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从海外企业22Q4业绩及走势研判半导体投资主线
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发现牛股088
2023-01-30 20:38 · 江苏
中国春节假期期间（2023年1月23-28日），标普500指数涨幅2.47%，费城半导体指数涨幅5.39%，在半导体行业需求复苏预期逐渐明朗下，行业β属性凸显。2022年10月至今，费城半导体指数收盘价涨幅在10.28%，而费半指数的抬升对国内半导体行业具备前瞻指引意义，春节假期期间部分重点企业涨幅亮眼（英伟达+14.16%；安森美+11.18%；美光+9/25%；Qorvo+9%；高通+8.54%；NXP+7.74%等），我们认为对于半导体行业景气度下行的悲观情绪已于22年基本消化完全，我们将在后续章节通过对部分海外重点企业CY22Q4的业绩复盘及各公司对未来行业预测的观点研判新一轮周期下半导体行业投资主线。
国产化仍然是国内半导体设备产业发展的主旋律。从国内招投标的角度来看，当前时间点去胶、清洗、刻蚀、CMP抛光等环节的设备已经稳扎稳打迈入30%以上的国产化率区间，而薄膜沉积、炉管、量测类设备国产化率较低，光刻机、离子注入等环节国内半导体设备企业中标率则处于非常低的阶段。
ASML：美国持续游说荷兰和日本加入封锁中国半导体技术的行列。ASML认为2023年仍是强劲成长的一年，预计营收将比2022年成长25%。由于客户认为ASML的机台交货时间将长于产业潜在衰退时间，客户以“23H1行业有望步入复苏并于2024年开始好转”的期待，叠加ASML的光刻机具战略性质，因此并未取消订单。半导体出口管制方面，美国持续游说荷兰和日本加入封锁中国半导体技术的行列。公司认为美国在半导体领域对中国的出口管制已经伤害了芯片产业，如果美国持续不让中国买到所需的非中国制机台设备，中国最终将会自行开发出所需要的设备，只是时间长短问题。
需求复苏主线：半导体行业周期或将于2023H1到达底部。
台积电：公司预计半导体行业周期或将于2023H1到达底部，并于2023H2开始复苏。公司法说会表示，2022年下半年半导体产业链库存已现抑制势头，但由于消费电子、PC、数据中心等下游需求疲软，预计半导体行业周期或将于2023H1到达底部，并于2023年下半年开始复苏。
TI：公司预计23Q1除汽车下游外其他市场业绩降幅超过季节性降幅，但整体环比降幅将有所收窄。22Q4公司实现营业收入47亿美元，环比11%，同比-3%，主要归因于除汽车下游应用外其他终端市场需求疲软，客户处于清库阶段。按下游应用拆分，工业领域下跌约10%，汽车领域上涨了中等个位数，消费电子普遍疲软，-15%左右，通信设备下降了约20%，企业系统下降了约20%。公司认为目前中国市场尚未有消费电子复苏的迹象出现，22Q4整体砍单情况有所增加。展望23Q1，需求端，对于23Q1公司预计除汽车行业外，其他市场业绩的降幅将超过季节性带来的降幅。
ST：车用和能源相关B-to-B工控需求保持强劲，相关产品23年产能已售罄。公司22Q4超预期部分主要来自汽车和分立器件部门及微控制器和数字IC部门。终端需求方面，车用和能源相关B-to-B工控需求保持强劲，相关产品23年产能已售罄，消费类需求仍然较弱。
Wolfspeed业绩短期承压，电力电子碳化硅长期景气度未变
WolfSpeed FY23Q2为全年收入低点，随着良率问题逐步消化，收入将于下个季度回归正常轨道。管理层认为FY23Q2业绩为全年收入低点。公司22Q4实现收入2.16亿美元，环比-10%，同比+25%，毛利率在33.6%，环比-2.0pct。管理层认为Q2为全年收入低点，随着良率问题逐步消化，收入将于下个季度回归正常轨道，预计下个季度收入区间为2.1-2.3亿美元。
投资建议：新一轮周期引领优质赛道标的价值重估，半导体行业兼具周期与成长属性，投资机遇交叠出现，新一轮周期前期布局需更为精细，寻找业绩确定与预期改善赛道。（1）把握半导体周期回暖预期下优质IC设计企业布局机会：内忧外患下国内半导体指数多次调整，后续有望开启新一轮景气周期，IC设计优质标的包括圣邦股份/卓胜微等将有望脱颖而出。（2）低渗透率新技术驱动：电力电子SiC性能优势体现，汽车电动化浪潮下需求走强，行业供不应求景气持续并为国产厂商提供成长窗口，关注三安光电/天岳先进前瞻布局化合物半导体，产业链优质标的有望在激增需求下获得崭新业绩增长空间，其中三安光电新技术驱动及需求复苏逻辑兼具。（3）半导体设备：景气度短期承压，2023配置机会依旧值得看好：未来1-2个季度，国内半导体设备行业受下游景气度、美国BIS限制影响，业绩或将出现短暂承压；展望2023年，半导体设备行业或将在晶圆厂国产化率持续提升、支持政策落地、消费复苏等多方面因素的驱动下预期转暖，行业有望重新获得配置机会。
投资评级：看好
风险因素：半导体国产替代进程不及预期；下游需求复苏进程不及预期。
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段永平：著名企业家，小霸王品牌缔造者， 步步高创始人，vivo和OPPO 联合创始人，网易丁磊生命中的贵人，拼多多黄峥的人生导师。他同时也是著名投资人，早期投资网易获100倍以上回报，目前重仓茅台、苹果等优质公司
