关于半导体电极

虽然半导体中的分析方法和溶液的电化学的概念有些不一样，但是分析方法基本一样的

半导体中的fermi能级和溶液化学电位的差异导致了电子的移动，正如pn结之间因为fermi能级差异而形成了depletion region和built-in potential

还应该注意的一点是半导体中的电子导电和溶液中的离子导电，这在分析具体问题中应该注意。

半导体和溶液接触时会形成双电层，更具体的你可以baidu或者参考半导体电化学以及溶液电化学等方面的书籍，应该有很多的。

用偏压发生器给半导体电极偏压。

半导体电极是指半导体材料与适当电解液构成的电极体系成为半导体电极。当半导体与电解液接触时，其剩余电荷在电极表面层中分布，形成类似于溶液中离子双电层的空间电荷层。半导体电极受光照激发所产生的空穴与电子分别具有极强的氧化性与还原性，可与电解质溶液发生氧化还原反应，同时空穴与电子在空间电荷区被分离，产生电动势，与对电极形成回路，构成光电化学电池。

其一集电极最大允许电流ICM，使用晶体不得超过此电流值；其二集电极—发射极击穿电压BUceo，即基极开路时，加于集电极与发射极的最大允许电压。否则导致管子击穿。其三集电极最大允许耗散功率PM，由于集电极电流在集电极产生热量，使结温升高，超过这一功耗，晶体管可能损坏。

晶体三极管有两个pn结： 发射结和收集结； 分为3个区： 发射区、基区和集电区； 对应引出的3个电极分别称为发射极、基极和集电极； 基区在制作上要比其他两区薄得多，发射区的掺杂要比基区重得多。

在npn型晶体管工作时，发射极加正向偏置，使发射结势垒降低，发射区的电子源源不断地越过pn结注入基区，形成发射电流Ie，这个过程发射区电子的扩散运动起主导作用。

扩展资料

影响击穿电压的因素主要有：

(1) 电极的形状 ，电极的曲率半径越小，击穿电压越低，越容易放电。

(2)电极的极性，棒状电极对平板电极放电时，当棒状电极带负电时，击穿较困难，击穿电压高，带正电时，击穿电压较低，容易发生击穿。

(3)气体的压强降低或温度升高时，由于电子动能变大，击穿电压降低，容易发生火花放电。

(4) 湿度增加可使击穿电压下降。

(5) 电压的作用时间很短时，击穿电压较高。击穿电压越低，越容易发生火花放电，越容易成为可燃物的点火源。

参考资料来源：百度百科-击穿

参考资料来源：百度百科-基极

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