半导体受什么外界因素较大

网上找到一下内容，个人感觉温度是需要考虑的最大问题，其他的影响较小。

对半导体性质影响最大的是温度：禁带宽度与温度有关；载流子浓度更是与温度有关；载流子迁移率也与温度有关；半导体的体积等也与温度有关（热膨胀）。

光照影响：可产生非平衡载流子，导致光电导。

压力影响：压阻效应。

接触影响：形成pn结、金属-半导体接触等。

电场影响：可产生场致发射等。

磁场影响：半导体的Hall效应远大于金属。

气氛影响：表面状态与气氛有很大关系。

温度升高可以加强半导体内部的本征激发强度，借以增大其内部载流子的浓度，此时半导体的导电能力增强；半导体有一种压阻效应，就是随着加载在半导体上的压力变化，半导体的电阻率会随之变化，且二者具有正比关系，此时表现为，压力越大，半导体的导电性能越弱；掺杂即在制作半导体时在其内部掺入相应的杂质元素，这个对半导体的导电能力是具有决定性作用的，如果掺入的是五价元素如磷或砷等，那么在形成共价键的时候就会有一个多余的自由电子，此时半导体内部就会有大量的电子作为载流子，故名n型半导体（negative），若是掺入三价元素，此时半导体内部的四价元素就会有一电子无法成键，形成空穴，空穴带正电性，所以名为p型半导体···目前改善半导体导电性的应该就是这几种方法吧···其余的即使有也是很偏的，用处很少的~

半导体的光电导是指光照射半导体使电导增大的现象。本征半导体的电导能力（电导率）很小，经光照射后半导体内部产生光生载流子（电子或空穴），使其导电能力加大。光照射前后半导体电导的改变与光的波长、强度以及半导体中杂质缺陷态的能级位置密切相关。光电导应用于研究半导体中的杂质缺陷态，如施主、受主、缺陷、深能级杂质等在禁带中的能级位置（见半导体物理学），它的灵敏度比通常的光吸收实验高许多，电导率正比于载流子浓度及其迁移率的乘积。因此凡是能激发出载流子的入射光都能产生光电导。入射光可以使电子从价带激发到导带，因而同时增加电子和空穴的浓度；也可以使电子跃迁发生在杂质能级与某一能带之间，因而只增加电子浓度或只增加空穴浓度。前一过程引起的光电导称为本征光电导，后一过程引起的光电导称为杂质光电导。不管哪一种光电导，入射光的光子能量都必须等于或大于与该激发过程相应的能隙 ΔE（禁带宽度或杂质能级到某一能带限的距离），也就是光电导有一个最大的响应波长，称为光电导的长波限λ。http://ic.big-bit.com/

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