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大盘解析
收评
02-09
【两市超4200收涨，三大股指均涨超1%；北向资金卷土重来，大手笔买入超120亿；半导体芯片板块领涨两市，东数西算、国防军工、白酒涨幅居前；ChatGPT概念走势分化】 截至收盘，沪指涨1.18%，深成指涨1.64%，创业板指涨跌1.74%。两市全天成交9011亿，个股涨多跌少，超4200股收涨。北向资金净买入121亿。
收评
02-09
【北向资金半日净买入超74亿，沪指涨0.62%；光通信、东数西算、钙钛矿电池题材活跃；ChatGPT概念分化；白酒、军工、半导体涨幅居前】 白酒、军工、半导体涨幅居前，光通信、东数西算、钙钛矿电池题材活跃；ChatGPT概念分化。截至收盘，沪指涨0.62%，深成指涨0.86%，创指涨0.78%。两市半日成交额超5000亿，北向资金净流入超74亿，个股涨多跌少，超3200家上涨。
盘前必读
02-09
太火爆：赵诣新基紧急暂停申购，刚开放一天！黄燕铭：2023年牛市“跟消费谈恋爱 跟科技结婚” 一、要闻汇总 1、近日，网传消息称，七家国企航司近期将停止低价投放，对上述承运人份额超65%的航线(全国约2000条，部分航线将加入海航)做限价。有航司内部人士表示，有相关类似调价的举措，但细节并不清楚。中国民航局方面则表示，民航局没有向航司提出过这样的要求。（澎湃新闻）
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半导体材料(semiconductor material)是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。
一、半导体材料主要种类
半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。
1、元素半导体：在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布着11种具有半导性半导体材料的元素，下表的黑框中即这11种元素半导体,其中C表示金刚石。C、P、Se具有绝缘体与半导体两种形态B、Si、Ge、Te具有半导性Sn、As、Sb具有半导体与金属两种形态。P的熔点与沸点太低,Ⅰ的蒸汽压太高、容易分解，所以它们的实用价值不大。As、Sb、Sn的稳定态是金属，半导体是不稳定的形态。B、C、Te也因制备工艺上的困难和性能方面的局限性而尚未被利用。因此这11种元素半导体中只有Ge、Si、Se 3种元素已得到利用。Ge、Si仍是所有半导体材料中应用最广的两种材料。
（半导体材料）
2、无机化合物半导体：分二元系、三元系、四元系等。 二元系包括：①Ⅳ-Ⅳ族:SiC和Ge-Si合金都具有闪锌矿的结构。②Ⅲ-Ⅴ族:由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb组成，典型的代表为GaAs。它们都具有闪锌矿结构,它们在应用方面仅次于Ge、Si,有很大的发展前途。③Ⅱ-Ⅵ族:Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物，是一些重要的光电材料。ZnS、CdTe、HgTe具有闪锌矿结构。④Ⅰ-Ⅶ族：Ⅰ族元素Cu、Ag、Au和 Ⅶ族元素Cl、Br、I形成的化合物，其中CuBr、CuI具有闪锌矿结构。⑤Ⅴ-Ⅵ族：Ⅴ族元素As、Sb、Bi和Ⅵ族元素 S、Se、Te形成的化合物具有的形式,如Bi2Te3、Bi2Se3、Bi2S3、As2Te3等是重要的温差电材料。⑥第四周期中的B族和过渡族元素Cu、 Zn、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物,为主要的热敏电阻材料。⑦某些稀土族元素 Sc、Y、Sm、Eu、Yb、Tm与Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物。 除这些二元系化合物外还有它们与元素或它们之间的固溶体半导体，例如Si-AlP、Ge-GaAs、InAs-InSb、AlSb-GaSb、InAs-InP、GaAs-GaP等。研究这些固溶体可以在改善单一材料的某些性能或开辟新的应用范围方面起很大作用。
（半导体材料元素结构图）
半导体材料
三元系包括：族:这是由一个Ⅱ族和一个Ⅳ族原子去替代Ⅲ-Ⅴ族中两个Ⅲ族原子所构成的。例如ZnSiP2、ZnGeP2、ZnGeAs2、CdGeAs2、CdSnSe2等。族：这是由一个Ⅰ族和一个Ⅲ族原子去替代Ⅱ-Ⅵ族中两个Ⅱ族原子所构成的, 如 CuGaSe2、AgInTe2、 AgTlTe2、CuInSe2、CuAlS2等。：这是由一个Ⅰ族和一个Ⅴ族原子去替代族中两个Ⅲ族原子所组成,如Cu3AsSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe4等。此外，还有它的结构基本为闪锌矿的四元系(例如Cu2FeSnS4)和更复杂的无机化合物。
3、有机化合物半导体：已知的有机半导体有几十种，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，它们作为半导体尚未得到应用。
