什么是BN管?

BN纳米管具有与C纳米管相似的石墨化结构，并具有与C纳米管同样优异的力学性能与热传导性能，同时其耐高温与抗氧化能力更强。另外与C纳米管不同的是，BN纳米管的电子能带结构与直径和手性无关，其电学性质是均一可控的。纯BN纳米管的带隙宽度约为5.5 eV，为宽带隙半导体材料。理论和实验研究均已经表明，BN纳米管的带隙可以通过施加横向电场(Stark Effect)、结构形变、掺杂等手段来被进一步调节。其中最具研究价值的是C原子的取代掺杂。基于BN与C纳米管在结构上的相似性，通过C的控制掺杂理论上可以实现纳米管带隙宽度在BN与C之间的大幅度调节。可控、可调的电子能带结构，使得BN与B-C-N纳米管在纳米电子器件等领域具有重要应用前景。

三星宣布与合作伙伴一同发现了一种名为非晶氮化硼（a-BN）的新材料。其在三星先进技术研究院(SAIT)的研究人员与蔚山国立科学技术研究院(UNIST)以及剑桥大学合作进行了这一发现。 合作者在《自然》杂志上发表了他们的研究成果，并认为这种材料将 "加速下一代半导体的出现"。

三星在解释新发现的非晶氮化硼时表示，它由硼和氮原子组成，具有非晶分子结构，新材料来源于白色石墨烯，但不同的分子结构使得a-BN与白色石墨烯 "有独特的区别"。

三星表示，a-BN有望广泛应用于DRAM和NAND解决方案，因为它能够最大限度地减少电干扰，并且可以在400℃的相对低温下完成晶圆的规模生长。

石墨烯项目负责人、SAIT首席研究员Hyeon-Jin Shin在评论这种材料时说。

"为了提高石墨烯与硅基半导体工艺的兼容性，应在低于400℃的温度下实现半导体基板上的晶圆级石墨烯生长。我们也在不断努力，将石墨烯的应用扩展到半导体之外。"

该公司没有给出希望何时开始在其硬件产品中使用这种新材料的日期，但表示可以将其应用于半导体，特别是大规模服务器的下一代存储器解决方案中的DRAM和NAND方案。

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