有谁知道中南大学材料科学与工程专业的就业前景怎么样啊

中南大学材料科学与工程专业的就业前景还是不错的。

中南大学（Central South University），位于湖南省长沙市，是中华人民共和国教育部直属的全国重点大学，位列国家“世界一流大学建设高校A类“、“985工程”、“211工程”。

学校相关：

截至2021年5月，学校占地面积317万平方米，建筑面积217万平方米。

设有30个二级学院，103个本科专业；有全日制在校学生5.9万余名，其中本科生3.4万余人、研究生2.3万余人、境外学生2000余人。

以上内容参考 百度百科-中南大学

1995年和2001年，陈大同分别在美国硅谷和中国上海参与创办了豪威科技（Omnivision）和展讯通信。前者致力于CMOS图像传感器芯片，2000年上市；后者研发出了自主知识产权的手机基带芯片，2007年上市。两家公司均一度成为全球同行业的引领者。

展讯在美国上市后，2008年，他投身风投，领导了一系列集成电路领域的投资。“我这一路走过来，有些是幸运，但回头一看，其实更多的是一种必然。”

中国半导体产业60多年起伏与生长

自上世纪70年代从清华大学无线电专业转到半导体专业，陈大同与半导体打了40多年交道。

陈大同说，早在上世纪50年代末60年初，我国就有了半导体产业，当时的发展几乎与世界同步。由于对外界的封闭，虽然起步早，但发展慢，到1980年代初他念研究生时，我国半导体产业与世界的差距越来越大。

当时清华大学微电子研究所是国内半导体研究水平最高的两个研究所之一，他们所做的“逆向设计”实际上就是解剖芯片，分析之后再重新做出来。这样的能力非常了不起，但逆向设计是为了“追赶”，并不是真正的“赶超”。

从1980年开始一直到2000年是中国半导体产业发展的第二阶段。这一时期，我国经历了从计划经济到市场经济的转变。在快速变化的世界中，“国家一开放，外国产品一进来，（国内）完全没有任何竞争力。”

“1989年我出国的时候国内有几百家半导体公司，等我2000年回国的时候几乎全都倒闭了，在这种关键的时候整个产业几乎没了，因为原来那些公司都是国营公司。”2000年以后，以中芯国际和展讯的创办为开端，中国半导体产业发展进入第三阶段，芯片设计公司的产品能在国内加工了，民营半导体企业从零开始成长，尽管规模较小。“特别是2005年开始有了VC后，半导体企业大批量出现，到2007年、2008年光设计公司已经有五六百家了。”

但陈大同表示，这一时期是野蛮成长的阶段，这些企业在市场法则的激烈竞争中大都失败了，只有少数获得成功，而当时活下来的就成了现在的半导体龙头企业。“这个阶段的最大特点就是按照市场机制从小到大创办公司，但这个阶段也发现了很大问题，有许多痛点，光靠市场机制是没法做的。”

比如一个晶圆代工厂的投资就要几百亿甚至上千亿人民币，而回报以10年计算。“三星在半导体方面被韩国政府扶持了十几年才建立起来。”陈大同表示，像这类大体量和长期的投资只能由政府出手

上个星期，中山大学物理学院王雪华、刘进教授研究团队提出、设计并制备出一种将单个量子点嵌入角向光栅微环谐振腔中的集成量子光源结构，实现了目前国际上最亮的芯片式触发轨道角动量单光子源，研究成果发表在Nature Nanotechnology上（DOI: 10.1038/s41565-020-00827-7）。近日，中山大学物理学院李俊韬教授与澳大利亚国立大学的Kylie R. Catchpole、Thomas P. White合作，在Science上发表重要研究成果，本文接下来将对这一成果进行介绍。

第一作者：Jun Peng，Daniel Walter

通讯作者：Juntao Li，Kylie R. Catchpole，Thomas P. White

通讯单位：The Australian National University，Sun Yat-sen University

DOI: 10.1126/science.abb8687

目前高效PSCs面临两大主要挑战：

1、在不妨碍电荷提取的情况下，减少界面复合以实现最大化Voc和FF。

2、在更大的PSCs面积上保持高效率特别是高FF。

1 、 作者利用纳米级图案化的TiO2纳米棒阵列取代常用的介孔TiO2（meso-TiO2）电子传输层（ETL）提出了一种制备PSCs的新的电子传输层（ ETL ） 。

2、通过超薄的聚合物钝化层可以有效的钝化产生纳米级图案化的ETL-钙钛矿界面，从而在获得高Voc的同时保持优异的电荷提取和界面传输性能，实现了低串联电阻和高FF。

3、在1 cm2大面积PSCs上，获得了高达21.6%的认证功率转换效率（PCE），FF更是高达0.839。在Voc=1.240 V，FF=0.845的条件下，~0.165 cm2小面积PSCs的PCE可达~23.17%。

4、该工作z明了ETL-钙钛矿界面上ETL形态、界面钝化和电荷传输之间的重要相互作用。

图1. 已有记录的PSCs的认证性能

图2. 纳米结构的TiO2 ETL和用于纳米图案化的可控PSCs光伏参数的统计分布

要点：

1、作者通过结合纳米图案化的ETL和无掺杂剂的混合空穴传输层（HTL），该结构通过钝化界面可修饰钝化层的空间分布，从而提供有效的钝化和出色的电荷提取。作者制备获得了1cm2的大面积PSCs，其认证PCE达21.6％，FF高达0.839。

2、这种纳米级图案化结构可与使用纳米压印技术的商业规模制造兼容，自组装ETL纳米结构的某种形式也可能提供足够不规则的表面，以通过钝化层形成局部接触。

图3. 理论模拟结果

要点：

1、作者使用三维（3D）数值模拟研究和解释了纳米结构界面的性能，精确地再现了FF增强和观察到的纳米级几何图案的实验趋势。

2、模拟和实验分析发现，这种纳米界面为暴露的纳米棒面积分数和暴露的ETL-钙钛矿界面上复合活性缺陷的密度设定了合理的界限。

3、TiO2纳米棒未完全涂覆PMMA：PCBM（聚甲基丙烯酸甲酯：苯基-C61-丁酸甲酯）钝化材料，局部裸露的低电阻接触区域直接类似于高效硅太阳能电池中的局部接触结构。

图4. 1 cm2钙钛矿电池的器件性能和长期稳定性测试

要点：

1、作者发现无离子掺杂的混合空穴传输层（HTL）提供了与掺杂替代物类似的电池性能。

2、作者在85 和85%相对湿度条件下暴露1000 h后，包含新ETL和HTL组合的封装电池仍然保持了>90%的初始效率。

原文链接：

https://science.sciencemag.org/content/371/6527/390

李俊韬

李俊韬，现为中山大学物理学院教授，主要利用电子束直写设备，从事半导体平板微纳结构中的光场调控研究，研究方向包括：单晶硅超表面结构（Nano Letters (2018)，Laser &Photonics Reviews (2018)，ACS Photonics (2017)ESI高引）用于超薄太阳电池的准随机陷光微纳结构（Nature Communications (2013)）近红外硅基激光器（Laser &Photonics Reviews (2018)）高亮度单光子光源及微纳结构中的量子调控低损耗硅慢光光子晶体波导（Optics Express (2008) ESI高引）及其应用（Nature Communications (2018)，Phys. Rev. Lett (2014)等。

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