海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士.海力士半导体在1983年以现代电子产业株式会成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购lg半导体，2001年将公司名称改为（株）海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统ic业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。 海力士半导体是世界第二大dram制造商。目前，海力士半导体致力生产以dram和nand flash为主的半导体产品。海力士半导体以超卓的技术和持续不断的研究投资为基础，每年都在开辟已步入纳米级超微细技术领域的半导体技术的崭新领域。从太极与海力士设立合资公司这条公开信息来看，公司的营利水平，生产领域将会发生根本性变化，从下面的公开报道来看，我们有理由相信合资公司只是第一步，江苏很可能让韩国海力士借壳太极上市，推动无锡集成电路产业链的发展，巩固和强化无锡在国内微电子产业的领先地位。5月17日，无锡市与韩国（株）海力士半导体公司共同投资建设12英寸大规模集成电路封装测试项目在南正式签约。该项目建成后，将成为国内规模最大、技术最先进的大规模集成电路封装测试企业。省委书记梁保华出席签约仪式，并会见了韩国海力士半导体有限公司长金钟甲一行。 梁保华对海力士新项目的签约表示热烈祝贺，对金钟甲先生来南出席签约仪式表示欢迎。他说，海力士项目落户的无锡市已成为我国重要的微电子产业基地。海力士项目于2005年投资建设以来，经过两次增资扩产，面对当前国际金融危机，再次投资新项目，体现了海力士的远见和信心，标志着海力士在无锡的发展进入了新的阶段。梁保华表示，江苏将坚定不移地扩大对外经济技术合作，努力为所有投资者创造更富有竞争力的环境。他衷心祝愿海力士半导体新项目建设顺利，尽早投产见效。 金钟甲感谢梁保华的热情接待。他说，在江苏省、无锡市府和各有关方面的大力支持下，海力士—恒亿项目发展势头很好。海力士将尽最大的努力，把在无锡的投资项目做成中国最成功的外商投资企业。 由韩国（株）海力士半导体与恒亿半导体共同投资的无锡海力士—恒亿半导体项目，于2005年4月在无锡新区开工建设，经过两次增资后，投资总额达50亿美元，12英寸晶圆实际产能超过20万片，生产工艺从90纳米升级到54纳米的全球领先水平，成为我国最大的半导体生产基地。此次签约的封装测试项目，投资额为3.5亿美元，建成后将形成12万片月封装测试生产配套能力，同时将进一步推动无锡集成电路产业链的发展，巩固和强化无锡在国内微电子产业的领先地位。所以个人认为太极想象空间巨大。
原文,股票之门 http://bbs.gpzm.com/thread-651202-1-1.html
太极实业将涉足半导体行业 与海力士共同设合资公司
2009-7-20 作者： 来源：
太极实业将与海力士投资1.5亿美元设立合资公司，涉足半导体行业。公司目前产业单一,此举有利于公司的多元化经营。
太极实业发布公告称，公司和海力士将共同投资1.5亿美元在无锡设立合资公司。其中，与海力士分别以现金0.825亿美元（约合人民币5.63亿元）和0.675亿美元向合资公司出资，并分别持有合资公司各55%和45%的股权。同时，在合资公司成立之后可以通过银行进行贷款，贷款金额为2亿美元；即合资公司成立后的初始总资产为3.5亿美元（约合人民币23.91亿元）。合资公司将主要从事半导体生产的后工序服务。在合资公司成立之后，合资公司将使用3.05亿美元向海力士和海力士（无锡）购买探针测试和封装相关资产。
公司目前主要从事涤纶工业长丝、涤纶帘子布、帆布产品的研究、开发、生产及销售。从08年的情况看，受经济危机的影响，公司08年四季度生产、销售均受到一定程度的影响。公司目前产业单一，公司此次涉足半导体行业，有利于公司的多元化经营。同时随着公司一系列项目的投入及后续产品结构的调整，公司在工业丝、涤纶帘子布和帆布的市场地位也将会进一步巩固和提升。
