三星公布最新半导体工艺路线图：2020年推进4nm！？

三星在今天凌晨举办了新闻发布会，公布了旗下最新的工艺制程路线图，在新的路线图中，三星希望能够在2020年推进4nm工艺制程，显得野心勃勃。

三星公布最新半导体工艺路线图：2020年推进4nm！

“我们的路线图充满希望和野心，因为三星不单单只是计划这些新的工艺制程，而是在这些时间点上真的能够实现预定的计划”三星市场高级总监Kelvin Low如此说道。

三星公布最新半导体工艺路线图：2020年推进4nm！

根据三星的计划，在未来三年内也就是2017年至2020年，三星半导体的工艺制程将一步一个脚步的前进。比如今年试产8nm工艺，2018年量产7nm工艺，2019年则成功研发6nm以及5nm工艺，至于2020年，三星希望直接将工艺制程推进至4nm。

目前三星还称自己的晶圆厂所使用的光刻机已经可以达到每天1000片晶圆的产量，而未来三星希望将产量提升50%至1500片。同时三星还宣布将会在2018年引进最先进的EUV光刻机加入到晶圆的制造中来。

前道主要是光刻、刻蚀机、清洗机、离子注入、化学机械平坦等。后道主要有打线、Bonder、FCB、BGA植球、检查、测试等。又分为湿制程和干制程。

湿制程主要是由液体参与的流程，如清洗、电镀等。干制程则与之相反，是没有液体的流程。其实半导体制程大部分是干制程。由于对Low-K材料的要求不断提高，仅仅进行单工程开发评估是不够的。为了达到总体最优化，还需要进行综合评估，以解决多步骤的问题。

扩展资料：

这部分工艺流程是为了在 Si 衬底上实现N型和P型场效应晶体管，与之相对应的是后道(back end of line，BEOL)工艺，后道实际上就是建立若干层的导电金属线，不同层金属线之间由柱状金属相连。

新的集成技术在晶圆衬底上也添加了很多新型功能材料，例如：后道(BEOL)的低介电常数(εr <2.4)绝缘材料，它是多孔的能有效降低后道金属线之间的电容。

参考资料来源：百度百科-后道工序

参考资料来源：百度百科-半导体

参考资料来源：百度百科-前道工艺

---