科大奥锐物理实验虚拟仿真平台不同的实验有不同的总分，有100分、65分、58分、60分、150分、172分、55分、180分、250分、80分、230分、71分、200分、236分、50分等情况。其中，AD590温度特性测试与研究、PN结温

提高绝缘子防污闪电压的办法主要是设法提高绝缘子的防污闪能力。而这可从如下几个方面入手：1）提高绝缘子表面的光洁度，对于瓷绝缘子，可以从改变釉表面入手；2)优化绝缘子的结构，主要优化绝缘子的伞裙结构，使之尽可能不粘污秽物；3)改善绝缘

MOSFET击穿有很多原因，常见的有静电作用击穿，过温度击穿，过电压击穿，过电流击穿，还有就是生产过程的 *** 作使MOSFET破裂致在上电后击穿。在开关电源中MOSFET击穿常见的现象就是炸机。击穿电压是使电介质击穿的电压，电介质在足够强的电场

pn结是半导体中非常重要的一种结构，采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区。从PN结的形成原理可以看出，要想让PN结导通形成电流，必须消除其空间电

半导体盘柜的主电源接线方法为：将电源线插头的金属芯片插入盘柜的电源接口，将三芯电缆的一端接入盘柜的电源接口，另一端接入电源箱或发电机。同时，在电源线侧面配置断路器，以保证设备的安全性，让电源能够正常工作。最后，将数字系统面板连接到电源上，并

LED静电击穿对静电而言，他有四个量决定其‘杀伤力’1、电量（电荷的多少）2、电压（对大地而言形成的电位差）3、接触放电的时间（接触瞬间的时间，越短，说明‘打过来的子d越快’）4、放电接触电阻（放电接触的导通程度，电阻小，越畅通啦）所以，对

PN结的形成：PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面。在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。在P型半导

半导体有源区是有源区是硅片上做有源器件的区域。硅片上做有源器件的区域。（就是有些阱区。或者说是采用STI等隔离技术，隔离开的区域）。有源区主要针对MOS而言，不同掺杂可形成n或p型有源区。有源区分为源区和漏区（掺杂类型相同）在进行互联之前，

静电在LED显示屏生产过程中的危害如果在生产任何环节上忽视防静电，它将会引起电子设备失灵甚至使其损坏。当半导体器件单独放置或装入电路时，即使没有加电，由于静电也可能造成这些器件的永久性损坏。大家熟知，LED是半导体产品，如果LED的两个针脚

    硅(Si)是研究较早的半导体材料，是第一代半导体的代表。半个多世纪以来，硅半导体技术的长足发展极大地促进了电力和电子技术的进步。尤其到了20世纪70年代，集成电路制造技术的成熟，奠定了硅在整个半导体行业中的领军地位。目前，除了极少数

半导体放电体具有精确的导通电压、快速的响应速度、超强的浪涌吸收能力、电容值低、双向对称，有SMA，SMB，DO-15，SMB-T等多样化封装以适应不同安装空间的需求等特点。半导体放电管其应用范围广泛，可用于调制解调器、 传真机、PBX系统、

半导体分立器件泛指半导体晶体二极管、半导体三极管简称二极管、三极管及半导体特殊器件。 电子产品根据其导电性能分为"导体"和"绝缘体"半导体介于"导体"和"绝缘体&qu

MOSFET击穿有很多原因，常见的有静电作用击穿，过温度击穿，过电压击穿，过电流击穿，还有就是生产过程的 *** 作使MOSFET破裂致在上电后击穿。在开关电源中MOSFET击穿常见的现象就是炸机。PN 结构成了几乎所有半导体功率器件的基础，目前常

氮化镓漏电击穿原理是由于电场密度较大，从而会造成氮化镓半导体器件的漏电以及击穿。进而会损坏氮化镓半导体器件，降低氮化镓半导体器件的可靠性。从源极注入的电子可以经过GaN缓冲层到达漏极，形成漏电通道，过大的缓冲层泄漏电流同样会导致器件提前击穿

M7和M1S都是1000V 1A整流二极管。参数基本一样，材料有点差距，M7芯片要比M7小点。S1M是贴装的玻璃钝化二极管，耐压1000V，电流1.0A，用于普通交流电压整流，如50HZ或者60HZ。m7是普通二极管，即是硅整流二极管的一种

三极管做稳压管用，一般是在应急维修的时候才用，说简单一点就是半导体稳压管是利用PN结击穿后,在功耗允许范围内,其电压不随击穿电流而改变这一特性而制做的。所以原则上讲,所有具有稳定击穿特性的半导体器件,绝大多数均可代做稳压管使用。 通常我们已

理论寿命很长，5万个小时左右，实际由使用情况决定。在不过流，不过压，冷热端(特别是热端)散热良好，不违规 *** 作(重压，摔打，工作过程中突然转换制冷制热模式等)的情况下，使用5万个小时是很容易达成。半导体指常温下导电性能介于导体(conduct

没有关系的。根据迁移条件的不同，银的迁移分为电迁移和离子迁移。银迁移是指在存在直流电压梯度的潮湿环境中，水分子渗入含银导体表面电解形成氢离子和氢氧根离子。银在电场及氢氧根离子的作用下，离解产生银离子，并产生可逆反应。电容器的常见失效模式有:

高温反偏试验HTRB，主要是考核器件的高温长期耐受性和寿命预测。在高温下施加反压的结果，更容易曝露出器件内部的原有缺陷。因此，正常情况下，经过高温反偏试验后的器件，耐压会略有下降。当然如果下降太多，比如低于70%额定电压，那器件就属于不合格