公告显示，海力士是在无锡投资最多的外国公司，海力士最早向无锡市提出了本次交易意向。海力士的交易目的包括：集中经营力量于核心产业领域（前工序）；通过在中国构建前/后工序统筹生产体制，提高制造及物流效率；确保具有竞争力的稳定性外包企业。海力士希望合资公司成为其重要的战略伙伴。海力士2008年销售收入相比2007年下滑21%，全年亏损4.7万亿韩元。2008年末海力士金融负债总额高达7.8万亿韩元，净负债率高达130%，其中一年内到期的短期金融负债达2.6万亿韩元，而海力士截至2008年底的现金余额为0.5万亿韩元。
公司以3.07元/股向控股股东--无锡产业发展集团非公开发行1亿股已完成，控股股东全部以现金认购。本次募资将用于：投资21,850万元对公司控股子公司江苏太极实业新材料有限公司进行增资扩股；剩余募集资金7,650万元用于补充流动资金。本次发行的股份自发行结束之日起36个月不得转让，该部分新增股份预计可上市交易的时间为2012年7月9日。此举将能进一步完善公司的治理结构，有利于公司的未来发展战略。
公司 2009年1-3月每股收益0.007元，每股净资产1.62元，净资产收益率0.44%，营业总收入1.23亿元，同比减少9.79%，实现净利润262.11万元，同比减少21.10%。
我这里有一个副本。然后给你一个副本。
1月2日，2011
中国IC产业的发展状况，中国IC产业的发展现状IC产业的发展
关键词：中国集成电路的现状
集成电路产业是一个知识密集，技术密集和资金密集的产业，世界集成电路产业的快速发展，快速的技术变化。 2003年前后，中国的IC产业都从一个质或量并不发达，但沿带的向东转移，全球汽车行业，中国的稳定的经济增长，庞大的国内市场，以及大量的人才潮，中国的IC产业已经成为新的世界集成电路制造中心。进入21世纪，中国必须加强电子信息产业的发展。这是推动中国经济发展的支柱，促进科学的进步和技术的一个重要手段，以提高中国的综合实力。 IC产业，电子信息产业基地，必须优先考虑的发展。只有那些拥有了坚实的集成电路产业，为了有效地支持了中国的经济，军事，科技和社会的发展，第三步发展战略目标的实施。
，中国集成电路产业的快速发展，为2.22亿美元和585亿人民币的销售额，在1998年，中国的IC生产。到2009年，中国的IC生产了411亿，销售收入111亿元，12年的生产和销售增加了18.5倍和20倍，分别为38.1％的年均增长速度为40.2％，分别，与销售的增长率远远高于同期全球年均增长速度为6.4％。其次，中国IC产业的显着变化，2008年中国的IC产业在发展过程中的重大变化的一年。全球金融危机是不是唯一的世界半导体市场的衰退，以及产品显著减少中国的出口，占约1/3的中国出口总额的，对电子信息产品的增长下降，相应减少的需求，其核心部件集成电路产品。人民币升值，但也影响了行业的发展，一个不容忽视的因素，可以的，因为在国内销售的集成电路产品直接出口占70％左右，人民币升值对出口贸易的影响具有重要的美元作为结算货币，人民币兑美元升值1％，国内集成电路产业的整体销售增长，在即将到来的2011年，为加快人民币的升值将减少1.2至1.4个百分点，是一个问题。 ，产品销售概述中国的IC中国IC产品销售概述设定在2008年中国IC产业的周期性衰退的产业发展呈现一个增长季度季度下降只有124.682十亿元，年销售总额，比2007年减少0.4％，从未有过的负增长一年四季的IC生产到四十一点七一四亿美元，同比增长1.3％，与2007年相比，唯一的。近年来，中国的集成电路产品的生产和销售，在图1和图2所示，由图
图1 2003-2008年中国集成电路产量增长
图2 2003-2008年集成电路产品销售额增加可见的是，在最近几年，中国的IC产品销售增加一年的一年，但增长缓慢的速度，这是因为中了5个年来的州立委员会文件第18号颁布后，中国的IC产业产品销售已被该增加的平均每年增长速度超过30％的速度，这期间世界三倍的增长速度的集成电路，是一个国家的快速发展阶段，在正常情况下，中国集成电路产业的平均每年增长率也将维持在1.5倍左右世界的增长率是已经高速的发展，因此，在2007年的年度增长速度，中国的IC产业逐渐慢下来应该是一个正常状态的事务中的世界IC产业周期性低谷阶段，年均增长率约20％仍是一种罕见的高速。从美国的次贷危机，世界经济开始逐步扩展形式的世界金融危机，然后蔓延到实体经济部门从2008年
影响中国的IC产业，到第三季度，国际金融危机影响显着在第四季度爆发后，中国的集成电路产业销售大幅下降，潜水表。图3是一个过程，这个变化。