4、非晶态与液态半导体：这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。
二、半导体材料实际运用
制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。
半导体材料所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上，最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，一类是不改变材料的化学组成进行提纯，称为物理提纯另一类是把元素先变成化合物进行提纯，再将提纯后的化合物还原成元素，称为化学提纯。物理提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等，使用最多的是区域精制。化学提纯的主要方法有电解、络合、萃取、精馏等，使用最多的是精馏。由于每一种方法都有一定的局限性，因此常使用几种提纯方法相结合的工艺流程以获得合格的材料。
（半导体材料）
绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用最广，80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中硅单晶的最大直径已达300毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。悬浮区熔法的熔体不与容器接触，用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶，而垂直定向结晶法用于制备碲化镉、砷化镓。用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。
在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延。外延的方法有气相、液相、固相、分子束外延等。工业生产使用的主要是化学气相外延，其次是液相外延。金属有机化合物气相外延和分子束外延则用于制备量子阱及超晶格等微结构。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金属等衬底上用不同类型的化学气相沉积、磁控溅射等方法制成。
三、半导体材料发展现状
相对于半导体设备市场，半导体材料市场长期处于配角的位置，但随着芯片出货量增长，材料市场将保持持续增长，并开始摆脱浮华的设备市场所带来的阴影。按销售收入计算，
半导体材料日本保持最大半导体材料市场的地位。然而台湾、ROW、韩国也开始崛起成为重要的市场，材料市场的崛起体现了器件制造业在这些地区的发展。晶圆制造材料市场和封装材料市场双双获得增长，未来增长将趋于缓和，但增长势头仍将保持。
（半导体材料）
美国半导体产业协会(SIA)预测，2008年半导体市场收入将接近2670亿美元，连续第五年实现增长。无独有偶，半导体材料市场也在相同时间内连续改写销售收入和出货量的记录。晶圆制造材料和封装材料均获得了增长，预计今年这两部分市场收入分别为268亿美元和199亿美元。
日本继续保持在半导体材料市场中的领先地位，消耗量占总市场的22%。2004年台湾地区超过了北美地区成为第二大半导体材料市场。北美地区落后于ROW(RestofWorld)和韩国排名第五。ROW包括新加坡、马来西亚、泰国等东南亚国家和地区。许多新的晶圆厂在这些地区投资建设，而且每个地区都具有比北美更坚实的封装基础。
芯片制造材料占半导体材料市场的60%，其中大部分来自硅晶圆。硅晶圆和光掩膜总和占晶圆制造材料的62%。2007年所有晶圆制造材料，除了湿化学试剂、光掩模和溅射靶，都获得了强劲增长，使晶圆制造材料市场总体增长16%。2008年晶圆制造材料市场增长相对平缓，增幅为7%。预计2009年和2010年，增幅分别为9%和6%。
半导体材料市场发生的最重大的变化之一是封装材料市场的崛起。1998年封装材料市场占半导体材料市场的33%，而2008年该份额预计可增至43%。这种变化是由于球栅阵列、芯片级封装和倒装芯片封装中越来越多地使用碾压基底和先进聚合材料。随着产品便携性和功能性对封装提出了更高的要求，预计这些材料将在未来几年内获得更为强劲的增长。此外，金价大幅上涨使引线键合部分在2007年获得36%的增长。
与晶圆制造材料相似，半导体封装材料在未来三年增速也将放缓，2009年和2010年增幅均为5%，分别达到209亿美元和220亿美元。除去金价因素，且碾压衬底不计入统计，实际增长率为2%至3%。
四、半导体材料战略地位
20世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命20世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用，将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、 *** 纵和制造功能强大的新型器件与电路，深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式
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