在光的照射下，半导体为什么会产生电流？

在光的照射下，半导体能产生电流，这叫光电效应。能产生光电效应的材料有许多种，像单晶硅、多晶硅、非晶硅、砷化镓、砸铟铜等，它们的发电原理基本相同。现以硅晶体为例来了解光发电过程。P型硅经过掺杂磷可得N型硅，形成P—N结。当光线照射半导体表面时，一部分光子被桂材料吸收，其能量传递给了硅原子，使硅原子的电子发生了跃迁，成为自由电子，在P一N结两侧集聚，形成了电位差。这时接上外部电路，在该电压的作用下，将有电流流过外部电路，产生一定的输出功率。这个过程的实质就是光子能量转换成电能的过程。

不是所有都被吸收。当太阳光照射到半导体上时，其中一部分被表面反射掉,其余部分被半导体吸收或透过。

被吸收的光,当然有一些变成热，另一些光子则同组成半导体的原子价电子碰撞,于是产生电子一空穴对。这样,光能就以产生电子一空穴对的形式转变为电能。

太阳能电池物理原理是这样的：当太阳光照射p-n结时,在半导体内的电子由于获得了光能而释放电子,相应地便产生了电子空穴对,并在势垒电场的作用下,电子被驱向型区,空穴被驱向P型区,从而使凡区有过剩的电子,P区有过剩的空穴。于是,就在p-n结的附近形成了与势垒电场方向相反的光生电场。如果半导体内存在P-N结,,则在P型和N型交界面两边形成势垒电场,能将电子驱向N区,空穴驱向P区,从而使得N区有过剩的电子,P区有过剩的空穴,在P-N结附近形成与势垒电场方向相反光的生电场。

N区电子为多子，P区电子为少子，在浓度差作用下电子会从N区向P区扩散，使P区失去空穴，留下带负电的杂质离子；而N区失去电子，留下带正电的杂质离子；从而产生空间电荷区，也就是PN层。PN结内产生内电场，在内电场作用下，电子会从P区向N区移动，而空穴会从N区向P区移动，即少子漂移

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