图3 2006Q1-2008Q4的IC产品销售收入与上一年年（季）的工业环境的改善，中国的IC产业的增长速度发展经受住金融危机的影响政策是非常重要的。 2008年1月，教育部，财政部和国家税务总局颁布了多项优惠政策，企业所得税的通知“（财税[2008] 1号），高度重视集成电路企业享受所得税优惠。最近通过的电子信息产业调整和振兴规划，又把“建立自我控制IC产业体系”作为未来发展的国内信息产业的三个关键任务的五个主要发展倡议明确提出“加大投入，集中力量实施的集成电路的升级。 “由国务院于2005年发布的”国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006━2020年）“（国发[2005] 44号），决定和安排的16项重大项目，其中包括”核心电子器件，高端通用芯片及基础软件产品“和”超大规模集成电路制造装备及成套的一批重大项目的前两列在2008年4月，国务院常务会议审议原则上批准的两个重大项目的实施方案，特别涉及相关领域提供了一个良好的发展机遇。各级中国政府继续实施积极的支持集成电路产业的发展及相关政策有一个积极的影响对中国集成电路产业的发展。第四，需求的IC产品市场在中国，近年来，需求的IC产品在中国市场的快速发展，中国的电子信息产品制造，呈现了快速发展的状态的事务和关注的问题，即使在全球半导体产业的需求，中国的IC产品在国内和国际半导体行业的低迷和在2008年出现了负增长，
寻求市场仍然保持了增长的势头，这是维护信息产品制造业销售的10％以上正增长。中国IC市场的需求在最近几年中，量的变化情况如图4所示。
2004-2008年间，中国的IC市场需求超过V，中国的IC产业的结构设计，制造和装配和测试行业的行业同时增长，的水平?＆e和生产能力的半导体设备和材料产业链基本形成。有了一个数年以前的IC设计产业和加快发展的芯片制造和设计业，芯片制造业所占比例逐渐增加，国内集成电路产业的结构变得越来越合理。设计行业的销售在2006年是18.62十亿元，一个增加49.8％，与2005年相比，2007年的销售额22.57十亿人民币，比2006年增加了21.2％。芯片制造业2006年的销售额为32.35十亿人民币，与2005年相比，同比增长38.9％2007年销售397900000美元，相比2006年的增长速度，23.0％。包装和测试产业，2006年销售收入49.66十亿元，同比增长43.9％，与2005年相比，2007年销售62.77十亿人民币的增长为26.4％，较2006年。中国的设计业，芯片制造，封装及测试业销售在2001年分别为1.1亿元人民币，27.2亿十亿元，16.11元，分别占年度销售总额的5.6％，13.6％，80.8％和产业结构不使用合理。在过去的五年，行业规模不断扩大，在同一时间，在在IC工业结构逐步合理的设计业和芯片制造业所占的比例显着增加。中国的IC设计业，芯片制造，封装及测试业销售在2007年分别为22.55十亿元，39.69十亿人民币，62.77十亿人民币，占年度销售总额的18.0％，31.7％，50.2％，半导体设备和材料的研发和生产能力也越来越大。在设备方面，65纳米开始导入生产，中芯国际与IBM 45纳米技术的合作， FBP（平面凸点封装）和多
芯片封装（MCP）等先进封装技术研制成功并投入生产，8英寸100纳米等离子刻蚀机的自主开发和大角度离子注入机，12 - 英寸硅片的生产线，8英寸和12英寸硅单晶材料，开发了国内的硅晶片和光致抗蚀剂的生产能力和供应能力不断增强。
但是在2008年，国内IC设计，芯片制造和封装测试业均不同程度地受到市场低迷的影响，其中芯片制造业是最明显的，每年的芯片制造规模的增长从23在2007年的％-1.3％，主要的芯片制造公司有闲置的容量，性能的下降封装测试业的订单普遍下降，开工率，每年的增长率为-1.4％，IC设计业也受国内市场需求的增长放缓的影响，部分原因是由于的重点企业在技术升级和产品创新方面所作的努力，承受的市场需求疲软的影响，每年的增长率保持正增长状态，为4.2％，高于国内IC产业的整体增长。图5。
中国集成电路产业的基本结构52008
