半导体氢钝化退火工艺

半导体氢钝化退火工艺是一种金属热处理工艺。指的是将金属缓慢加热到一定温度，保持足够时间，然后以适宜速度冷却。目的是降低硬度，改善切削加工性。消除残余应力，稳定尺寸，减少变形与裂纹倾向。细化晶粒，调整组织，消除组织缺陷。准确的说，退火是一种对材料的热处理工艺，包括金属材料、非金属材料。而且新材料的退火目的也与传统金属退火存在异同。

日本福岛大学佐藤教授通过制作铟、镓和砷元素中掺入碳的化合物半导体膜的实验，开发出利用化合物半导体低成本的原理制造高纯度的氢。新方法比目前应用的钒合金膜制氢法降低成本10%左右。

他在试验中制作了在铝基板上铟、镓和砷半导体中加入碳的P型半导体膜，发现这种半导体化合物膜可以作为氢过滤介质过滤氢。在利用压力差进行氢透过试验中，氢形成一个质子氢离子通过膜，而不纯物没有透过，制造出了纯度几乎接近100%的氢。

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