cat是什么电容

CAT业界首款4A超级电容LED闪光驱动器

安森美半导体(ON Semiconductor)推出业界首款4安培(A)超级电容发光二极管(LED)闪光驱动器——CAT。这新的器件符合新兴的真正高强度 LED闪光要求，应用于高百万像素的照相手机和独立相机。这高集成度器件具有精确控制LED闪光充电/放电所需的全部功能，包括能够接受达4 A电流的电源开关，以及为双单元(dual-cell)超级电容提供充电功能。 CAT解决方案易于使用，具有以简单并行逻辑接口激活的三种完全独立工作模式(充电、闪光和手电筒)，每种模式的工作电流能以3颗外部电阻作简易编程。安森美半导体在本季梢将推出更多更高功率的超级电容LED闪光驱动器。

高百万像素照相手机和独立相机需要极高强度的闪光来拍摄高质量的照片，特别是在低或中等光照环境下。市场上新的LED设计可符合这个需求，但独靠相机电池，并不能提供足够高的峰值电流脉冲来驱动LED闪光，使其达到高分辨率相片所需的亮度。其它需要高峰值电流的功能，如变焦、自动对焦、图像捕获、D类音频和射频(RF)放大，使电源问题进一步恶化。

安森美半导体新的LED驱动器与最新一代的超级电容协同工作，帮助设计人员有效消除这些电源管理问题。超级电容在其峰值负载时释放电能，并持续重新充电，即便是在闪光功率达到峰值期间。CAT3224 LED驱动器控制超级电容充电，从而为其它高峰值电流电路提供更多电能。这超级电容LED驱动器设计方案提供真正的高强度闪光及更丰富的系统功能，同时显著地延长电池使用时间。

超级电容技术的高峰值电流优势，结合CAT3224简单的并行逻辑接口，使得这器件成为采用LED替代氙气灯的工业应用的极佳选择。

安森美半导体Catalyst产品部市场营销副总裁Scott Brown说：“CAT3224超级电容LED驱动器为高强度LED闪光功能提供集成、易用、高性价比的解决方案。我们相信，这器件结合如CAP-XX等公司显著改良的超级电容技术，以及白光LED不断提升的性能，率先为下一代高百万像素照相手机和独立相机提供真正高强度LED闪光。”

CAT3224 超级电容LED驱动器支持三项关键功能：精密的超级电容充电控制、电流放电至LED闪光的管理，以及为LED手电筒模式提供恒流。CAT3224以模拟控制输入电路上的外部电阻进行简单编程，

半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。

1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。

半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

扩展资料：

人物贡献:

1、英国科学家法拉第(MIChael Faraday，1791~1867)

在电磁学方面拥有许多贡献，但较不为人所知的，则是他在1833年发现的其中一种半导体材料。

硫化银，因为它的电阻随着温度上升而降低，当时只觉得这件事有些奇特，并没有激起太大的火花；

然而，今天我们已经知道，随着温度的提升，晶格震动越厉害，使得电阻增加，但对半导体而言，温度上升使自由载子的浓度增加，反而有助于导电，这也是半导体一个非常重要的物理性质。

2、德国的布劳恩(Ferdinand Braun，1850~1918)。

注意到硫化物的电导率与所加电压的方向有关，这就是半导体的整流作用。

但直到1906年，美国电机发明家匹卡(G. W. PICkard，1877~1956)，才发明了第一个固态电子元件：无线电波侦测器(cat’s whisker)，它使用金属与硅或硫化铅相接触所产生的整流功能，来侦测无线电波。

在整流理论方面，德国的萧特基(Walter Schottky，1886~1976)在1939年，于「德国物理学报」发表了一篇有关整流理论的重要论文，做了许多推论，他认为金属与半导体间有能障(potential barrier)的存在，其主要贡献就在于精确计算出这个能障的形状与宽度。

3、布洛赫(Felix BLOCh，1905~1983)

在这方面做出了重要的贡献，其定理是将电子波函数加上了周期性的项，首开能带理论的先河。

另一方面，德国人佩尔斯(Rudolf Peierls， 1907~ ) 于1929年，则指出一个几乎完全填满的能带，其电特性可以用一些带正电的电荷来解释，这就是电洞概念的滥觞；

他后来提出的微扰理论，解释了能隙(Energy gap)存在。

参考资料来源：百度百科-半导体

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