六，集成电路技术的发展，集成电路技术的发展，技术创新能力不断提高，不断缩小与国外先进水平的差距。英寸生产线，从一开始的改革开放，发展到目前的IC制造工艺的12英寸生产线，以推进深亚微米级的包装和测试了很多处理模块从低端向R＆ D，先进的加工技术已经达到了100纳米。高端，在SOP，PGA，BGA，FC，CSP，SiP和其他先进封装形式的开发和生产取得了令人瞩目的成就
大大提高了水平的IC设计，设计容量小于或等于0.5微米的企业比例已经超过了60％，设计产能0.18微米的企业占了相当大比例的一部分，企业的设计水平已达到国内先进水平的100纳米。国内IC设计公司的设计产能超过一百万的规模的比例已经上升到超过20％的最大设计有超过50万的水平。相当数量的IC已投入批量生产，不仅要满足国内市场的需求，和一些还进入了国际市场。总之，IC产业是的核心战略，在信息产业和现代制造业，它已成为的顶部优先级的信息产业在一些国家，中国集成电路的发展行业在2011年鼓励更好的发展环境，将进一步加大国家政府的支持下，新的扶持政策将尽快，以支持研究和开发的资金将增加的国内市场，中国IC产业更广阔的空间将继续保持较快的发展速度，占全球市场份额的比例将进一步增加！
附录：附录：中国的IC产业发展大事记（摘自网络）的发展中国的IC产业大事记（摘自网络）在1947年，在美国贝尔实验室发明了晶体管。在1956年，中国提出的“行军”的科学，半导体技术的国家4紧急措施之一。在1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出的锗晶体。XI中国社科院科学，应用物理研究所，二机部第十局开发的锗晶体管。今年以来，中国已经开发出一种锗点接触型二极管，三极管（晶体管）1959年，天津制定的硅（Si）单晶。在1962年，天津制定砷化镓单晶（GaAs）的编制的其他化合物半导体的研究奠定了基础。在1962年，中国的研究制成硅外延工艺和开始，以研究凹版印刷，平版印刷过程。在1963年，河北研究所半导体，硅平面晶体管制成的。在1964年，河北半导体研究所开发了一个硅外延平面晶体管。1965年12月，在河北半导体研究所召开鉴定会，确定了第一批半导体DTL（二极管 - 晶体管逻辑）数字逻辑电路，并在国内首次发现。1966年底，上海工厂在组件武昌识别的TTL电路产品。双极型数字集成电路这些小规模的，主要在主NAND门，以及与非驱动，及其“门，”或非“门，”或“门，以及NOR电路商标中国做出了自己的小规模集成电路。在1968年，国有东光电工厂（878厂），上海无线电19厂，于1970年建成投产，形成IC产业在中国，“啪”的形成。在1968年，的的上海无线电14厂第一次提出的PMOS（P型金属 - 氧化物 - 半导体）电路（MOSIC）。打开中国的发展MOS电路的序幕，并在七十年代初期，永川，中国科学院半导体研究所（现在? -24），14家工厂和878株已研制成功的NMOS电路。
CMOS电路的发展。七十年代初，国家推出IC制造商，超过40内置IC工厂的热潮。 1972年，中国的第一片PMOS LSI电路在四川永川，研究所半导体，成功地开发。在1973年，七家单位是引入一个单件设备从国外引进，期望建成七英寸工艺线最后只有北京878厂1976年11月，航天部陕西骊山771和都匀4433厂。，中科院计算所研制成功的10万大型电子计算机电路用于中国社科院科学，109厂（现学院微电子中心） ECL（发射极耦合逻辑）电路，1982年，江苏省无锡市江南无线电器材厂（742厂）IC生产线完成验收投入这是中国第一次从国外引进集成电路技术，1982年10月，国务院为了加强全国计算机和大规模集成电路，建立了万里副总理为组长的领导小组，“电子计算机和大规模集成电路领导开发的IC发展规划，提出了”六个五“期间半导体工业进行技术改造。 1983年，长介绍，重复的项目，LSI的国务院领导小组，治散有序与无序，集成电路成立的北部和南部的基地和重点发展战略，南方基地主要是指江苏的北方基地，浙江，北京，天津，沉阳，一个点指西安，主要是支持航天。 