一、N型半导体也称为电子型半导体,即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
对于锗、硅类半导体材料,掺杂Ⅴ族元素,当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时,可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子,这就形成了半导体中导带电子浓度的增加。
二、P型半导体一般指空穴型半导体,是以带正电的空穴导电为主的半导体。
在纯净的硅晶体中掺入三价元素,使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。
扩展资料:
如果杂质是周期表中第Ⅲ族中的一种元素──受主杂质,例如硼或铟,它们的价电子带都只有三个电子,并且它们传导带的最小能级低于第Ⅳ族元素的传导电子能级。因此电子能够更容易地由锗或硅的价电子带跃迁到硼或铟的传导带。
在这个过程中,由于失去了电子而产生了一个正离子,因为这对于其它电子而言是个“空位”,所以通常把它叫做“空穴”,而这种材料被称为“P”型半导体。
参考资料来源:百度百科-P型和N型半导体
价电子移动到空穴的位置,价电子本身的位置变为空穴,等效为空穴向价电子的位置移动,之前空穴上的价电子现在的位置,就是空穴原来的位置。
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