imp是半导体工艺,imp全写是P-ESDIMP。
P-ESDIMP工艺流程是在有源区重掺杂之后增加一道P-ESDIMP,P-ESDIMP的目的是把中等浓度的硼(P型)通过离子注入的方式掺杂到NMOS漏端N+扩散区正下方与PW交界面,从而降低NMOS漏端与PW的击穿电压。
例如在一0.18μm的工艺中,可把原先约10V的接面击穿电压降低到约8V。当ESD现象发生在该NMOS器件的漏极时,漏端接触孔下面的PN结首先击穿,静电放电电流便会先由该PN结接面泄放掉,因此该NMOS器件漏极端的LDD结构不会因静电尖端放电的现象而被静电损伤,达到提高它的ESD保护能力。
利用P型的P-ESDIMP工艺技术制造的ESDNMOS仍可保留LDD结构,因此该ESDNMOS器件仍可使用较短沟道长度,它的SPICE参数跟传统的NMOS器件类似,除了击穿电压不同之外,不必另外抽取这种ESDNMOS器件的SPICE参数。
一、名词解释:
wafer:晶圆;是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形。
chip:芯片;是半导体元件产品的统称。
die:裸片 ;是硅片中一个很小的单位,包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。
二、联系和区别:
一块完整的wafer
wafer为晶圆,由纯硅(Si)构成。一般分为6英寸、8英寸、12英寸规格不等,晶片基于wafer上生产出来。Wafer上一个小块晶片晶圆体学名die,封装后成为一个颗粒。一片载有Nand Flash晶圆的wafer首先经过切割,测试后将完好的、稳定的、足容量的die取下,封装形成日常所见的Nand Flash芯片。
die和wafer的关系
品质合格的die切割下去后,原来的晶圆成了下图的样子,是挑剩下的Downgrade Flash Wafer。残余的die是品质不合格的晶圆。黑色的部分是合格的die,会被原厂封装制作为成品NAND颗粒,而不合格的部分,也就是图中留下的部分则当做废品处理掉。
筛选后的wafer
扩展资料:
集成电路芯片的生命历程:芯片公司设计芯片——芯片代工厂生产芯片——封测厂进行封装测试——整机商采购芯片用于整机生产。
芯片供应商IDM:是集芯片设计、制造、封装和测试等多个产业链环节于一身的企业。
芯片供应商Fabless:是没有芯片加工厂的芯片供应商,Fabless自己设计开发和推广销售芯片,与生产相关的业务外包给专业生产制造厂商。与Fabless相对应的是Foundry和封测厂,主要承接Fabless的生产和封装测试任务,封测厂有日月光,江苏长电等。
参考资料:百度百科-晶圆
百度百科-芯片
百度百科-裸片
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