提拉法和磁控溅射法制备ATO薄膜的区别或优势

损失程度，方法。

1、磁控溅射法制备ATO薄膜沉积速度快、基材温升低、对膜层的损伤小，而提拉法是对膜层损害较大的。

2、磁控溅射法制备ATO薄膜对于大部分材料，只要能制成耙材，就可以实现溅射，而提拉法 *** 作方法是比较麻烦的。

1、低电压溅射制备ITO薄膜由于ITO薄膜本身含有氧元素,磁控溅射制备ITO薄膜的过程中,会产生大量的氧负离子,氧负离子在电场的作用下以一定的粒子能量会轰击到所沉积的ITO薄膜表面,使ITO薄膜的结晶结构和晶体状态造成结构缺陷.溅射的电压越大,氧负离子轰击膜层表面的能量也越大,那么造成这种结构缺陷的几率就越大,产生晶体结构缺陷也越严重,从而导致了ITO薄膜的电阻率上升,一般情况下,磁控溅射沉积ITO薄膜时的溅射电压在-400V左右,如果使用一定的工艺方法将溅射电压降到-200V以下,那么所沉积的ITO薄膜电阻率将降低50%以上,这样不仅提高了ITO薄膜的产品质量,同时也降低了产品的生产成本.

2、两种在直流磁控溅射制备ITO薄膜时,降低薄膜溅射电压的有效途径磁场强度对溅射电压的影响当磁场强度为300G时,溅射电压约为-350v但当磁场强度升高到1000G时,溅射电压下降至-250v左右.一般情况下,磁场强度越高、溅射电压越低,但磁场强度为1000G以上时,磁场强度对溅射电压的影响就不明显了.因此为了降低ITO薄膜的溅射电压,可以通过合理的增强溅射阴极的磁场强度来实现.RF+DC电源使用对溅射电压的影响为了有效的降低磁控溅射的电压,以达到降低ITO薄膜电阻率的目的,可以采用了一套特殊的溅射阴极结构和溅射直流电源,同时将一套3KW的射频电源合理的匹配叠装在一套6KW的直流电源上,在不同的直流溅射功率和射频功率下进行降低ITO薄膜溅射电压的工艺研究.当磁场强度为1000G,直流电源的功率为1200W时,通过改变射频电源的功率,经大量的工艺实验得出:"当射频功率为600W时,ITO靶的溅射电压可以降到-110V"的结论.因此,RF+DC新型电源的应用和特殊溅射阴极结构的设计也能有效的降低ITO薄膜的溅射电压,从而达到降低薄膜电阻率的目的.

3、降低ITO薄膜电阻率的新沉积方法-HDAP法HDAP法是利用高密度的电弧等离子体(HDAP)放电轰击ITO靶材,使ITO材料蒸发,沉积到基体材料上形成ITO薄膜.由于高能量电弧离子的作用导致ITO粒子中的In、Sn达到完全离化,从而增强沉积时的反应活性,达到减少晶体结构缺陷,降低电阻率的目的.

利用同样成分的ITO材料,其它工艺条件保持一样,并在同样的基片温度下,分别进行"DC磁控溅射"、"DC+RF磁控溅射"、"HDAP法制备ITO薄膜"的实验.

实验结果可以看出,利用HDAP法能获得电阻率较低的ITO薄膜,尤其是在基片温度不能太高的材料上制备ITO薄膜时,使用HDAP法制备ITO薄膜可以得到较理想的ITO薄膜.基片温度到350℃左右时,这三种沉积方法对ITO薄膜电阻率的影响较小.

通过扫描电镜对磁控溅射和HDAP法制备的ITO薄膜进行了微观分析.很明显HDAP法制备的ITO薄膜表面平坦、均匀.HDAP法制备ITO薄膜主要是针对基体材料不能加热,同时又要求ITO薄膜的电阻率较低的制成比较适用.

薄膜沉积工艺中靶基间距、溅射功率、工作气压对膜厚均匀性的影响。

磁控溅射法能在低压、低温下以较大的沉积速率制备薄膜，而且制备的薄膜致密_结合力好，因此在机械、光学和电子行业得到了广泛应用。

薄膜厚度均匀性是衡量薄膜质量和镀膜装置性能的一项重要指标。任何一种有实际应用价值的薄膜，都对膜厚分布有特定的要求。除了少数特殊场合外，绝大多数情况下，都要求薄膜厚度尽可能均匀一致。近年来对此问题的理论2~7或工艺8有了广泛研究。对于磁控溅射镀膜，由于阴极靶面电磁场的非均匀分布，造成等离子体密度的分布不均，最终导致靶原子的不均匀溅射和不均匀沉积。可以通过改进磁路布置，优化靶的设计来提高薄膜均匀性。也可以增加遮挡机构10'，采用旋转基片，如自转、公转、行星夹具等改善薄膜的均匀性。但对于一台现有的磁控溅射镀膜设备，阴极靶的形状、磁路等结构参数及基片的运动方式已经确定，通过调整工艺，研究沉积工艺对薄膜均匀性的影响就很有必要。

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