因为制造半导体器件和集成电路时,最重要的是要很好地控制掺入的杂质的种类和数量(浓度);而且有些杂质对半导体载流子的影响也很不好(例如减短寿命、降低迁移率)。为了达到能够可控的掺杂和去掉有害杂质,就必须事先把作为原始材料的Si片提纯——使之成为本征半导体。否则就难以实现有目的地掺杂和做好器件和电路。
1、这么说不太严谨,对于不同种材料,比如Si和GaN,本征Si的导电性要比低掺杂GaN的好。2、对于同一种半导体,掺杂之后在常温下杂质电离的载流子比本征电离的要多,所以掺杂半导体导电性比本征好。
3、对于一块掺杂的半导体,随温度的升高,而其本征电离加剧,当本征电离产生的载流子高于杂质电离时,可以认为才是半导体就是一块本征半导体,而温度升高载流子受到晶格散射的影响也会加剧,所以导电性会变差,而更致命的是此时半导体的导电类型发生了变化,对于一般靠PN结组成的器件,这会导致器件的失效。
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