金属和半导体的功函数是如何定义的？半导体的功函数与哪些因素有关

把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。功函数的大小通常大概是金属自由原子电离能的二分之一。同样地将真空中静止电子的能量与半导体费米能级的能量之差定义为半导体的功函数。功函数的单位:电子伏特,eV功函数(work function)又称功函、逸出功，在固体物理中被定义成：把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。 真空能级：电子达到该能级时完全自由而不受核的作用。 功函数：真空能级与费米能级之差。

电导率单位是：以西门子每米（S/m）表示。

电导率，物理学概念，也可以称为导电率。在介质中该量与电场强度E之积等于传导电流密度J。对于各向同性介质，电导率是标量；对于各向异性介质，电导率是张量。

生态学中，电导率是以数字表示的溶液传导电流的能力。单位以西门子每米（S/m）表示。

影响因素：

1、温度

电导率与温度具有很大相关性。金属的电导率随着温度的升高而减小。半导体的电导率随着温度的升高而增加。在一段温度值域内，电导率可以被近似为与温度成正比。为了要比较物质在不同温度状况的电导率，必须设定一个共同的参考温度。电导率与温度的相关性，时常可以表达为，电导率对上温度线图的斜率。

2、掺杂程度

固态半导体的掺杂程度会造成电导率很大的变化。增加掺杂程度会造成电导率增高。水溶液的电导率高低相依于其内含溶质盐的浓度，或其它会分解为电解质的化学杂质。

载流子的浓度是决定半导体电导率大小的主要因素，其单位是原子／cm3。在本征半导体中，电子和空穴的浓度是相等的。而在含有杂质和晶格缺陷的半导体中，电子和空穴的浓度不相等。

中文名称：载流子浓度。

英文名称：carrier concentration。

定义：单位体积的载流子数目。在室温无补偿存在的条件下等于电离杂质的浓度。

例如，常温下金属中，电子热运动的速度的数量级达每秒数百公里！

仔细看这种无规运动，你会发现，任意时刻，各个粒子的运动方向是随机的。如果将这些粒子的速度矢量加起来，结果几乎为零。

给导体加上一个电场，电子在无规运动基础上，叠加了一种定向运动。假设某段时间，电场向左，则电子的运动看起来是下面这样的，红色小球代表晶格上的金属原子，快速运动的小点代表自由电子。

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