氧化碳、三氟甲烷、三氟氯甲烷、三氟溴甲烷、六氟乙烷、六氟化硫、氙、氯化氢、乙烷、乙烯、1, 1- 二氟乙烯、硅烷、磷烷、氟乙烯、乙硼烷。
特种的气体,用于半导体的高纯度气体(或者叫电子气体)是一种生产半导体、液晶、太阳能电池等各种电子产品时使用的特殊的高纯度气体。从大的方面来说,有用于制作半导体配线的气体材料、用于蚀刻(进行半导体细微加工工程)、用于生产设备清洁工艺的气体。
比方说,三氟化氮是被广泛应用于生产设备的清洁气体(Cleaning Gas),六氟化钨是作为半导体的钨配线材料,其需求正急剧上升。
作为NAND(非挥发性存储半导体)、DRAM(挥发性存储半导体)等存储半导体的蚀刻气体(Etching Gas),氯气、溴化银、氟甲烷、四氟化碳、八氟环丁烷、六氟丁二烯等的需求正在增长。
扩展资料
电子特气是集成电路、平面显示器件、化合物半导体器件、太阳能电池、光纤等电子工业生产中不可缺少的基础和支撑性材料,被广泛应用于薄膜、掺杂、腔室清洗、光刻、刻蚀、清洗、载气、保护气等工艺。2018年电子特气在半导体前道制造所需材料中占比高达18%。
中国电子特气的发展对我国半导体芯片产业的发展起着至关重要的作用,也直接关系到国民经济发展和国家战略安全。
日韩贸易摩擦把半导体材料对一个国家的重要性体现得淋漓尽致,仅仅高纯度氟化氢,光刻胶和氟化聚酰亚胺三种产品就能对整个韩国国民经济构成严重影响。日韩半导体材料事件也为国内半导体产业敲响了警钟,未来半导体材料的国产化进程将会加速。
参考资料来源:百度百科-电子特气
特种设备安全管理主要是依据《特种设备安全监察条例》,具体的标准规范如下:
一、法规
1、《中华人民共和国安全生产法》
2、《国务院关于特大安全事故行政责任追究的规定》(国务院第302号令)
3、《特种设备安全监察条例》(国务院第549号令)
4、《特种设备作业人员监督管理办法》
5、《气瓶安全监察规定》(质检总局第46号令)
6、《特种设备事故报告和调查处理规定》(质检总局第115号令)
二、规范
1特种设备作业人员考核规则 TSG Z6001-2005
2 特种设备事故调查处理导则TSGZ0006-2009
3 压力容器安全管理人员和 *** 作人员考核大纲 TSGR6001-2011
5 气瓶充装许可规则TSGR4001-2006
6 气瓶使用登记管理规则TSGR5001-2005
7 气瓶充装人员考核大纲TSGR6004-2006
8 固定式压力容器安全技术监察规程 TSG R0004-2009
9 压力管道安全技术监察规程-工业管道 TSG D0001-2009
10 安全阀安全技术监察规程 TSGZF001-2006
11 压力管道安全管理人员和 *** 作人员考核大纲 TSGD6001-2006
12 压力容器压力管道带压密封作业人员考核大纲TSG R6003-2006
13 压力管道使用登记管理规则TSG D5001-2009
14 气瓶安全监察规程国技监局锅发(2000)250号
15 气瓶附件安全技术监察规程TSGRF001-2009
16 压力容器定期检验规则TSG R7001-2004
17 在用工业管道定期检验规程(试行)国质检锅[2003]108号
18 锅炉压力容器使用登记管理办法国质检锅(2003)207号
三、标准
GB 7144—1999 气瓶颜色标志
GB/T13005—1991 气瓶术语
GB15384—1994气瓶型号命名方法
GB16163—1996瓶装压缩气体分类
GB 16804—1997气瓶警示标签
GB5099—1994 钢质无缝气瓶
GB 8337—1996 气瓶用易熔合金塞
GB 15382—2009 气瓶阀通用技术条件
GB 16918—1997 气瓶用爆破片技术条件
GB 17878—2009 工业用非重复充装焊接钢瓶用
GB/T 9251—1997 气瓶水压试验方法
GB/T 9252—2001 气瓶疲劳试验方法
GB/T 12137—2002 气瓶气密性试验方法
GB/T 13440—1992 无缝气瓶压扁试验方法
GB 15385—1994气瓶水压爆破试验方法
GB 14193—2009 液化气体气瓶充装规定
GB 17265—1998 液化气体气瓶充装站安全技术条件
GB 12135—1999 气瓶定期检验站技术条件
GB 13004—1999 钢质无缝气瓶定期检验与评定检验与评定
GB24161-2009 呼吸器用复合气瓶定期检验与评定
GB 8335—1998气瓶专用螺纹
GB/T 8336—1998 气瓶专用螺纹量规
GB 10878—1999 气瓶锥螺纹丝锥
GB 15383—1994 气瓶阀出气口连接形式和尺寸
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