1986年，电子部厦门集成电路发展战略研讨会，在第七个五年计划“，中国的IC技术发展战略的”531“期间提出的，在5微米技术，开发3微米技术，1普及微米技术，科学和技术，1989年2月，机电工程署处，在无锡举行，“八五的IC发展战略研讨会”，以加快基地建设，形成生产，注重发展的专用电路，加强科研和支撑条件，振兴集成电路产业发展战略，1989年8月8日，工厂和永川半导体研究所，无锡分公司合并，中国华经742电子集团有限公司在1990年10月，国家规划委员会和电气系联合举办在北京的领导和专家参加的座谈会，向中国共产党中央委员会的报告，决定实施九O八工程，在1995年，电子部第九个五年计划“集成电路的发展战略：以市场为导向的CAD为突破口，研究相结合，我们主动出击，国际合作，加强招商引资力度，加强对重点工程和技术创新能力建设，促进集成电路产业进入一个良性的循环。电子部和国家外国专家局于1995年10月，在北京举行的一个联合论坛在国内和国外的专家献计献策，加快发展中国的IC产业。国务院在11月，工信部电子特别报告，以确定实施的909个项目。 1997年7月17日，上海华虹NEC电子有限公司，有限公司，上海华虹集团和日本NEC公司的合资成立，总投资1.2十亿美元，注册资本700万美元华虹NEC是主要负责“909”工程超大规模集成电路芯片生产线项目。 1998年1月18日，“908”机构的工作成化泾工程通过对外承包接受，从朗讯科技公司进口的0.9微米的生产线已经有一个月的投票，6000的6英寸晶圆产能。 1998年1月，中国集成电路设计中心，以国内和国际用户推出了熊猫2000系统，这是中国的自主研发的一套EDA系统，以满足在亚微米和深亚微米工艺的需要，可以处理的规模百万门级，支持高层次的设计。 1998年2月28日，中国第一家8英寸单晶硅抛光晶圆生产线的建成投产，
半导体材料北京有色金属研究院国家工程研究中心。 1998年4月，集成电路“908”项目的九个产品设计及研发中心项目验收批出9个设计中心，信息产业部电子第十五研究所，工业和信息化部在4个研究所上海IC设计公司的设计中心，尤先科，深圳，杭州东方设计中心设计中心，广东专用电路，武器第二个14研究所，北京机械工业自动化和航空航天工业771研究所。这些设计中心，华晶六英寸生产线项目配套建设。 1998年3月，自行设计和开发，由西安交通大学开元集团微电子技术有限公司，有限公司中国第一个-CMOS微型彩色摄像头芯片的开发成功，我们的愿景芯片设计和开发工作，取得了可喜的成绩。 1999年2月23日，上海华虹NEC电子有限公司，公司完成试流片的技术档次从计划的0.5微米至0.35微米的生产线，主导产品64M同步动态存取存储器（S-DRAM），建设 - 和建成投产，标志着中国已经变成一个自己的深亚微米超大规模的集。集成电路芯片生产线。 2000年7月11日，国务院出台了若干政策“鼓励软件产业和集成电路产业”的发展，随后又批准上海，西安，无锡，北京，成都，杭州和科学技术部深圳。共有7个国家集成电路设计产业化基地。 2001年2月27日，单晶直径8英寸的硅抛光片国家高技术产业化示范工程建成投产有色金属研究总院北京3月28日，国务院第36次常务会议通过超大规模集成电路图设计保护条例“。 “2002年9月28日，在中国社科院科学的龙芯1号诞生，同年11月，第四十六届研究所，中国电子科技集团公司成功开发了第一个6英寸直径半绝缘砷化镓单晶，实现我们的6英寸，直径半绝缘砷化镓单晶开发零的突破在3月11日，2003年，杭州士兰微电子有限公司以市场，成为国内第一股IC设计，中星微电子在纳斯达克上市的美国在2006年成功上市，立即行动，展讯通信于2007年在美国纳斯达克上市的。国家集成电路产业园，在北京，天津，上海，苏州，宁波，其他的集成电路产业，重点建设“十一五”专项规划“，2008年。
无锡芯卓半导体胡埭地址：公司芯卓半导体产业化建设项目位于无锡市滨湖区胡埭东区。
无锡芯卓半导体项目是无锡重大产业项目组成部分。工程包括生产厂房1、生产厂房2。综合动力站1、生产辅房等建设内容。
项目建成后，将吸引上下游产业链企业入驻无锡市场，打造更具影响力的产业集群，带动周边就业，为无锡市集成电路设计产业生态圈建设，注入全新的强劲动能，对促进无锡经济社会发展具有重大意义。
公司芯卓半导体产业化建设项目位于无锡市滨湖区胡埭东区，其各栋主体结构已于2021年6月底顺利封顶，主体建筑计划于年底前投入使用。
目前主体结构的土建工程正进行收尾工作，机电安装、洁净室建设等正有序开展，即将完成具备工艺设备搬入条件。公司正按规划进度推动项目顺利实施。其他进展情况请关注定期报告。
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