半导体参数分析仪(器件分析仪)是一种集多种测量和分析功能于一体的测试仪器,可准确执行电流-电压(IV)和电容测量(CV(电容-电压)、C - f(电容-频率)以及 C – t(电容-时间)测量),并快速、轻松地对测量结果进行分析,完成半导体参数测试。半导体参数测试是确定半导体器件特征及其制造过程的一项基础测量。在参数测试中,通常需要进行 IV 测量,包括分辨率低至 fA(毫微微安培)的小电流测量和高达 1 MHz 的CV 测量,并对主要特征/参数进行分析。虽然半导体参数分析仪的设计初衷是进行半导体评测,但因其优越的性能、强大的功能以及出色的易 *** 作性,现已在各种材料、器件和电子器件的 IV 和 CV 表征中得到广泛应用。
半导体参数分析仪可为表征任务提供更高的性能、更强的可用性以及更高的效率。参数分析仪集多种测量资源于一身,可轻松进行 IV 和 CV 测量,无需汇集或集成多种仪器,例如电源、电压表、电流表、LCR 表、开关矩阵等。参数分析仪的主要测量元器件是电源/测量单元(SMU)。SMU 是一种将电压/电流源功能和电压/电流表功能结合于单一模块中的测量模块。由于该参数分析仪将电源和测量电路紧密集成,所以相比使用多种独立仪器进行相同测量来说,可以提供更高的精度、分辨率以及更小的测量误差。
此外,参数分析仪还具有分析功能,使您无需借助外部 PC 便可快速地交互检查和分析显示屏上的测量结果。由于半导体参数分析仪具有多种功能,因此适用于从探索分析到自动测试的各种测量环境。
IV 分析仪,又称为伏安特性分析仪,主要用于测试半导体器件伏安特性曲线,比如二极管、NPN管等,是以Windows为基础的仿真工具Multisim的测试仪器。
整个 *** 作界面就像一个电子实验工作台,绘制电路所需的元器件和仿真所需的测试仪器均可直接拖放到屏幕上,轻点鼠标可用导线将它们连接起来,软件仪器的控制面板和 *** 作方式都与实物相似,测量数据、波形和特性曲线如同在真实仪器上看到的。
其图标上有三个连接端口,选择器件类型(比如二极管或三极管)之后,面板的连接端口会有相应的连接提示,按提示连接即可。
IV分析仪主要用途:可以观察晶体管高电压、大电流特性,也可以了解晶体管低电压、小电流特性或者其他局部细节。
扩展资料:
IV特性曲线:
伏安特性曲线图常用纵坐标表示电流I、横坐标表示电压U,以此画出的I-U图像叫做导体的伏安特性曲线图。伏安特性曲线是针对导体的,也就是耗电元件,图像常被用来研究导体电阻的变化规律,是物理学常用的图像法之一。
电源伏安特性曲线图线面积的意义:
在电源的伏安特性曲线上取一点,则该点的横坐标表示干路中的电流,纵坐标表示电源的路端电压;由该点分别向两坐标轴作垂线,则此垂线与两坐标轴所围的面积表示电源的输出功率。
电源伏安特性曲线与电阻伏安特性曲线交点的意义:
对于某一定值电阻R,其电压与电流成正比,即U=IR,在U-I直角坐标系中,其伏安特性曲线为一条过原点的直线,此直线与电源伏安特性曲线的交点表示了闭合电路的工作状态。
参考资料来源:百度百科-multisim
参考资料来源:百度百科-伏安特性曲线
1、DSC分析法测定多种热力学和动力学参数,例如比热容、反应热、转变热、相图、反应速率、结晶速率、高聚物结晶度、样品纯度等。
2、TGA(热重分析)研究晶体性质的变化,如熔化、蒸发、升华和吸附等物质的物理现象;研究物质的热稳定性、分解过程、脱水、解离、氧化、还原、成份的定量分析、添加剂与填充剂影响、水份与挥发物、反应动力学等化学现象。
广泛应用于塑料、橡胶、涂料、药品、催化剂、无机材料、金属材料与复合材料等各领域的研究开发、工艺优化与质量监控。
3、FTIR用于半导体制造业。FTIR利用红外线光谱经傅里叶变换进而分析杂质浓度。
扩展资料:
热重分析的种类:
热重分析通常可分为两类:动态法和静态法。
1、静态法:包括等压质量变化测定和等温质量变化测定。等压质量变化测定是指在程序控制温度下,测量物质在恒定挥发物分压下平衡质量与温度关系的一种方法。等温质量变化测定是指在恒温条件下测量物质质量与压力关系的一种方法。这种方法准确度高,但是费时。
2、动态法:就是我们常说的热重分析和微商热重分析。微商热重分析又称导数热重分析(DerivativeThermogravimetry,简称DTG),它是TG曲线对温度(或时间)的一阶导数。以物质的质量变化速率(dm/dt) 对温度T(或时间t)作图,即得DTG曲线。
参考资料来源:百度百科-FTIR
百度百科-TGA
百度百科-DSC分析法
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